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公开(公告)号：CN104600565A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510031845.1
申请日：2015-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。
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公开(公告)号：CN104409344A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410652670.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L21/3245
Abstract: 一种降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括如下步骤：步骤1：在p-GaN层上生长重掺杂的p-GaN薄层；步骤2：对p-GaN层和p-GaN薄层进行Mg激活退火；步骤3：在p-GaN薄层上生长重掺杂的p-InGaN薄层；步骤4：对p-InGaN薄层进行Mg激活退火，形成样品；步骤5：将样品表面进行处理，在样品表面光刻，形成图形；步骤6：在样品的表面通过电子束蒸发来蒸发Ni/Au金属层；步骤7：将多余的Ni/Au金属层剥离；步骤8：退火形成Ni/Au合金，形成欧姆接触，完成制备。本发明可以进一步提高p-GaN欧姆接触的性能，以更好的将宽禁带半导体材料应用于高频、大功率器件。
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公开(公告)号：CN104269740A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410490395.8
申请日：2014-09-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。
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公开(公告)号：CN104141171A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410337785.1
申请日：2014-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的SixNy非晶层(12)；在未被SixNy非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。
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公开(公告)号：CN101898751B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNⅢ族氮化物半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894796B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910084158.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法，包括如下步骤：步骤1：减薄，将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄；步骤2：抛光，将减薄的衬底抛光，去除减薄研磨过程中产生的机械应力；步骤3：利用激光划片技术，将激光聚焦在抛光后的衬底背面，沿横向分割道的中间，垂直于衬底背面，划一道沟槽，沟槽两边各留20μm到200μm宽度；步骤4：将激光聚焦的位置下降至沟槽底部，在已形成的沟槽处再划一次，形成解理的导向槽，并重复多次；步骤5：用裂片机将管芯沿划好的导向槽解理成条，形成具有腔面和腔长的管芯条；步骤6：沿纵向分割道的中间，划一道沟槽，并重复步骤4，用裂片机沿划好的导向槽将管芯条分割成单个管芯，完成解理。
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公开(公告)号：CN101626025B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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公开(公告)号：CN101901850A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085926.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接触层的两侧各形成一台面；一P型有源层，该P型有源层制作在I型有源层上；两N型欧姆电极，该两N型欧姆电极分别制作在N型欧姆接触层上面两侧的台面上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在P型有源层上。
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公开(公告)号：CN101814537A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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