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公开(公告)号：CN105068190B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510548810.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明公开了一种MEMS光开关，包括驱动模块、折叠梁、支撑梁、微反射镜、输入光纤和输出光纤，其中微反射镜位于支撑梁中间位置，支撑梁的两端设置有驱动模块，驱动模块侧面设置有折叠梁；沿支撑梁方向顺向排布的驱动模块为静电梳齿驱动结构，由可动梳齿和固定梳齿组成，微反射镜为M形，其中间部位形成尖端，通过改变输入光纤与M形微反射镜中间部位尖端的相对位置，使得来自输入光纤的输入光通过微反射镜不同位置处的反射传输至不同的输出光纤。本发明在相同驱动电压的作用下，左右两驱动端产生同向的静电力，其合力为传统单端驱动结构产生的驱动力的两倍，提高了MEMS光开关静电驱动能力，有利于降低驱动电压。
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公开(公告)号：CN105258688B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510726924.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5614 , G01C19/5621
Abstract: 本发明具有温度应力补偿和振动解耦能力的硅微谐振加速度计，包括质量块，杠杆，杠杆支撑悬臂，谐振音叉，质量块支撑臂等主要组成部分。当加速计所处环境温度发生改变时，谐振梁的长度将随之改变。杠杆支撑悬臂的热变形大小与谐振梁热应变保持匹配，使谐振梁轴向的热应力的到充分的释放，谐振音叉的谐振频率不受热应力的影响。音叉振动时，轴向产生微弱的位移牵动质量块振动，并牵连另一侧音叉形成振动耦合。两个音叉的振动频率相同时，振动频率不随载荷的变化而变化，形成灵敏度死区。这个范围的大小与振动耦合程度直接相关。所以本发明将加速度计结构整体分为对称的两部分，中间两个质量块由质量块支撑梁分别支撑，将灵敏度死区缩小到最小水平。
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公开(公告)号：CN107311103A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710509651.7
申请日：2017-06-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C3/001
Abstract: 本发明公开了一种微型石英玻璃原子气室的制造方法，包括如下步骤：将碱金属原子封装到玻璃微腔中，并充入惰性气体；制造下层封装块、中层封装块和上层封装块；组装下层封装块、中层封装块、上层封装块和玻璃微腔，并密封，形成一个密闭的腔体；以高于玻璃微腔软化点的温度加热多个密闭的腔体，直至玻璃微腔结构被破坏后，停止加热；以中层封装块为基准，切割停止加热后的多个密闭的腔体，形成微型石英玻璃原子气室。本发明通过设置玻璃微腔，确保了原子气室的纯净度，解决了传统微型原子气室制造工艺难度大且腔室纯净度差的问题；通过同步加热多个密闭腔体，实现了原子气室的量产，弥补了传统微型原子气室制造设备要求高且不易批量生产的缺陷。
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公开(公告)号：CN105253853B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510701040.3
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。
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公开(公告)号：CN105329848A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510632791.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
CPC classification number: B81C1/00539 , G01P15/0802
Abstract: 本发明MEMS三明治加速度计敏感芯片的湿法腐蚀加工方法，通过对硅晶圆上生长单层氧化层，对单层氧化膜层进行3次双面光刻腐蚀，精确控制每次腐蚀深度，将单层氧化膜层分成不同结构的3层氧化膜层。在60～80℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，第一次腐蚀硅时间为20～30分钟，腐蚀掉第1层氧化膜层；第二次腐蚀硅为150～160分钟，腐蚀掉第2层氧化膜层；第三次腐蚀在30～40℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，时间为30～40分钟，腐蚀掉第3层氧化膜层。本发明能加工出表面光滑、尺寸精度满足要求的敏感芯片，本方法的改进使敏感芯片的质量和成品率得到很大的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105258688A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510726924.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5614 , G01C19/5621
CPC classification number: G01C19/5614 , G01C19/5621
Abstract: 本发明具有温度应力补偿和振动解耦能力的硅微谐振加速度计，包括质量块，杠杆，杠杆支撑悬臂，谐振音叉，质量块支撑臂等主要组成部分。当加速计所处环境温度发生改变时，谐振梁的长度将随之改变。杠杆支撑悬臂的热变形大小与谐振梁热应变保持匹配，使谐振梁轴向的热应力的到充分的释放，谐振音叉的谐振频率不受热应力的影响。音叉振动时，轴向产生微弱的位移牵动质量块振动，并牵连另一侧音叉形成振动耦合。两个音叉的振动频率相同时，振动频率不随载荷的变化而变化，形成灵敏度死区。这个范围的大小与振动耦合程度直接相关。所以本发明将加速度计结构整体分为对称的两部分，中间两个质量块由质量块支撑梁分别支撑，将灵敏度死区缩小到最小水平。
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公开(公告)号：CN105256286A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510701368.5
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明提供一种减缓原子自旋弛豫的原子气室内壁镀膜方法，该方法首先采用将铷原子蒸汽充入原子气室内，再通过氢化物固态释气剂(如氢化钛、氢化钙等)向原子气室内释放压强为10Torr～100Torr的氢气，并在温度50℃～150℃下保持数十～数百小时，原子气室内壁会附着一层氢化铷薄膜，最后将气室内残存的氢气抽空，结束镀膜过程，本发明在上述镀膜过程中采用固态释气剂产生氢气，与传统采用高压氢气瓶作为氢源相比，提高了在原子气室内壁进行氢化铷镀膜的工艺安全性，并且氢化铷镀膜后将气室内残余氢气抽空，与将氢气直接密封在气室内相比，有利于提升原子气室性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN115078768B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210555211.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及一种具有应力释放的双质量MEMS陀螺敏感结构，采用四周支撑结构支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，可显著降低四周支撑结构内的中心敏感结构上在环境温度变化过程中所受的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。四周支撑框架可是两侧质量块运动过程中的产生弹性力相互抵消，从而极大幅度的降低了整个可动结构的支撑锚区所受弹性力，显著降低了锚区疲劳损耗，提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN113371668B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110475798.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法，所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板；MEMS加速度计芯片，固定在封装管壳基底上；应力隔离框架为倒U型盖板，倒U型盖板与封装管壳底部相粘结，跨在MEMS加速度计芯片上，所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面，实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置；MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连，所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合，实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装，还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化，提高环境适应性。
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公开(公告)号：CN113371670B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110547412.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS加速度计的多级抗过载封装结构及方法，该加速度计包括封装管壳、封装盖板、被封装MEMS加速度计芯片、被封装ASIC芯片、外止档、侧面应力缓冲层、上表面应力缓冲层；所述被封装MEMS加速度计芯片固定在封装管壳基底上；被封装MEMS加速度计芯片粘贴在封装管壳上；外止档固化在封装管壳基底上，外止档罩在被封装MEMS加速度计芯片上方，使得被封装MEMS加速度计芯片位于外止档内部，且被封装MEMS加速度计芯片和外止档之间留有抗过载间隙，用于限制被封装MEMS加速度计芯片在高过载环境下的位移改变量；被封装ASIC芯片粘结在外止档上表面；被封装MEMS加速度计芯片的侧面和上表面涂覆有柔性聚合物作为应力缓冲层，在高过载情况下，利用应力缓冲层储存和耗散能量。
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