公开(公告)号：CN114566426A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210189961.6

申请日：2022-02-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王柏斌 ,  赵德刚 ,  杨静 ,  梁锋 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种AlGaN及其生长方法，方法包括：以第一温度制备基底(1)；在基底(1)上以第二温度生长GaN层(2)；在GaN层(2)上以第三温度生长AlN插入层(3)；在AlN插入层(3)上以第四温度生长AlGaN层(4)；其中，第一温度小于第二温度，第三温度小于第二温度，第三温度小于第四温度。利用本公开的方法生长AlGaN，可以得到厚度大于1μm的AlGaN层，并有效控制其中的位错密度，避免了裂纹的产生。

公开(公告)号：CN111952365A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010822480.5

申请日：2020-08-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王柏斌 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  朱建军

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供了一种碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法，其碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；所述成核层外延生长在所述衬底上；所述缓冲层外延生长在所述成核层上；所述缓冲层的碳杂质浓度大于或等于1017cm-3；所述沟道层外延生长在所述缓冲层上；所述沟道层的碳杂质浓度小于或等于1017cm-3；所述插入层外延生长在所述沟道层上；所述势垒层外延生长在所述插入层上。本公开中高碳杂质浓度的缓冲层能够提供高电阻，能够有效抑制缓冲层漏电。

公开(公告)号：CN113488374A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110769875.8

申请日：2021-07-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王柏斌 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开实施例提供了一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件，该制备方法包括：提供衬底；在上述衬底上生长低温成核层；以及在反应室的温度处于1000℃～1100℃且上述反应室的压力处于100Torr～300Torr的情况下，在上述低温成核层上生长氮化镓层，得到氮化镓。

公开(公告)号：CN113488374B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202110769875.8

申请日：2021-07-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王柏斌 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开实施例提供了一种氮化镓的制备方法及氮化镓基器件，该制备方法包括：提供衬底；在上述衬底上生长低温成核层；以及在反应室的温度处于1000℃～1100℃且上述反应室的压力处于100Torr～300Torr的情况下，在上述低温成核层上生长氮化镓层，得到氮化镓。

公开(公告)号：CN113345797A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110601721.8

申请日：2021-05-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨静 ,  王柏斌 ,  梁锋 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了一种生长铝镓氮的方法，包括：在衬底上生长成核层；在生长成核层后的衬底上生长铝镓氮；其中，衬底为图形化蓝宝石衬底，成核层在图形化蓝宝石衬底的窗口区域进行三维生长，成核层未覆盖衬底的非窗口区域，铝镓氮在图形化蓝宝石衬底的非窗口区域以及成核层区域进行生长；本申请通过在图形化的蓝宝石衬底上低温生长成核层，控制成核层的生长区域，再生长铝镓氮，可以一次性生长较厚的铝镓氮而不出现裂纹，相较于现有技术来说，工序简单，生产效率高，同时，成本较低。