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公开(公告)号：CN1005946B
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：CN87106448
申请日：1987-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12
Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。
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公开(公告)号：CN85109696A
公开(公告)日：1986-07-16
申请号：CN85109696
申请日：1985-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12
Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面，然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。
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公开(公告)号：CN102610565B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210078548.9
申请日：2000-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/0004 , H01L51/0013 , H01L51/5231 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及制作电光器件的方法。本发明的目的是降低EL显示器件和包含EL显示器件的电子设备的制作成本。EL材料是通过在有源矩阵型EL显示器件中进行印刷而制作的。可用的印刷法包括凸版印刷或丝网印刷。因此，简化了EL层的制作步骤，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN1400673B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN02107360.0
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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公开(公告)号：CN1722922B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200510084815.3
申请日：2001-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 消除因电极孔46中有机EL材料的有缺陷的膜结构造成的EL元件的发光故障。象素电极上的电极孔46中埋入绝缘体后形成有机EL材料和形成保护部分41b，能防止电极孔46中的膜结构缺陷。能防止因EL元件的阴极与阳极之间短路而造成的电流集中，并能防止EL层的发光故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101017796B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200610101679.9
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一钟EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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公开(公告)号：CN1874026B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200610099717.1
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN1652351B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510054405.4
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜，所述半导体膜至少包括成为高电阻率区的第一区和成为漏区的第二区，在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；在所述半导体膜上形成栅电极，所述栅绝缘膜介于其间，其中所述半导体膜的所述第二区从所述栅绝缘膜露出；形成覆盖所述半导体膜、所述栅绝缘膜及所述栅电极的金属膜，其中所述金属膜与所述半导体膜的所述第二区接触；通过向所述第一区掺入杂质，以第一浓度产生一种导电类型，形成所述高电阻率区；通过向所述第二区掺入杂质，以高于所述第一浓度的第二浓度产生所述一种导电类型，形成一个漏区；其中在所述第一区上不形成所述金属硅化物层。
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公开(公告)号：CN100595932C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200510055941.6
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN100521118C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610077821.0
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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