公开(公告)号：CN104141171B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410337785.1

申请日：2014-07-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵丹梅 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/16 ,  C30B25/22

Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的SixNy非晶层(12)；在未被SixNy非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。

公开(公告)号：CN104141171A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410337785.1

申请日：2014-07-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵丹梅 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/16 ,  C30B25/22

Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的SixNy非晶层(12)；在未被SixNy非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。