公开(公告)号：CN1311533C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN02127108.9

申请日：1996-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂间光范 ,  深田武

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C03C17/245 ,  C03C2218/1525 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成CHx，COH及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。

公开(公告)号：CN1276630A

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：CN00121639.2

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 目的是提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法。提供一种利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件,及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气,通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55—70原子%、氮浓度设定为0.1—6原子%和氢浓度设定为0.1—3原子%。为了制造这种成分的膜,基片温度设定在350—500℃,较好在400—450℃之间,放电功率密度设定在0.1—1W/cm2。

公开(公告)号：CN1131342A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95121675.9

申请日：1995-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂间光范 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了提供呈现适合于半导体器件如薄膜晶体管(TFT)等的性能的结晶硅膜，采用CVD工艺在玻璃衬底上沉积氧化硅膜，并在不使氧化硅膜与空气接触的条件下，在其上连续淀积非日硅膜。通过添加催化元素如镍，在500-600℃对非晶性的结晶硅膜。通过使用此结晶硅膜，可实现性能改进的(尤其是小的截止电流)半导体器件如TFT等。

公开(公告)号：CN1855515A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077803.2

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H04N5/225 ,  G03B21/00

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法，以及利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55－70原子％、氮浓度设定为0.1－6原子％和氢浓度设定为0.1－3原子％。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350－500℃，较好在400－450℃之间，放电功率密度设定在0.1－1W/cm2。

公开(公告)号：CN1448997A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02127108.9

申请日：1996-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂间光范 ,  深田武

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C03C17/245 ,  C03C2218/1525 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成CHx，COH及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。

公开(公告)号：CN86107793A

公开(公告)日：1987-05-20

申请号：CN86107793

申请日：1986-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小沼利光 ,  浜谷敏次 ,  间濑晃 ,  山口利治 ,  坂间光范 ,  犬岛乔

IPC: G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133345

Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置。该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。

公开(公告)号：CN100592523C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200610099729.4

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法，以及利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55-70原子%、氮浓度设定为0.1-6原子%和氢浓度设定为0.1-3原子%。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350-500℃，较好在400-450℃之间，放电功率密度设定在0.1-1W/cm2。

公开(公告)号：CN1005946B

公开(公告)日：1989-11-29

申请号：CN87106448

申请日：1987-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN85109696A

公开(公告)日：1986-07-16

申请号：CN85109696

申请日：1985-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/86 ,  H01L21/64 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面，然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN1118867C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN96122468.1

申请日：1996-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂间光范 ,  深田武

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C03C17/245 ,  C03C2218/1525 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成CHx，COH及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。