公开(公告)号：CN111129203A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911301972.3

申请日：2019-12-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  曾虹谙 ,  毛鼎昌 ,  周怡 ,  王方 ,  王冠宇 ,  冯世娟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明请求保护一种高带宽CMOS APD器件，常规的CMOS APD结构未考虑除耗尽层以外的带宽改善方法，其仅考虑缩小耗尽层横纵宽度来减少少数载流子渡越时间。为进一步提高CMOS APD的带宽，故通过调节电极距离光照区N+层的边界的长度L和电极面积来提高，其还包括在雪崩倍增的情况下，对于P+/N阱型CMOS APD，通过调节在N+上的阴极电极距边界距离L和电极尺寸分别减少空穴横向载流子渡越距离进而提高载流子渡越时间；对于P+/N阱型CMOS APD，通过调节在P+上的阳极电极距边界距离L和电极尺寸分别减少空穴横向电子载流子渡越距离进而提高载流子渡越时间提高带宽。该改进技术从电极距离以及电极面积尺寸两方面进行改进，降低载流子，提高其带宽。

公开(公告)号：CN102075158A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010616525.X

申请日：2010-12-29

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  彭能 ,  罗元 ,  韩冰 ,  熊媛 ,  王颖 ,  王岳生 ,  冯世娟

IPC: H03H7/12

Abstract: 本发明公开了一种通用的超宽带射频电路阻抗匹配网络的设计方法，在射频电路的射频输入端或是射频输出端外加一个宽带匹配网络，该宽带匹配网络可采用T型匹配网络、π型匹配网络或是混合型匹配网络中的一种，匹配网络中的元件可以是电感或是电容，将所设计的射频电路的输入反射系数S11或是输出反射系数S22在史密斯圆图中表示出来，通过匹配网络中串联或是并联电感或是电容，使得S11或是S22曲线在史密斯圆图内改变，最终使得这两段曲线全部落在-10dB阻抗匹配圆内，从而使得该射频电路在超宽带频带内实现阻抗匹配。采用该方法可以方便设计出最优的超宽带匹配网络，以低噪声放大器(LNA)为例，针对任意给定的LNA结构，通过在输入输出匹配网络中插入一个或若干个电感或电容，即可得到优化的匹配网络。在匹配网络设计过程中，通过调整元件连接方式和大小来调整反射系数曲线在史密斯圆图的位置使其能够在整个设计频段范围内移动到-10dB等反射系数圆内，达到在较宽频带范围内完成良好阻抗匹配的目的。

公开(公告)号：CN103092074B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210591451.8

申请日：2012-12-30

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  安友伟 ,  杨铿 ,  冯世娟 ,  王振 ,  徐华

IPC: G05B13/04

Abstract: 本发明公开了一个半导体先进过程控制（APC）的参数优化控制方法。在半导体工艺过程中，针对间歇过程的优化控制方法，传统方法一般采用线性预测模型。本发明采用基于遗传算法优化的BP神经网络预测模型，通过遗传算法对神经网络的初始权值和阈值进行优化，根据每个染色体所对应的适应度函数F，采用选择操作、概率交叉和变异操作等，并输出最优解，由此确定BP神经网络的最优初始权值和阈值，利用附加动量方法和变学习率学习算法提高BP神经网络的性能，使其经过训练后能很好的预测非线性模型。该方法中遗传算法具有很好的全局搜索能力，容易等到全局最优解，或性能很好的次优解，这对于提高神经网络的建模能力，有很好的促进作用。

公开(公告)号：CN103092074A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210591451.8

申请日：2012-12-30

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  安友伟 ,  杨铿 ,  冯世娟 ,  王振 ,  徐华

IPC: G05B13/04

Abstract: 本发明公开了一个半导体先进过程控制（APC）的参数优化控制方法。在半导体工艺过程中，针对间歇过程的优化控制方法，传统方法一般采用线性预测模型。本发明采用基于遗传算法优化的BP神经网络预测模型，通过遗传算法对神经网络的初始权值和阈值进行优化，根据每个染色体所对应的适应度函数F，采用选择操作、概率交叉和变异操作等，并输出最优解，由此确定BP神经网络的最优初始权值和阈值，利用附加动量方法和变学习率学习算法提高BP神经网络的性能，使其经过训练后能很好的预测非线性模型。该方法中遗传算法具有很好的全局搜索能力，容易等到全局最优解，或性能很好的次优解，这对于提高神经网络的建模能力，有很好的促进作用。

公开(公告)号：CN103956978B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410200526.4

申请日：2014-05-13

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  钟武 ,  徐巍 ,  梁耀 ,  赵辰 ,  冯世娟 ,  袁军

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明提供一种超宽带低噪声放大器设计方法，属于射频与微波集成电路领域。该设计方法包括：输入超宽带CMOS LNA设计指标，建立通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA结构，基于线性功率限制最佳噪声系数的矢量空间算法计算CMOS LNA电路输入品质因素Qs和驱动电压Vod；调用Cadence软件对电路进行仿真和参数微调，从而实现整个宽带CMOS LNA电路器件参数的预估，为后续仿真和参数微调提供初始输入。本发明使得超宽带CMOS LNA的设计，变得更加自动化和智能化，打破了传统RFIC设计的复杂过程，提供了较为便利的设计方法。

公开(公告)号：CN103956978A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410200526.4

申请日：2014-05-13

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  钟武 ,  徐巍 ,  梁耀 ,  赵辰 ,  冯世娟 ,  袁军

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明提供一种超宽带低噪声放大器设计方法，属于射频与微波集成电路领域。该设计方法包括：输入超宽带CMOS LNA设计指标，建立通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA结构，基于线性功率限制最佳噪声系数的矢量空间算法计算CMOS LNA电路输入品质因素Qs和驱动电压Vod；调用Cadence软件对电路进行仿真和参数微调，从而实现整个宽带CMOS LNA电路器件参数的预估，为后续仿真和参数微调提供初始输入。本发明使得超宽带CMOS LNA的设计，变得更加自动化和智能化，打破了传统RFIC设计的复杂过程，提供了较为便利的设计方法。

公开(公告)号：CN102169104A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010600096.7

申请日：2010-12-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  彭能 ,  罗元 ,  王晓磊 ,  代作海 ,  唐政维 ,  冯世娟 ,  李银国 ,  徐洋

IPC: G01N27/414 ,  F01N11/00

CPC classification number: Y02T10/47

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求。在MOSFET结构中，在原有的栅氧层上在生长一层氧敏薄膜材料(如YSZ)，金属栅电极采用金属Pt，该MOSFET型氧敏传感器的沟道可以是表面沟道也可以是埋型沟道。在该传感器中，氧浓度的变化可转变为栅氧层单位面积电容的变化，从而导致阈值电压的变化。同时，本发明还给出该SiCMOSFET型氧敏传感器的制作方法。