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公开(公告)号：CN104465485B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410730418.8
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/70
Abstract: 本发明公开了一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法，包括：在透明面板正面的四周边缘制备金属电极，所述金属电极包括行金属电极和列金属电极；将正装LED芯片直接固晶到透明面板正面的中间区域，排成阵列；通过打金线方式连接每行芯片的P电极，并与透明面板边缘的行金属电极相连；通过打金线方式连接每列芯片的N电极，与透明面板边缘的列金属电极相连；在透明面板正面进行封胶保护，形成封装胶，并在封装胶表面制作反射镜。本发明由于不需要电绝缘层，因此小间距LED全彩显示阵列的成品率增加，坏点(不亮芯片)减少；制备小间距LED全彩显示阵列的工艺步骤大大简化，提高了生产效率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104143593B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410337635.0
申请日：2014-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄；在SiC衬底表面形成一层厚导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。本发明简单可靠、易于实现，可显著提高SiC衬底LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN103887385B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410092505.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN105546366A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201511005812.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21K9/64 , F21Y115/10
CPC classification number: F21V19/001
Abstract: 本发明公开了一种光色可调的LED叠层光源模块，所述光源模块包括：多层基板，所述多层基板的每层基板中心均设有台阶形通孔，且每层基板的表面均布有电路层；多颗LED发光芯片，所述多颗LED发光芯片分别制作在每层基板的台阶形通孔内，并与相应基板表面的电路层电连接。本发明公开的光色可调的LED叠层光源模块具有光色可调，面积小，易混光，出光均匀，出光颜色多样性，使用寿命长的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103281840B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310229330.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路，包括：一交流电源；一整流桥，其输入端与交流电源连接，输出端接地；一恒流源，其一端与整流桥的另一输出端连接；至少两个以上的LED组的LED串，其LED组为串联、并联或串并联，该LED串为串联，该LED串的正极与恒流源的另一端连接；一串联的反馈电阻串，其一端与LED串的负极连接，另一端接地；多个n沟道耗尽型半导体器件，每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接，S端与LED串的负极连接，G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。
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公开(公告)号：CN102969411B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210505932.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；用激光器在台面上打通孔；在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；在衬底背面蒸度N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102891232B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210375368.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简并半导体层，形成于第二半导体层上；第二掺杂类型的第二简并半导体层，形成于第一简并半导体层上；第一电极，与第二简并半导体层电性连接。本发明通过在半导体发光器件插入正偏的隧穿pn结，大幅增强功率型半导体发光器件的电流分布均匀性，解决电流集边效益。
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公开(公告)号：CN102956774B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210436128.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。
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公开(公告)号：CN104638097A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510062353.9
申请日：2015-02-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种红光LED倒装芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：采用激光钻孔工艺在基板上得到两个通孔；步骤2：在两个通孔的侧壁制备金属，形成导电通孔；步骤3：在两个通孔上下面的周围制作金属电极，使上下面的金属电极连通；步骤4：将一红光LED垂直结构芯片固晶在基板上的一通孔上，使红光LED垂直结构芯片与通孔上的金属电极连接；步骤5：在红光LED垂直结构芯片的周围及上面制备绝缘层，并暴露出红光LED垂直结构芯片上的P电极；步骤6：在红光LED垂直结构芯片上的P电极及基板上的另一通孔上的金属电极之间制备导电电极，形成基片；步骤7：将基片进行封胶，完成制备。
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