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公开(公告)号：CN108599767A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810384943.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明请求保护一种符号变步长LMS算法(SVSS-LMS)及系统。通过判断输入瞬时误差的正偏离或负偏离，在每次步长迭代时，由一个正的固定常数值递增或者递减进行修改。其具有校准精度高，收敛速度快等优点，在传统的LMS算法的基础上，引入符号函数sign更新步长因子μ(n)，达到控制步长目的。步长因子μ(n)的大小可根据误差收敛的速度快慢进行动态调整。从而更快的通过误差进行更新权值，更新后的权值反馈到自适应滤波器中，提高流水线ADC输出的精度，使待校准的流水线的输出逐渐逼近低速但高精度ADC的输出。
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公开(公告)号：CN108346711A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810129982.2
申请日：2018-02-08
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器及其制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN104104337B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410321780.X
申请日：2014-07-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开一种宽带CMOS LNA电路的噪声消除装置和方法，该装置包括一个输入级电路和两个放大器，第一放大器检测到出现在LNA输入端的噪声电压A，第一放大器将噪声电压A转化成噪声电流，输出到第二放大器的输出端，第二放大器检测到出现在输入级电路NMOS管的漏极的噪声电压B，第二放大器将其转化成噪声电流输出到LNA的输出端，选择第一放大器跨导是第二放大器跨导的函数，使得第一放大器噪声电流和第二放大器噪声电流到达LNA输出端时大小相等符号相反。两个放大器选取合适的跨导就可以让噪声电流相加后输出为零，实现噪声相消。本发明直接利用噪声在电路中的转移规律进行自相抵消，不需要加入其他额外的反馈网络器件。
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公开(公告)号：CN103956978B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410200526.4
申请日：2014-05-13
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明提供一种超宽带低噪声放大器设计方法，属于射频与微波集成电路领域。该设计方法包括：输入超宽带CMOS LNA设计指标，建立通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA结构，基于线性功率限制最佳噪声系数的矢量空间算法计算CMOS LNA电路输入品质因素Qs和驱动电压Vod；调用Cadence软件对电路进行仿真和参数微调，从而实现整个宽带CMOS LNA电路器件参数的预估，为后续仿真和参数微调提供初始输入。本发明使得超宽带CMOS LNA的设计，变得更加自动化和智能化，打破了传统RFIC设计的复杂过程，提供了较为便利的设计方法。
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公开(公告)号：CN104104337A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410321780.X
申请日：2014-07-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开一种宽带CMOSLNA电路的噪声消除装置和方法，该装置包括一个输入级电路和两个放大器，第一放大器检测到出现在LNA输入端的噪声电压A，第一放大器将噪声电压A转化成噪声电流，输出到第二放大器的输出端，第二放大器检测到出现在输入级电路NMOS管的漏极的噪声电压B，第二放大器将其转化成噪声电流输出到LNA的输出端，选择第一放大器跨导是第二放大器跨导的函数，使得第一放大器噪声电流和第二放大器噪声电流到达LNA输出端时大小相等符号相反。两个放大器选取合适的跨导就可以让噪声电流相加后输出为零，实现噪声相消。本发明直接利用噪声在电路中的转移规律进行自相抵消，不需要加入其他额外的反馈网络器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103956978A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410200526.4
申请日：2014-05-13
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明提供一种超宽带低噪声放大器设计方法，属于射频与微波集成电路领域。该设计方法包括：输入超宽带CMOS LNA设计指标，建立通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA结构，基于线性功率限制最佳噪声系数的矢量空间算法计算CMOS LNA电路输入品质因素Qs和驱动电压Vod；调用Cadence软件对电路进行仿真和参数微调，从而实现整个宽带CMOS LNA电路器件参数的预估，为后续仿真和参数微调提供初始输入。本发明使得超宽带CMOS LNA的设计，变得更加自动化和智能化，打破了传统RFIC设计的复杂过程，提供了较为便利的设计方法。
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公开(公告)号：CN102169104A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010600096.7
申请日：2010-12-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N27/414 , F01N11/00
CPC classification number: Y02T10/47
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求。在MOSFET结构中，在原有的栅氧层上在生长一层氧敏薄膜材料(如YSZ)，金属栅电极采用金属Pt，该MOSFET型氧敏传感器的沟道可以是表面沟道也可以是埋型沟道。在该传感器中，氧浓度的变化可转变为栅氧层单位面积电容的变化，从而导致阈值电压的变化。同时，本发明还给出该SiCMOSFET型氧敏传感器的制作方法。
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公开(公告)号：CN101619984A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910104460.8
申请日：2009-07-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于颜色路标的移动机器人视觉导航方法，涉及智能控制领域。本发明设计了带有两个不同颜色环的圆柱体作为机器人视觉导航的路标，在HSI(HSI：Hue，Saturation，Intensity，色调，饱和度，亮度)颜色空间下，以H为主阈值，I为辅助阈值的阈值分割法和基于S分量边缘点数量统计的分割法相结合，有效地实现了彩色路标的分割；通过色环的图像信息，实现了机器人对路标的识别和对准技术。引入改进的灰度相关匹配法，优化了两色环中心垂直距离值。通过建立机器人坐标系和路标的成像模型，得到了路标的全局坐标，并最终引入粒子群算法对其优化。建立数学模型，完成了基于路标的机器人视觉重定位。
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公开(公告)号：CN115913201B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211428170.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K17/687 , H03M1/06 , H03M1/12
Abstract: 本发明请求保护一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，属于模拟集成电路设计技术领域。为了防止PMOS管源极—衬底正向偏置，将其衬底端和源极相连，但是会增加N阱寄生电容Cnwell对电路采样造成影响。利用第一电容C1与PMOS管M10和第二电容C2和PMOS管M11分别组合成两条主路径，第三电容C3和PMOS管M12组合成辅助路径。PMOS管M10的衬底和PMOS管M7的衬底以及PMOS管M11的衬底和PMOS管M6的衬底都与PMOS管M12的衬底相连，输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端的时候不仅可以加快栅端电压的建立，还能省去Cnwell加载这一环节，而用剩下的辅助路径去驱动Cnwell，从而提高电路整体信号的线性度。
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公开(公告)号：CN115378231B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210961176.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于零电流检测的DC‑DC变换器调制模式切换电路，属于集成电路技术领域。包括CCM/DCM判断电路、PWM/PFM选择电路和功率管开关。其中CCM/DCM判断电路用于判断DC‑DC变换器工作模式，判断DC‑DC变换器是工作在DCM模式还是CCM模式。PWM/PFM调制电路用于产生PWM调制信号和PFM调制信号，分别用于DC‑DC的CCM工作模式和DCM工作模式。功率开关管有一组大尺寸功率开关管MH1和ML1，一组小尺寸功率开关管MH和ML，小尺寸功率开关主要用在DCM模式来减小开关损耗。PWM/PFM选择电路根据CCM/DCM判断电路产生的判断信号VCTL来进行PWM调制模式和PFM调制模式的选择，并且对功率开关管尺寸进行选择。
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