一种规模化微波制备的碳化硅及其制备方法

    公开(公告)号:CN116789136A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310054850.9

    申请日:2023-02-03

    Abstract: 本发明属于SiC材料技术领域,具体涉及一种规模化微波制备的碳化硅及其制备方法。制备方法包括以下步骤:以碳源和硅源为制备原料,球磨制成前驱体;将前驱体预压制成胚体,胚体埋入石英砂中,于850~950℃下微波烧结得到碳化硅。本发明提供了一种微波规模化制备水泥熟料的方法,微波烧结烧结时间短,同时在封闭的腔体内烧结,使得反应产生的气体无法排除,进一步加剧了升温现象,反应生成的碳化硅沉积在前驱体所在的区域,新形成的碳化硅颗粒吸收微波形成新的热源,使反应更加充分,提高了合成效率,可以应用于工业化大规模生产,有广阔的应用前景。

    一种多孔结构Ni/NiO-C复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110577820B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN201910680824.0

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明属于电磁波吸收材料技术领域,公开一种多孔结构Ni/NiO‑C复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料由碳球及附着在其表面的Ni/NiO复合颗粒组成,而且碳球表面分布有微孔,Ni/NiO复合颗粒为花状构型。制备方法:将葡萄糖、水溶性镍盐、尿素加入水中,搅拌均匀;将所得溶液控温在170~190℃静置水热反应15~18 h;水热反应结束后,取出其中的沉淀物,清洗、干燥,获得前驱体;在惰性或保护气氛下,将前驱体控温在400~800℃煅烧2~3 h,所得煅烧产物即为多孔结构Ni/NiO‑C复合材料。制备的Ni/NiO‑C复合材料具有更好的电磁波吸收特性,可作为电磁波吸收材料广泛应用于相应的电磁防护以及微波隐身领域。

    一种硅酸三钙粉体的制备方法
    67.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115092940A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210780727.0

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明属于水泥基建材料技术领域,公开一种硅酸三钙粉体的制备方法,包括以下步骤:以CaCO3粉体、SiO2粉体为制备原料,经混合处理,获得组分均匀的混合粉体;将获得的混合粉体预压制坯,获得坯料;将获得的坯料于1200~1500℃的温度下烧结处理0.5~1.5h,即获得硅酸三钙;所述烧结处理采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结。本发明采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结制备硅酸三钙,利用微波和微波耦合外热源的共同作用可实现坯体内外的快速烧结,混合加热机制在低温下使样品更容易加热,而在高温下可保证样品稳定加热,有效的降低了硅酸三钙的合成时间与合成温度,提高了合成纯度与效率。

    一种纯铜、铜合金及铜基复合材料的烧结制备方法

    公开(公告)号:CN111957971B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202010964465.4

    申请日:2020-09-15

    Abstract: 本发明属于金属材料和复合材料技术领域,公开一种纯铜、铜合金及铜基复合材料的烧结制备方法。将纯铜、铜合金或铜基复合材料粉末装入石墨模具中放入振荡烧结炉中,在真空或惰性气体条件下进行振荡烧结:烧结温度500~850℃、烧结保温时间10~180 min、振荡压力的平均值10~150 MPa、振荡压力的振荡幅度5~80 MPa、振荡频率2~100 Hz。本发明方法所采用的烧结温度比传统热压烧结和无压烧结低100~500℃,烧结温度低,所以制备过程消耗能量少;本发明所制备材料的致密度高,减少或无需后续致密化处理,缩短了工艺流程,提高了生产效率;本发明所制备材料的强度提高10%左右,导电性和导热性提高10%左右。

    一种Cu/SiO2-Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113930634B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202111108563.9

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域,公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法,所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物,制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶,随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉,混合均匀后将其于800~950℃温度下进行热压烧结,即获得金属基复合材料;其中,所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01~0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相,通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角,改善界面结合状态、力学性能及电学性能;且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa;0~200℃电导率不随测试温度改变而变化,200~400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加,400~900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。

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