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公开(公告)号：CN118315818A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311542041.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钒在同一频点可切换多功能超表面器件，器件一共由五层结构组成：顶层为二氧化钒外框、金开口圆环和填充开口圆环的二氧化钒圆弧，第二层为聚酰亚胺介质层、第三层为二氧化钒薄膜、第四层为聚酰亚胺介质层、第五层为与顶层金开口圆环完全相同方向沿轴心旋转180°的金圆环。超表面功能的切换可以通过改变温度导致二氧化钒电导率的改变来实现。二氧化钒处于金属态时，超表面表现双频吸波功能；二氧化钒处于介质态时，超表面表现出极化转化聚焦透镜功能。为波前调控、聚焦透镜和隐身等功能的器件设计提出了新思路。
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公开(公告)号：CN111147131B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202010079793.6
申请日：2020-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/03 , H04B10/075 , G06F15/173 , G06F15/78
Abstract: 本发明涉及一种光路由器的故障模拟装置，解决的是不能模拟故障的技术问题，通过采用包括n个相互连接的微环谐振器故障模拟子单元，故障模拟子单元的输入接口模拟光路由器信号输入端口，故障模拟子单元的输出接口模拟光路由器信号输出端口；所述故障模拟子单元为多路选择器，多路选择器用于模拟微环谐振器的谐振状态正常态和故障态的技术方案，较好的解决了该问题，可用于光路由器故障模拟器中。
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公开(公告)号：CN117830452A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410015027.1
申请日：2024-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06T11/00 , G06F13/42 , A61B5/0536
Abstract: 本发明提供一种基于STM32的高速电阻抗成像数据采集装置及分析方法。该装置采用STM32F4系列的DCMI外设(并行接口)匹配AD9224的工作时序，读取测量信号经过A/D转换后的数据，并通过DMA直接写入内存(片内SRAM)，然后在MCU中进行数字解调，并将解调后的结果通过USB传输至PC端进行图像重建。本装置解决了MCU在电阻抗成像硬件系统中进行高频数据采集时所面临的传输速率不足的问题，并且有效降低了设计成本。
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公开(公告)号：CN113657532B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110974305.2
申请日：2021-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/084 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开一种电机磁瓦缺陷分类方法，首先，输入端图像通过UPM模块进行定位，通过下采样块提取图像特征，再通过上采样重构图像，生成可能存在缺陷的区域的图像，然后对重构出来的缺陷图像通过堆叠，生成包括缺陷轮廓、缺陷邻域图像和原图像的多通道特征张量。然后，将该特征张量送入DenseNet121‑B分类网络，通过四层数量不等的卷积块进行特征提取，并通过转换层对通道进行挤压激励，强迫模型提取缺陷特征，最终通过Softmax层对前向传播特征进行激活，得到预测类别概率，进而完成缺陷分类。本发明具有更强的分类能力和鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109283155B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201811342603.4
申请日：2018-11-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/45
Abstract: 本发明提出一种太赫兹波段超材料传感器，该传感器包括介质层和附着在所述介质层上的亚波长金属谐振环阵列；其中，所述亚波长金属谐振环阵列包含至少4个谐振环单元，每个所述谐振环单元均包括一四边开口的方形开口谐振环和置于所述方形开口谐振环内的方形谐振环；所述方形开口谐振环与所述方形谐振环均可在太赫兹波激励下实现谐振。本发明所述的太赫兹波段超材料传感器基本谐振环单元结构中的方形开口谐振环和方形谐振环采用嵌套设计，结构简单、性能优越，便于批量制造并且实验结束后方便清洗，满足传感器设计过程中对性价比的需求。
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公开(公告)号：CN117335159A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311503168.X
申请日：2023-11-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料器件技术领域，具体涉及一种基于二氧化钒的焦点可切换超透镜太赫兹器件，包括多个单元结构，每个单元结构从下到上由金属底层、介质层和谐振方环层共三层组成，其中谐振方环层有两个开口方环，内环是由金与二氧化钒复合而成，外环由二氧化钒构成。超表面在将入射的x极化波转换为y极化波的同时实现了波束聚焦。通过温度改变二氧化钒的电导率，当二氧化钒处于绝缘态时，波束聚焦于L=1914 um处；在二氧化钒处于金属态时，波束聚焦于L=982 um处，与预设焦距接近。本发明在不改变结构参数下，实现了焦点切换，解决了传统金属透镜功能单一的问题，使其具有普遍性和灵活性。
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公开(公告)号：CN117130973A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311298517.9
申请日：2023-10-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA Serdes接口的高速数据传输架构，架构包括用户接口模块、FPGA Serdes接口模块、接收链路模块和发送链路模块，其中发送链路模块用于控制发送链路状态，读取用户接口模块数据，然后将用户数据进行组帧和编码，最后通过FPGA Serdes接口模块并串转化后发送，接收链路模块用于控制接收链路状态，接收FPGA Serdes接口模块串并转换后数据，然后对接收数据进行边界锁定和解码，最后把解码后数据传输至用户接口模块进行过滤缓存；本发明通过自定义的高速链路传输协议实现，不对用户数据增加额外的比特位，架构除了由FPGA Serdes接口提供底层硬件外，均由FPGA逻辑实现，用户接口逻辑为自定义的类FIFO接口，具有使用灵活、传输效率高、适配性强的特点。
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公开(公告)号：CN116565573A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310753494.X
申请日：2023-06-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于VO2幅度可调谐的超材料结构及其应用，属于可调谐超材料应用技术领域，超材料结构由依次设置的第一金属层、第一介质层、VO2层、第二介质层、第二金属层组成，其中，金属层的金属采用Al，介质层采用聚酰亚胺；本发明设计的结构在带通滤波器、调制器、传感器等方向都具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN116269329A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310207730.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于生物电阻抗的脑部颅骨厚度测量方法，包括：通过有限元法对目标区域进行剖分，建立有限元模型。使用脑部电阻抗成像检测平台，采用四电极法获取颅骨表面电压信号。通过求解电压逆问题，得到三角单元各节点的电导率分布。将电导率分布输入有限元模型，通过求解正问题，计算出有限元模型中电阻率变化最大的节点和该节点对应的边界电压节点的距离，即可以得到一组信号对应位置的颅骨宽度。使用十六电极循环激励，分别测量节点电压并求得对应节点电压颅骨厚度，最终将所有节点电压颅骨厚度组成平面即可得到颅骨的整体厚度。本发明设计了一种脑部颅骨厚度测量方法，基于生物电阻抗的思路，提供了一种准确的脑颅骨厚度的计算方法。
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