一种基于Y型石墨烯纳米带的光学数值比较器

    公开(公告)号:CN117008389A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310658653.8

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于Y型石墨烯纳米带的光学数值比较器,属于硅基光子集成芯片技术领域,包括:Y型石墨烯纳米带Y1,与Y型石墨烯纳米带Y1级联设置的Y型石墨烯纳米带Y2和Y型石墨烯纳米带Y3,Y型石墨烯纳米带Y2和Y型石墨烯纳米带Y3相对于Y型石墨烯纳米带Y1对称设计;本发明设计的光学数值比较器在9.55μm的TM模式光作用下具有31.12dB的最小消光比和0.77dB的幅度调制;本发明设计的比较器位于0.4μm2的矩形介质层之上,主要由石墨烯纳米带通过Y型结构组成,其经由施加偏置电压改变石墨烯的化学势实现了石墨烯纳米带的通断效果,最终实现了一位光学数值比较器的功能。

    一种用于产生PIT效应的2D石墨烯超材料结构

    公开(公告)号:CN116759819A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310736667.7

    申请日:2023-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种用于产生PIT效应的2D石墨烯超材料结构,涉及等离子体诱导透明技术领域,由相互平行的两条石墨烯条带和一个Si衬底阵列单元周期性组成;Si衬底的厚度和index分别为0.15um和3.42;石墨烯条带Strip1的长度和宽度分别为L1和W1,石墨烯条带Strip2的长度和宽度分别为L2和W2,两条石墨烯条带之间的距离为S;本发明提出的2D石墨烯超材料结构的PIT窗口的最大调制深度为96.14%;对周围介质的变化具有1.25THz/RIU的灵敏度,与现有的太赫兹区域内基于PIT效应的超材料传感器相比,传感性能有了很大的提高。

    一种基于石墨烯-硅基MRR的光学数值比较器

    公开(公告)号:CN116755282A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310706351.3

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑硅基MRR的光学数值比较器,包括:衬底层、以及嵌设于衬底层上表面的微环谐振器结构,衬底层为二氧化硅衬底,微环谐振器结构包括Y型分支波导,与Y型分支波导两个对称分叉端部相连且平行间隔布置的两组直波导,以及两两对称分布于两组直波导外侧且呈矩形排布的四组微环波导;位于直波导同一侧的两组微环波导作间隔分布且轴心距为4.5μm,每组微环波导与相邻直波导之间的耦合间距均为0.05μm,微环谐振器结构采用硅基材料,且微环波导上依次完全覆盖铺设有六方氮化硼层、石墨烯层以及二氧化硅层;石墨烯层与微环波导上均设有金属电极。本发明的光学数值比较器具有高消光比、高对比度、结构紧凑、稳定性高等优点。

    一种四端口光路由器的呆滞故障模拟装置

    公开(公告)号:CN114157935A

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202111501658.7

    申请日:2021-12-09

    Abstract: 本发明涉及一种四端口光路由器的呆滞故障模拟装置,用于解决不能模拟故障的技术问题,通过n个相互连接的微环谐振器故障模拟子单元,各故障模拟子单元的输入和输出接口分别模拟光路由器信号的输入和输出端口;所述故障模拟子单元为多路选择器,多路选择器用于模拟微环谐振器的谐振状态正常态和故障态的技术方案,该方案较好的解决了模拟故障的技术问题,并可用于光路由器故障模拟器中。

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