公开(公告)号：CN119471900A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411886504.8

申请日：2024-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱爱军 ,  李宗腾 ,  牛军浩 ,  张恒俊 ,  许川佩

IPC: G02B6/12 ,  G06E3/00 ,  G02B6/122 ,  G02B6/293 ,  G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G02F1/035 ,  G02F3/00

Abstract: 提供一种基于微环谐振器和相变材料的可重构光学矩阵‑向量乘法单元及实现方法。该矩阵‑向量乘法单元包括第一微环谐振器单元、相变材料单元、第二微环谐振器单元及相连接的波导。第一微环谐振器单元利用多个自由光谱范围将光信号第一次选通，完成相变材料单元的乘法运算后，由第二微环谐振器单元逐一将各个波长的光信号选通出来，最后将选通出来的信号按照需要相加就可以得到矩阵‑向量乘法运算的运算结果。

公开(公告)号：CN117318839A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311338972.7

申请日：2023-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱爱军 ,  李宗腾 ,  胡聪 ,  牛军浩 ,  万春霆 ,  许川佩

IPC: H04B10/90 ,  H04B10/516

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯2比特超表面编码结构及编码方法，属于可调谐超材料应用技术领域，超表面编码结构由依次设置的衬底层和石墨烯层单元结构阵列组成，其中，石墨烯层设置与衬底层上表面；本发明适用于太赫兹通信领域，在编码器、多频开关和慢光器件方向有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN118295072A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410418542.4

申请日：2024-04-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱爱军 ,  李宗腾 ,  张恒俊 ,  张龙 ,  牛军浩 ,  胡聪 ,  许川佩

IPC: G02B6/293 ,  G02F1/01 ,  G02F2/00 ,  G02F3/00

Abstract: 本发明提供了一种基于微环谐振器的全光半加器，利用三个微环谐振器对特定波长的光谐振的特性，将微环谐振器作为开关使用，与光波导巧妙组合，利用光学的方式来实现半加器功能，与现有的电子半加器相比，利用了光的自然特性代替了传统的电学逻辑器件，从而避免了传统电学器件对信号的干扰，实现了计算机的高速信息处理，同事在工艺方面实现了与CMOS工艺结合，使得器件的尺寸小，能够大规模集成。

公开(公告)号：CN118567129A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410773636.3

申请日：2024-06-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱爱军 ,  韦闻芮 ,  李宗腾 ,  牛军浩 ,  张恒俊 ,  胡聪 ,  张龙 ,  许川佩

IPC: G02F1/01 ,  H01Q15/00 ,  G02B1/00 ,  H04B10/90

Abstract: 本发明公开了一种2比特编码与2‑4译码功能可切换器件，属于太赫兹通信调制技术领域。该多层结构由二氧化钒衬底、两层聚酰亚胺介质层以及两层石墨烯组层。基于等离子诱导透明与超材料吸收体的原理，本发明将编码功能与译码功能均集成到一个太赫兹器件中，实现功能可切换，为今后太赫兹多功能器件的设计提供了新思路。

公开(公告)号：CN117712704A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410004200.8

申请日：2024-01-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱爱军 ,  卜鹏程 ,  李宗腾 ,  胡聪 ,  万春霆 ,  牛军浩 ,  许川佩 ,  李智

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明公开了一种用于产生三频段窄带吸收的2D石墨烯超材料结构，属于表面等离子体共振应用技术领域，超材料结构由多个周期单元排列组成，单个周期单元结构包括金属膜、介质层、石墨烯层，其中金属膜的材料采用铜，介质层采用二氧化硅。本发明设计的结构在光电检测、光伏电池、光电传感器、光电热辐射等领域都具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN116565573A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310753494.X

申请日：2023-06-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱爱军 ,  李宗腾 ,  万春霆 ,  胡聪 ,  牛军浩 ,  许川佩

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00 ,  H01P1/20 ,  G02B5/00 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明公开了一种基于VO2幅度可调谐的超材料结构及其应用，属于可调谐超材料应用技术领域，超材料结构由依次设置的第一金属层、第一介质层、VO2层、第二介质层、第二金属层组成，其中，金属层的金属采用Al，介质层采用聚酰亚胺；本发明设计的结构在带通滤波器、调制器、传感器等方向都具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN119519842A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411436492.9

申请日：2024-10-15

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 朱爱军 ,  李宗腾 ,  胡聪 ,  牛军浩 ,  张恒俊 ,  成磊 ,  张龙 ,  许川佩

IPC: H04B10/516 ,  H04B10/90

Abstract: 本发明公开了一种的多层结构的2比特编码器，涉及太赫兹通讯领域编码器件的技术领域，由石墨烯1层、衬底1层、石墨烯2层和衬底2层构成周期性的阵列单元；石墨烯1层包括4个石墨烯第一单元，石墨烯2层包括4个石墨烯第二单元；石墨烯第二单元包括石墨烯第一椭圆单元和石墨烯第二椭圆单元。本发明具有编码速度快，操作简单，制备简便等的优点，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN117318838A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311334026.5

申请日：2023-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱爱军 ,  李宗腾 ,  胡聪 ,  许川佩 ,  万春霆 ,  牛军浩

IPC: H04B10/90 ,  H04B10/516 ,  H04B10/50 ,  H04B10/60

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯3比特编码器及编码方案，属于可调谐超材料应用技术领域，超材料结构由依次设置的衬底层、介质层、石墨烯层组成，其中，衬底层的材料采用硅，介质层采用二氧化硅；本发明设计的结构在编码器、开关、慢光器件方向都具有重要的应用价值。