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公开(公告)号：CN101769941B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010101896.4
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
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公开(公告)号：CN102226724A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110071088.2
申请日：2011-03-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种内置电源转换电路的LED照明灯具芯片结温的检测方法，本检测方法根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律和在开启灯具电源后封装在灯具内芯片升温规律来确定LED灯具中LED芯片结温。本发明给出了具体的测量过程和测量效果。本发明方法的优点是可以直接对市场上LED产品进行检测，这类产品往往都是有内置电源转换电路的，这类电路使得常规方法需要把脉冲电源加载到灯具上的要求不能被满足。本发明就是解决了其他测量方法中需要使用特定的外部驱动电源从而与灯具内置电源转换电路相互不匹配的困难，实现了可以对市场上LED灯具产品在无需作任何变动条件下直接检测的手段。
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公开(公告)号：CN102185025A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110082811.7
申请日：2011-04-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
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公开(公告)号：CN101551294B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910050313.7
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN101333686B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810041160.5
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B31/22 , H01L21/265
Abstract: 本发明专利公开了一种氧化锌基体中定向排列的金属纳米锌的制备方法，它提供了在氧化锌单晶晶片或薄膜材料中离子注入过渡族金属离子(III B-VIIB族金属)，制备完全定向排列(相对于ZnO基体)的金属纳米锌的方法，具体给出了相应的工艺过程和具体参数，以及采用该方法所获得的定向排列金属纳米锌的结果。本专利提出的途径能高效，简单可控的在氧化锌材料中制备完全定向排列的金属纳米锌，且纳米锌都是单晶的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100580959C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810035501.8
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/052 , H01L31/0376 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是：拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收；其次，薄膜电池采用非晶材料，制备工艺简单，造价低廉，同时不受衬底生长条件的限制，可以选择价格低廉的衬底，能够降低电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN100580923C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710171905.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种多重光散射耦合的量子阱红外探测器，该探测器由衬底层，依次逐层生长的下电极层、50个周期的多量子阱层、上电极层，在上电极层上有一浸没在有机粘胶剂中的金属小球或表面镀有金属的小球所形成的列阵层，列阵层上有一金属接触层，金属接触层上有一通过倒装焊接互连的读出电路，实现探测信号的读出。本发明的优点是：1.金属小球列阵取代了传统的光栅，通过金属小球之间的多重光散射产生能够被量子阱子带跃迁吸收的电矢量，该电矢量平行于量子阱层的分量，完成正入射光对量子阱的耦合。2.由金属小球列阵替代了传统的倒焊互连的铟柱，形成各向异性导电层，完成导电功能。由于以上特点，一方面能够提高正入射光的耦合效率，另一方面省去了铟柱的生长，简化了倒焊工艺。
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公开(公告)号：CN101614592A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055335.2
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种检测LED照明灯具中芯片结温的方法。本发明是根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律来确定LED灯具中LED芯片结温，包括三个步骤：①通很低占空比的脉冲电压，直接获得LED芯片在此温度下的发光峰位；②正常工作条件下，测量LED灯具发光峰位，对比从中得出发光峰位的漂移量即两者之差，利用波长的漂移量定出两者的温度差异；③由于①是在很低脉冲电压下测量，温度就等于室温，室温加上两者的温度差异判断在此条件下LED灯具中LED芯片的温度。本发明可在±0.6度的误差范围内表征在不同条件下LED照明灯具中LED芯片的实际温度，有利于LED灯具的性能表征和优化研究。
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公开(公告)号：CN100559168C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200810035500.3
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光，而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
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公开(公告)号：CN100541832C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710171387.7
申请日：2007-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
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