单晶X射线结构解析装置和单晶X射线结构解析方法

    公开(公告)号:CN119534500A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411749527.4

    申请日:2019-11-21

    Inventor: 佐藤孝

    Abstract: 提供一种迅速地进行基于细孔性络合物结晶(晶体海绵)的单晶X射线结构解析、使得包括关联信息的管理在内容易的用户友好的单晶X射线结构解析装置和方法。单晶X射线结构解析装置具备:试样保持架,包括能够在形成于内部的多个微细孔吸藏试样的细孔性络合物结晶;测角仪,安装并转动试样保持架;X射线照射部,对安装于测角仪的试样保持架中所保持的试样照射来自所述X射线源的X射线;X射线检测测定部,检测通过试样衍射或者散射的X射线来进行测定;以及结构解析部,基于由X射线检测测定部测定出的衍射或者散射X射线来进行试样的结构解析,结构解析部基于使细孔性络合物结晶吸藏试样的工序中的吸藏结果,进行试样的结构解析。

    处理装置、系统、X射线测定方法以及记录介质

    公开(公告)号:CN112711058B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202011128545.2

    申请日:2020-10-20

    Abstract: 本发明提供处理装置、系统、X射线测定方法以及记录介质,对用现有的方法不能覆盖的高的计数率也能削减计数遗漏的影响。具备:存储部(220),其通过光子计数型的半导体检测器对入射X射线的脉冲信号进行计数,并存储读出的输出值;和算出部(230),其基于读出输出值来算出计数值,算出部(230)使用相对于针对曝光的脉冲检测率的增加而脉冲信号的表观的时间常数单调减少的模型。在这样的模型中,不管多高的计数率都能得到对应的表观的时间常数。其结果,对用现有的方法不能覆盖的高的计数率也能削减计数遗漏的影响。

    半导体检查装置、半导体检查系统以及半导体检查方法

    公开(公告)号:CN119096138A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202380035692.0

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 提供一种半导体检查装置、半导体检查系统以及半导体检查方法,通过以能够收纳到实验室内的大小且以足够的强度得到放大像,能够按每个局部对半导体内部的微细结构进行检查。一种使用了放大的X射线像的半导体检查装置,具备:X射线照射部,其由微焦点且高输出的X射线源(120)和将放射出的X射线朝向半导体的试样进行聚光照射的会聚镜(130)构成;试样保持部,其对试样进行保持;反射镜型X射线透镜部(150),其对透射过试样的X射线进行成像;以及摄像部(190),其取得所成像的X射线像,构成会聚镜(130)和反射镜型X射线透镜部(150)的各镜具有形成有对于特定波长的X射线具有高反射率的多层膜的反射面。

    样品池及荧光X射线分析方法
    74.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119072626A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202480001941.9

    申请日:2024-03-05

    Abstract: 本发明提供一种即使在样品具有受热挥发的性质的情况下,也能够准确地对样品的表面照射X射线的样品池及荧光X射线分析方法。一种用于荧光X射线分析装置的样品池,具有:配置在初级X射线的照射一侧的第一树脂膜、隔着样品而与所述第一树脂膜对置配置的第二树脂膜以及保持所述样品与所述第一树脂膜之间的位置关系的保持部件,所述第一树脂膜与所述第二树脂膜的在配置有所述样品的区域的周围的至少一部分被粘接。

    制作荧光X射线分析装置用玻璃珠的方法

    公开(公告)号:CN114166879B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202110952996.6

    申请日:2021-08-19

    Inventor: 井上稔

    Abstract: 本发明提供一种制作荧光X射线分析装置用玻璃珠的方法。在本发明中,使用硼酸锂系助熔剂来制作经时劣化小的玻璃珠。在该制作荧光X射线分析装置用玻璃珠的方法中,将测定对象的材料与碱土类金属的氧化物一起熔解于硼酸锂系助熔剂来制作玻璃珠。

    混合物的衍射图案分析装置、方法以及信息存储介质

    公开(公告)号:CN116698892A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310190251.X

    申请日:2023-03-02

    Inventor: 虎谷秀穗

    Abstract: 提供一种混合物的衍射图案分析装置,即使在仅一部分成分的衍射图案是已知的情况下,也能够算出这些成分的衍射图案的强度比。混合物的衍射图案分析装置使用包含与表示目标成分并且能根据形状参数进行形状变更的已知的目标图案相关的项、以及与表示剩余组的未知图案相关的项的拟合图案。在对所述形状参数赋予给定的值并且将所述未知图案设定为初始图案的状态下,使所述拟合图案与所述观测图案拟合。之后,通过变更所述未知图案,来使所述拟合图案与所述观测图案拟合。使用多个所述形状参数执行上述拟合,选择与任意一个形状参数相关的计算结果。

    检测器
    78.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109891589B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN201780066527.6

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明提供一种检测器,能够通过计数电路的设计在相邻的读出芯片的边缘附近确保像素配置的空间。检测器是检测放射线的二维混合像素阵列型的检测器,具备:检测部,通过各像素(115)对入射到区域内的放射线进行检测;以及多个读出芯片(120),包含与每个像素(115)连接的计数电路(121),沿着检测面上的固定方向,计数电路(121)的设定间距比像素(115)的设定间距小,像素和与像素对应的计数电路彼此所占据的区域至少部分地重叠,在重叠的区域内进行连接。

    X射线分析装置及其光轴调整方法

    公开(公告)号:CN110726742B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201910510399.0

    申请日:2019-06-13

    Abstract: 本发明提供一种X射线分析装置及其光轴的调整方法,能够每当进行使用分析器的测量时不进行光轴调整,缩短测量时间、降低测量成本。X射线分析装置包括:样品台,用于支持样品;N维检测器(N是整数1或2);以及分析器,包括1或多个分析器晶体,所述N维检测器的检测面具有第一检测区域和与所述第一检测区域分离配置并且与所述第一检测区域区分检测的第二检测区域,所述样品产生的衍射X射线所行进的多条光路包括直接到达所述第一检测区域的第一光路和经由所述1或多个分析器晶体而到达的第二光路,所述N维检测器根据所述第一检测区域的X射线检测进行所述第一光路的测量,根据所述第二检测区域的X射线检测进行所述第二光路的测量。

    校正装置、校正系统、校正方法以及记录介质

    公开(公告)号:CN115880386A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211203256.3

    申请日:2022-09-29

    Inventor: 太田卓见

    Abstract: 提供能够降低用于对CT图像的重构中的由运动引起的伪像进行校正的成本的校正装置、校正系统、校正方法以及记录介质。一种校正装置,对CT图像测定中的由运动引起的伪像进行校正,具备:投影像取得部,其取得360°扫描的投影像;运动量算出部,其设定包含参数的运动模型,使用所述参数算出运动量;相对运动量算出部,其从所述投影像的某个投影数据及其对向数据算出所述投影数据的相对运动量;固定点方程式创建部,其创建包含所述运动量和所述相对运动量的固定点方程式;运动推定部,其通过自洽地求解所述固定点方程式来决定所述运动模型的所述参数;以及校正部,其使用所述运动量对所述投影像进行校正。

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