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公开(公告)号：CN114121596B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202010873491.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。
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公开(公告)号：CN118731418A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749995.5
申请日：2024-06-12
Abstract: 本发明属于显微分析技术领域，具体公开了一种适用于扫描探针显微分析的层状材料转移方法，包括以下步骤：将PDMS薄膜平整地贴合于初始生长衬底上的待转移的层状材料表面，获得PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底置于去离子水中浸泡，随后在去离子水中将PDMS薄膜/层状材料与初始生长衬底剥离；将获得的PDMS薄膜/层状材料拾取并贴合于目标衬底，得到PDMS薄膜/层状材料/目标衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/目标衬底加热后，趁热将PDMS薄膜剥离，获得层状材料/目标衬底，实现单一的层状材料转移至目标衬底。同时采用本发明还可以实现界面高质量的层状材料同质结或异质结的制备。
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公开(公告)号：CN115216842B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210724292.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。
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公开(公告)号：CN117646277A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410050731.0
申请日：2024-01-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种铜掺杂氧化锌单晶材料的制备方法，涉及半导体领域。包括以下步骤：1)将氧化锌单晶清洗后用氮气吹干，作为衬底；2)使用磁控溅射法在衬底表面制备一层铜膜；3)将步骤2)沉积薄膜后的衬底置于二维条状光斑连续激光腔内进行激光辐照，即完成制备铜掺杂氧化锌单晶材料。本发明采用一种可作为后处理过程的掺杂方法—激光诱导掺杂法，成功地实现了氧化锌单晶的铜掺杂，能有效地改变其光电性能，而且该方法简单易于操作、掺杂区域可控、掺杂浓度精准可控、直接写入一步完成，具有一定的经济价值。
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公开(公告)号：CN117577516A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311477729.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氧化镁衬底生长掺镁氧化镓薄膜的方法，1)将氧化镁(100)衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子处理；2)将经氧等离子体处理后的氧化镁(100)衬底同步进行镓原子沉积和氧等离子体处理，生长氧化镓薄膜，其中，操作台温度为550～600℃。本发明选择氧化镁(100)衬底生长氧化镓薄膜，利用其不但与氧化镓材料晶体晶格常数较为匹配的特点，而且创造性地凭借氧化镁衬底中Mg原子在高温下十分活泼的特点，创新性地在氧化镁衬底上通过简单的工序在无外来Mg源的基础上，仅凭借衬底中Mg原子的扩散，制备得到了高晶体外延质量的掺Mg氧化镓，为氧化镓半导体材料的p型制备提供了可行性的方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117563516A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311531874.5
申请日：2023-11-16
Abstract: 本发明涉及微纳米自动化制造技术领域，涉及一种微纳球模板全自动制备装置及制备方法，其包括：基座、培养皿定位台、注射泵定位台、水泵、培养皿、第一注射泵和第二注射泵，第一注射泵中设有第一注射器，第二注射泵中设有第二注射器；借此，通过整体设备的全自动化，无需人工干预，从根本上避免了由于人工操作时的失误或抖动、不均匀等情况带来的误差，整体制备过程都设定了精确的参数，确保每一次制备都能够准确无误地按照预设条件进行，提高制备成品的准确性和一致性，也具备可复制性，从而提高了生产效率和产品良率，适应性高，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN116799116A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310777338.7
申请日：2023-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波矢调控提升AlGaN深紫外LED出光效率的器件结构及其制备方法。该器件包含：透光衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，电极接触层，反射层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层接触的电极，第二半导体层和电极接触层刻蚀有周期性或随机分布的槽孔，反射层嵌入在其中，所述嵌入在第二半导体层槽孔中的反射金属在深紫外光区域具有等离激元共振特性，结合特定厚度的介质层调节，该结构可实现对高Al组分AlGaN量子阱光子传播模式的调控，基于波矢调控显著提升TM和TE模式辐射光子的出光效率。所述特定厚度、具有低折射率的介质层主要起光学腔的作用，辅助提升反射金属的等离激元共振及其波矢调控能力。
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公开(公告)号：CN116610056A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310597722.9
申请日：2023-05-25
IPC: G05B19/042 , G09F9/35
Abstract: 一种智能遮阳帘装置及其控制方法，涉及智能家居。装置包括单片机系统、变压器电路、电机驱动电路、充电锂电池、传感器模块、遮阳卷帘、电机、电路板、示例显示屏；单片机系统和变压器电路连接并固定于电路板同侧，电机驱动电路与单片机系统连接并固定于电路板异侧，充电锂电池分别与变压器电路板和电机驱动电路板通过导线连接，传感器模块安装固定于示例显示屏的屏幕边缘并与单片机系统连接，电机安装固定于示例显示屏上方并与电机驱动电路板连接，电机的输出轴同遮阳卷帘形成同步旋转连接关系。可根据不同季节和天气，设置遮阳帘升降高度和速度，保证室内光线、温度适宜的同时，保护室内显示屏不被太阳长时间照射或因紫外线照射而损坏。
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公开(公告)号：CN116062832A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310029928.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/30
Abstract: 一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置，涉及水处理技术领域。包括：用于进行光催化的催化板，用于流通污水并固定光催化板的降解槽，以及用于透光的降解窗。所述催化板是在硅基片上刻蚀的硅纳米线和包覆在硅纳米线表面的二氧化钛组成的半导体异质纳米材料；所述降解槽的内侧设有固定催化窗的卡扣纹路，底部设有导流孔，外部四周设有拼接口；所述降解窗覆盖在降解槽之上，采用石英玻璃组成，并在窗内设有导流孔。本发明催化板为自主设计的纳米线异质结构，使用刻蚀和原子层沉积技术构建的半导体异质结纳米线阵列能够快速消除有机污染物，并且采用可拼接设计，大幅地拓展了设备使用的场景，能够在不同的场合设计相对应的净水装置。
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公开(公告)号：CN115293455A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211043486.8
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备，该方法包括获取目标半导体的多组制备参数，所述制备参数包括多个参数；将所述制备参数输入至目标性能预测模型中，确定所述制备参数对应的预测性能，所述目标性能预测模型是基于源域性能预测模型确定的，所述源域性能预测模型是基于源域半导体的第一样本数据训练得到的；对比各个所述预测性能，在所述多组制备参数中确定所述目标半导体的目标制备参数。利用源域性能预测模型确定出目标性能预测模型，并结合目标性能预测模型对多组制备参数进行筛选得到目标制备参数，从而实现基于网络模型的方式进行制备参数的确定，保证了制备参数的可靠性。
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