公开(公告)号：CN101539961A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910103705.5

申请日：2009-04-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  李文宬 ,  罗元 ,  陈丹 ,  蔡雪梅 ,  李凯 ,  曾勇 ,  彭能

IPC: G06F17/50 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明公开了一个基于遗传算法的双频段Wilkinson功率分配器优化设计方法，涉及移动通信专用器件设计。针对工作于两个任意频率的双频等分Wilkinson功率分配器，传统数值计算方法在运用传输线理论进行结构参数计算时，需要求解超越方程，并且不能保证功分器的多个结构参数同时达到最佳值。本发明采用遗传算法，加入了最优保持操作、自适应概率的交叉和变异操作等，根据每个染色体所对应的适应度函数F，判断适应度值F是否收敛，输出最优解，由此确定功分器的最优电子参数。该方法只需要影响搜索方向的目标函数和相应的适应度，大大简化了运算量，能容易得到功率分配器最佳的物理参数。

公开(公告)号：CN102169104A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010600096.7

申请日：2010-12-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  彭能 ,  罗元 ,  王晓磊 ,  代作海 ,  唐政维 ,  冯世娟 ,  李银国 ,  徐洋

IPC: G01N27/414 ,  F01N11/00

CPC classification number: Y02T10/47

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求。在MOSFET结构中，在原有的栅氧层上在生长一层氧敏薄膜材料(如YSZ)，金属栅电极采用金属Pt，该MOSFET型氧敏传感器的沟道可以是表面沟道也可以是埋型沟道。在该传感器中，氧浓度的变化可转变为栅氧层单位面积电容的变化，从而导致阈值电压的变化。同时，本发明还给出该SiCMOSFET型氧敏传感器的制作方法。

公开(公告)号：CN102075158A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010616525.X

申请日：2010-12-29

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  彭能 ,  罗元 ,  韩冰 ,  熊媛 ,  王颖 ,  王岳生 ,  冯世娟

IPC: H03H7/12

Abstract: 本发明公开了一种通用的超宽带射频电路阻抗匹配网络的设计方法，在射频电路的射频输入端或是射频输出端外加一个宽带匹配网络，该宽带匹配网络可采用T型匹配网络、π型匹配网络或是混合型匹配网络中的一种，匹配网络中的元件可以是电感或是电容，将所设计的射频电路的输入反射系数S11或是输出反射系数S22在史密斯圆图中表示出来，通过匹配网络中串联或是并联电感或是电容，使得S11或是S22曲线在史密斯圆图内改变，最终使得这两段曲线全部落在-10dB阻抗匹配圆内，从而使得该射频电路在超宽带频带内实现阻抗匹配。采用该方法可以方便设计出最优的超宽带匹配网络，以低噪声放大器(LNA)为例，针对任意给定的LNA结构，通过在输入输出匹配网络中插入一个或若干个电感或电容，即可得到优化的匹配网络。在匹配网络设计过程中，通过调整元件连接方式和大小来调整反射系数曲线在史密斯圆图的位置使其能够在整个设计频段范围内移动到-10dB等反射系数圆内，达到在较宽频带范围内完成良好阻抗匹配的目的。