公开(公告)号：CN112071503A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010773063.6

申请日：2020-08-04

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  李跃龙 ,  刘璋 ,  侯国付 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H01B13/00

Abstract: 一种实现多功能复合透明导电薄膜的方法及应用，属于光电子器件领域。利用真空镀膜技术生长氧化物薄膜，而磁控溅射技术生长超薄金属薄膜，并通过PS微球模板或光刻模板技术辅助构建金属网格结构，从而实现多功能复合薄膜Glass/Oxide‑B/Metal‑Mesh/Oxide‑T。相比于常规TCO薄膜，本发明设计和实现的多功能复合薄膜Glass/Oxide‑B/Metal‑Mesh/Oxide‑T具有生长温度低，器件界面处低损伤，微观网格结构可调控，兼具透明导电以及传输电子或空穴等性能。该类型复合薄膜Oxide‑B/Metal‑Mesh/Oxide‑T可应用于光电子器件领域。

公开(公告)号：CN112885503B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202110036640.8

申请日：2021-01-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  刘璋 ,  侯国付 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  G09F9/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06

Abstract: 一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用，属于光电子器件领域。本发明采用磁控溅射技术等生长超薄Ag‑Zn薄膜，其中Ag金属靶材(掺杂剂为Zn)作为原材料，Ar气体作为溅射气体，选择性地在镀膜过程中引入微量O2；利用反应等离子沉积技术等生长氧化物Oxide薄膜，从而形成并获得Oxide/Ag‑Zn/Oxide或Oxide/Ag‑Zn(O)/Oxide复合薄膜。本发明中超薄Ag‑Zn薄膜的阈值厚度(～5nm)显著低于常规方法制备Ag薄膜的阈值厚度，能在保持良好导电性的前提下，大幅提升近红外NIR透过率以及宽光谱范围透过率，且制造温度和镀膜成本低、环境友好，其OMO复合薄膜可应用于光电器件。

公开(公告)号：CN112885503A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110036640.8

申请日：2021-01-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  刘璋 ,  侯国付 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  G09F9/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06

Abstract: 一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用，属于光电子器件领域。本发明采用磁控溅射技术等生长超薄Ag‑Zn薄膜，其中Ag金属靶材(掺杂剂为Zn)作为原材料，Ar气体作为溅射气体，选择性地在镀膜过程中引入微量O2；利用反应等离子沉积技术等生长氧化物Oxide薄膜，从而形成并获得Oxide/Ag‑Zn/Oxide或Oxide/Ag‑Zn(O)/Oxide复合薄膜。本发明中超薄Ag‑Zn薄膜的阈值厚度(～5nm)显著低于常规方法制备Ag薄膜的阈值厚度，能在保持良好导电性的前提下，大幅提升近红外NIR透过率以及宽光谱范围透过率，且制造温度和镀膜成本低、环境友好，其OMO复合薄膜可应用于光电器件。