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公开(公告)号：CN1825565B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200610004824.1
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。
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公开(公告)号：CN101266996B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200810081937.0
申请日：2000-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
Abstract: 多个像素(102)被设置在底板上。每个像素(102)具有EL元件，其利用和电流控制TFT(104)相连的像素电极(105)作为阴极。在相对底板(110)上，在相应于每个像素(102)的周边的位置设置有光屏蔽膜(112)，同时在相应于每个像素的位置设置彩色滤光器(113)。光屏蔽膜使得像素的轮廓清晰，从而使得以高的清晰度显示图像。此外，可以利用现有的用于液晶显示装置的生产线制造本发明的EL显示装置。因而，可以大大减少设备投资，借以减少总的制造成本。
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公开(公告)号：CN100477247C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200410101997.6
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/15 , H01L29/786 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 根据本发明，提供了一种有源矩阵显示器，包括：一个表面绝缘的衬底；在所述绝缘表面上形成的一个半导体层，所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区，其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一个栅线，其中所述栅线在所述沟道之上延伸；形成在所述栅线之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层之上的一个源线，其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上；形成在所述源线之上的第三绝缘层；和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极，它电连接到所述第二掺杂区的另一个上；其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖，而另一个不被所述源线覆盖。
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公开(公告)号：CN100383983C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN00128756.7
申请日：2000-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 多个像素(102)被设置在底板上。每个像素(102)具有EL元件，其利用和电流控制TFT(104)相连的像素电极(105)作为阴极。在相对底板(110)上，在相应于每个像素(102)的周边的位置设置有光屏蔽膜(112)，同时在相应于每个像素的位置设置彩色滤光器(113)。光屏蔽膜使得像素的轮廓清晰，从而使得以高的清晰度显示图像。
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公开(公告)号：CN1263163C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN00122575.8
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1652648A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510009467.3
申请日：2000-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3244 , H01L51/0001 , H01L51/529 , H01L51/56 , Y10S438/956
Abstract: 本发明的目的是减少EL显示器件及与之装配的电子装置的制造成本。在有源矩阵型EL显示器件中，通过使用分送装置的涂敷步骤形成用于像素部分的EL材料。由于分送器的排料口制成线形，因此增加了生产量。使用所述分送装置，可以简化EL层的形成步骤，从而降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN1652352A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510054408.8
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。
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公开(公告)号：CN1652351A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510054405.4
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜，所述半导体膜至少包括成为高电阻率区的第一区和成为漏区的第二区，在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；在所述半导体膜上形成栅电极，所述栅绝缘膜介于其间，其中所述半导体膜的所述第二区从所述栅绝缘膜露出；形成覆盖所述半导体膜、所述栅绝缘膜及所述栅电极的金属膜，其中所述金属膜与所述半导体膜的所述第二区接触；通过向所述第一区掺入杂质，以第一浓度产生一种导电类型，形成所述高电阻率区；通过向所述第二区掺入杂质，以高于所述第一浓度的第二浓度产生所述一种导电类型，形成一个漏区；其中在所述第一区上不形成所述金属硅化物层。
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公开(公告)号：CN1289151A
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：CN00128756.7
申请日：2000-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 多个像素(102)被设置在底板上。每个像素(102)具有EL元件,其利用和电流控制TFT(104)相连的像素电极(105)作为阴极。在相对底板(110)上,在相应于每个像素(102)的周边的位置设置有光屏蔽膜(112),同时在相应于每个像素的位置设置彩色滤光器(113)。光屏蔽膜使得像素的轮廓清晰,从而使得以高的清晰度显示图像。
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公开(公告)号：CN1287387A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN00103638.6
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中,多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中,除了位于相对两端的TFT以外,至少要将一个TFT保持在导通状态。另外,至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是,减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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