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公开(公告)号:CN100559168C
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200810035500.3
申请日:2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱;从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发,计算半导体多量子点的PL谱;而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布,其中,PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光,而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便,耗时短;可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
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公开(公告)号:CN101251485A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200810035500.3
申请日:2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱;从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发,计算半导体多量子点的PL谱;而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布,其中,PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光,而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便,耗时短;可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
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