一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构

    公开(公告)号:CN115201515A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210743282.9

    申请日:2022-06-27

    Abstract: 本发明提出一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构,实现三个轴向加速度的检测。通过结构对称性设计、检测差分设计、“工”字型弹性梁设计、交叉轴解耦设计显著降低交叉轴耦合。将检测梳齿锚区位置设计在结构轴线两侧附近,降低了温度变化过程中检测锚区在垂直于结构轴线方向上的位移,降低了环境温度变化时热应力对检测电容间隙变化的影响,提高加速度计输出特性的温度稳定性。

    一种基于时钟移相的全数字频率测量系统

    公开(公告)号:CN107228979B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201710399996.1

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 一种基于时钟移相的全数字频率测量系统,包括参考时钟模块、计数器模块、触发器模块、时分复用模块、寄存器模块、状态解码模块以及计算模块。参考时钟模块提供多路频率相同,但存在相位差的高频时钟信号,计数器模块对输入信号和一路高频时钟信号进行脉冲值计数。触发器模块、时分复用模块以及寄存器模块,用于锁定、存储在对输入信号进行计数的起始时刻、结束时刻时各路高频时钟的状态向量。状态解码模块对多路高频时钟的状态向量解码,再通过计算模块得到输入信号频率测量值。本发明避免了传统频率测量单纯追求提高时钟频率,来提高频率分辨率的技术方案,将提高时钟频率转换为存在相位差的多路时钟,实现时钟细分,提高频率测量分辨率。

    一种有冗余功能的MEMS加速度计检测模块及其制作方法

    公开(公告)号:CN113376403B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202110518255.7

    申请日:2021-05-12

    Abstract: 本发明公开了一种有冗余功能的MEMS加速度计检测模块及其制作方法,其中,该模块包括电路板、四个定位孔、金属底座、四个定位柱、三个固定块、垫片、MEMS芯片、ASIC芯片、电源管理芯片和盖板;其中,金属底座的四个角上分别设置有定位柱;电路板的四个角上开设有与每个定位柱相对应的定位孔,电路板通过定位孔套设于每个定位孔相对应的定位柱;电路板的一个对角线上设置有三个固定块;每个固定块的上表面设置有垫片,垫片的上表面设置有MEMS芯片,MEMS芯片的上表面设置有ASIC芯片;电源管理芯片设置在电路板上;盖板与金属底座的顶部相连接。本发明提高了单通道检测的可靠性,又隔离了来自金属外壳的应力,还提供了均匀的温度环境。

    一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计

    公开(公告)号:CN112578146B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202011449418.2

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种低交叉轴灵敏度的面外轴向检测MEMS电容式加速度计,涉及MEMS惯性器件领域。所述加速度计包括结构层、衬底层以及硅盖板。加速度计的敏感结构包括四组正交分布的敏感质量单元以及一个不平衡质量块。每组敏感质量单元与中心质量块通过两条连接梁相连。每个检测质量块中心包括两个锚点,每个锚点由两条弹性扭转梁连接到检测质量块。本发明的低交叉轴灵敏度的Z轴MEMS加速度计,其优点是具有大质量块的敏感结构,通过多差分质量块降低共模干扰,通过正交分布的敏感质量单元实现较低的交叉轴灵敏度。

    一种宽频带MEMS加速度计及其制备方法

    公开(公告)号:CN113702664A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202110820823.9

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 本发明涉及一种宽频带MEMS加速度计及其制备方法,该方法包括如下步骤:从系统函数波特图得出宽频加速度计需要的带宽对应的谐振频率和Q值,通过梁结构控制谐振频率,在圆片级封装键合阶段控制腔内气体压力来控制Q值。结构的加工是在SOI片上进行活动腔体的加工,再干法加工出梳齿结构,电极片采用底层连线,中间绝缘层,上层键合金属区分布。本发明可以加工出一种宽频梳齿加速度计敏感芯片,实现宽带宽加速度计的应用,本发明能确保芯片的质量和成品率。

    一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构

    公开(公告)号:CN115201515B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202210743282.9

    申请日:2022-06-27

    Abstract: 本发明提出一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构,实现三个轴向加速度的检测。通过结构对称性设计、检测差分设计、“工”字型弹性梁设计、交叉轴解耦设计显著降低交叉轴耦合。将检测梳齿锚区位置设计在结构轴线两侧附近,降低了温度变化过程中检测锚区在垂直于结构轴线方向上的位移,降低了环境温度变化时热应力对检测电容间隙变化的影响,提高加速度计输出特性的温度稳定性。

    一种MEMS传感器混合集成封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN111115552B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN201911284371.6

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器混合集成封装结构及其封装方法,包括:陶瓷管壳的内腔台阶有多个金属焊盘,底面有金属化结构;MEMS敏感结构通过粘接的方式固定在陶瓷管壳内腔底面上;PCB电路基板带有不少于一处缺口或开槽,通过标准电容作为支撑架设在MEMS敏感结构之上,电容使用导电或绝缘粘合剂粘接;金属导线穿过PCB基板的缺口或开槽将MEMS敏感结构和PCB电路基板连接;PCB电路基板通过金属导线与陶瓷管壳内腔金属焊盘相连;金属盖板通过平行封焊与陶瓷管壳侧壁相连,形成气密封装。本发明通过使用标准化管壳和PCB基板,可在较低成本下和较短时间内实现较小面积的MEMS传感器系统集成,同时具有较好的温度特性。

    一种三明治加速度计微结构制作方法

    公开(公告)号:CN111122904B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN201911330733.0

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种三明治加速度计微结构制作方法,涉及MEMS芯片制造领域,包括以下内容:上、下电极圆片采用硅衬底上薄层玻璃的晶片,首先上下电极圆片在玻璃面进行通孔光刻,再生长铬金薄膜,光刻腐蚀制造出上下电极极板,结构采用单晶硅晶片,利用湿法腐蚀工艺制作结构层,三层晶片通过阳极键合工艺键合在一起,在上极板背面生长铬金薄膜,最后切割上电极圆片露出焊盘,切割三层圆片得到三明治加速度计芯片。本方法充分利用硅玻璃键合的特点,简单易操作,对键合表面的要求低,本发明加工出的三明治加速度计近似全硅器件,热失配问题小、寄生电容小,本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。

    一种振动非敏感硅微机电陀螺

    公开(公告)号:CN110926444B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201911313234.0

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 一种振动非敏感硅微机电陀螺,包括四质量音叉微结构、控制电路、封装壳体和减振器组件;四质量音叉微结构是基于SOG工艺加工的双自由度运动的微结构,四个质量块在受力情况下沿平面内X和Y方向运动;控制电路由C/V变换电路、驱动轴自激回路、检测轴力平衡回路、MCU控制电路等组成;封装壳体将微结构和控制电路板封装在一起,并通过壳体四个安装孔形成外部机械接口;减振器组件是电路板与封装壳体之间的连接机构。本发明是一种高精度振动非敏感硅微机电陀螺,测量精度高、抗振动冲击,可广泛应用于制导炸弹、便携防空导弹、智能炮弹、无人机、导航设备等系统,用于测量载体绕固定轴相对惯性空间的的旋转角速率。

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