公开(公告)号：CN114758252B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210676694.5

申请日：2022-06-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 许盛之 ,  王丽朝 ,  宁静 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: G06V20/10 ,  G06V10/40 ,  G06V10/26 ,  G06N3/08 ,  G06T3/40

Abstract: 本发明公开了一种基于图像的分布式光伏屋顶资源分割与提取方法及系统，涉及分布式光伏设计及图像处理技术领域，该方法包括：首先将三维点云处理问题转换为二维遥感图像语义分割问题，将目标区域正射投影图格网裁切后建立样本区域的建筑物语义分割数据集，并基于建筑物语义分割数据集进行模型训练，以得到语义分割模型；然后将研究区域的遥感图像输入至语义分割模型中获得预测结果，利用拼接算法得到带有预测结果信息的图像；基于带有预测结果信息的所述图像和点云处理算法，将其用于三维点云分割处理，提取屋顶信息，确定目标区域中各个屋顶的信息。

公开(公告)号：CN112885503B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202110036640.8

申请日：2021-01-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  刘璋 ,  侯国付 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  G09F9/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06

Abstract: 一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用，属于光电子器件领域。本发明采用磁控溅射技术等生长超薄Ag‑Zn薄膜，其中Ag金属靶材(掺杂剂为Zn)作为原材料，Ar气体作为溅射气体，选择性地在镀膜过程中引入微量O2；利用反应等离子沉积技术等生长氧化物Oxide薄膜，从而形成并获得Oxide/Ag‑Zn/Oxide或Oxide/Ag‑Zn(O)/Oxide复合薄膜。本发明中超薄Ag‑Zn薄膜的阈值厚度(～5nm)显著低于常规方法制备Ag薄膜的阈值厚度，能在保持良好导电性的前提下，大幅提升近红外NIR透过率以及宽光谱范围透过率，且制造温度和镀膜成本低、环境友好，其OMO复合薄膜可应用于光电器件。

公开(公告)号：CN113644167A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202111079745.8

申请日：2021-09-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 侯国付 ,  苏祥林 ,  任慧志 ,  李娟 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明提供一种用于隧穿氧钝化接触（TOPCon）晶硅太阳电池的激光退火制备多晶硅基合金方法，其具体制备过程为：沉积非晶硅基合金薄膜；利用激光扫描非晶硅基合金薄膜，使之退火形成多晶硅基合金薄膜薄膜；将上述样品放在退火炉里，并通入一定的含氢气体，在较高温度下保持一段时间进行补氢；在一次补氢后的样品沉积一定厚度Al2O3层；最后将上述样品再次放在退火炉中，在一定气氛中、一定温度下保持一段时间，进行二次补氢。本发明采用高能量密度的激光退火实现非晶硅基合金薄膜的快速晶化形成多晶硅合金薄膜，相对传统的热退火能够显著缩短退火时间，有利于提高生产效率，节约生产成本。

公开(公告)号：CN112885503A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110036640.8

申请日：2021-01-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  刘璋 ,  侯国付 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  G09F9/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06

Abstract: 一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用，属于光电子器件领域。本发明采用磁控溅射技术等生长超薄Ag‑Zn薄膜，其中Ag金属靶材(掺杂剂为Zn)作为原材料，Ar气体作为溅射气体，选择性地在镀膜过程中引入微量O2；利用反应等离子沉积技术等生长氧化物Oxide薄膜，从而形成并获得Oxide/Ag‑Zn/Oxide或Oxide/Ag‑Zn(O)/Oxide复合薄膜。本发明中超薄Ag‑Zn薄膜的阈值厚度(～5nm)显著低于常规方法制备Ag薄膜的阈值厚度，能在保持良好导电性的前提下，大幅提升近红外NIR透过率以及宽光谱范围透过率，且制造温度和镀膜成本低、环境友好，其OMO复合薄膜可应用于光电器件。

公开(公告)号：CN112563428A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011410214.8

申请日：2020-12-04

Applicant: 南开大学

Inventor： 黄茜 ,  潘恒 ,  石标 ,  陈永亮 ,  朱昭 ,  侯国付 ,  丁毅 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 一种纳米结构修饰的电子传输层，首先在氧化物电子传输层纳米颗粒原液中混合一定比例易溶解的单分散聚苯乙烯纳米球乳胶溶液，随后采用共旋涂的工艺，制备含有单分散聚苯乙烯纳米球预置结构的电子传输层，最后在甲苯溶液中浸没以去除单分散聚苯乙烯纳米球预置结构，得到具有半球状纳米结构修饰的电子传输层。该结构通过将纳米结构直接制备于电子传输层中，可提升电子传输层的平均透过率及散射绒度，获得更佳的光子利用率，并减少载流子在吸收层与电子传输层界面处的抽取时间，能够起到光子散射与促进光生载流子收集的双重作用，有效提升器件的光电特性。

公开(公告)号：CN108183169B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201711453211.0

申请日：2017-12-28

Applicant: 南开大学 ,  天合光能股份有限公司

Inventor： 张晓丹 ,  高纪凡 ,  黄伟 ,  朱世杰 ,  李跃龙 ,  魏长春 ,  丁毅 ,  任慧志 ,  黄茜 ,  侯国付 ,  陈新亮 ,  王广才 ,  许盛之 ,  徐文涛 ,  赵颖

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN104409528B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201410729536.7

申请日：2014-12-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 黄茜 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  张德坤

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，采用磁控溅射及后腐蚀技术，以玻璃或聚酰亚胺为衬底材料，以ZnO∶Al2O3陶瓷靶为靶材原料。首先通过在溅射气氛中引入一定量的氢气，沉积第一层HAZO材料，随后切断氢气通路，原位生长第二层AZO材料，其中HAZO厚度占总厚度的25‑75％，经湿法腐蚀处理，获得具有宽光谱范围内透过率及散射绒度性能提升的HAZO/AZO复合透明导电前电极。本发明有益效果是：该复合透明导电前电极400nm透过率大于75％，400‑1100nm平均透过率大于80％，腐蚀后800nm散射绒度大于70％，400‑1100nm平均散射绒度大于60％，可有效提高薄膜太阳电池的入射光通量及光程，提升电池效率及稳定性。

公开(公告)号：CN107681020A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710878335.7

申请日：2017-09-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  任千尚 ,  李盛喆 ,  任慧志 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  许盛之 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/054

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

Abstract: 本发明提供一种提高平面硅异质结太阳电池长波长光响应的方法，该方法选取衬底S，两侧分别生长钝化层I，在衬底一侧沉积发射极P，另一侧沉积N作为平面硅异质结太阳电池的背场，P层上沉积透明电极ITO，最后电池两侧分别制作金属电极M1和M2。该方法采用的n型背场N因为具有低折射率和宽带隙的特性，不需引入复杂的绒面陷光结构即提高了平面硅异质结太阳电池的长波长光响应。

公开(公告)号：CN104150786B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410390242.6

申请日：2014-08-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 王广才 ,  李玉成 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: C03C17/23

Abstract: 一种采用镀膜法制备宽光谱高透过率增透膜的方法，通过制备含Si低分子、低粘度、低粒度、低折射率的前驱液，控制镀膜的工艺条件，就可获得宽光谱高透过率增透膜，包括如下步骤：1）配置含Si低分子、低粘度、低粒度、低折射率的前驱液；2）利用上述前驱液采用镀膜法在衬底材料单面或双面蒸镀折射率为1.2?1.4、厚度为30?150纳米的透明增透膜层；3）将镀膜后的样品在马佛炉进行退火以增加其附着力和耐磨性制得目标物。本发明的优点是：采用镀膜法制备宽光谱高透过率增透膜的方法，在可见光380?780nm的宽光谱范围内，可以在任意材质的玻璃上获得透过率增加值ΔτV大于7%的高透过率玻璃。

公开(公告)号：CN104218109B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410485225.0

申请日：2014-09-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  丁艳丽 ,  姚鑫 ,  魏长春 ,  赵颖

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种高效率钙钛矿薄膜太阳电池，由玻璃衬底、前电极、致密层、多孔TiO2层、PVP调制的钙钛矿薄膜、空穴传输层和背电极组成并形成薄膜叠层结构，薄膜厚度分别为前电极350nm、致密层30-50nm、多孔TiO2层300-600nm、钙钛矿薄膜300-600nm、空穴传输层50-200nm和背电极50-200nm。本发明的优点：该钙钛矿薄膜是由尺寸相对均匀的晶粒形成的一个密集互联网络，呈现出表面相对光滑且连续的形貌；与未加PVP的钙钛矿薄膜作为吸收层的相同条件的电池器件相比，短路电流、开压和填充因子均有显著提高，电池效率得到大幅度提升，为低成本、高效钙钛矿薄膜太阳电池的研制提供了一种新的制备方法。