公开(公告)号：CN117830452A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410015027.1

申请日：2024-01-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 董庆贺 ,  鲍康乾 ,  许川佩 ,  冯怡凯 ,  黄新 ,  郑鑫侃 ,  周喜鹏 ,  王溪澶

IPC: G06T11/00 ,  G06F13/42 ,  A61B5/0536

Abstract: 本发明提供一种基于STM32的高速电阻抗成像数据采集装置及分析方法。该装置采用STM32F4系列的DCMI外设(并行接口)匹配AD9224的工作时序，读取测量信号经过A/D转换后的数据，并通过DMA直接写入内存(片内SRAM)，然后在MCU中进行数字解调，并将解调后的结果通过USB传输至PC端进行图像重建。本装置解决了MCU在电阻抗成像硬件系统中进行高频数据采集时所面临的传输速率不足的问题，并且有效降低了设计成本。

公开(公告)号：CN114947802A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210387565.4

申请日：2022-04-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 董庆贺 ,  许川佩 ,  何倩 ,  张运佳 ,  鲍康乾 ,  廖冰洁 ,  蒙超勇 ,  赵汝文

IPC: A61B5/0536 ,  G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06N3/00

Abstract: 本发明公开了基于疏密两种网格剖分模型的粒子群优化电阻抗成像方法，涉及电阻抗成像技术领域，其技术方案要点是：具体包括以下步骤：S1：构建原始模型，记为模型0，并生成初始电导率分布σ0；S2：在模型0的基础上对感兴趣区域ROI进行网格细划分，其他区域不变构建模型I，其他区域进行网格合并构建模型II；S3：构建模型0到模型I、模型I到模型II之间的电导率转换矩阵；S4：根据求出的上述电导率转换矩阵，获得由σ0映射到模型I和模型II对应的电导率分布值σI和σII；S5：采用粒子群优化算法基于模型I和模型II进行电阻抗成像中正问题和逆问题的求解。该方法解决了粒子群算法中的维度灾难问题，从而提高了目标的定位准确度和成像的速度。