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公开(公告)号：CN105036117B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510564390.X
申请日：2015-09-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/166 , C01B32/162
Abstract: 本发明实施例公开了一种多层石墨烯-多壁纳米碳管三维碳材料及其制备方法，其中方法包括以下步骤：量取体积比为8∶2的DMF和蒸馏水，混合后作为混合溶剂；加入膨胀石墨，超声振荡2～7小时，得到多层石墨烯；在混合溶液中加入四水合醋酸钴和四水合醋酸锰，将溶液倒入水热反应釜；取出反应物用酒精和水进行离心清洗各3次，得到干燥的负载催化剂石墨烯；将石英管加热至设定温度，并用N2排空，然后将负载催化剂石墨烯置于石英管内，通入N2和C2H2，在N2的保护下冷却到常温后取出，得到三维碳材料。本发明将负载催化剂的石墨烯以C2H2为碳源，采用CVD方法制备纳米碳管，多层石墨烯两侧长上均匀的多壁纳米碳管，工艺简单。
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公开(公告)号：CN105329851A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510733408.4
申请日：2015-11-02
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B82B3/0004 , B82Y40/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种纳米铁氧化物-多层石墨烯复合材料的制备方法，包括以下步骤：量取体积比为8∶2的DMF和蒸馏水，混合后作为混合溶剂；加入膨胀石墨，超声振荡2～7小时，得到多层石墨烯；在混合溶液中加入四水氯化亚铁和无水醋酸钠，搅拌3～6分钟，将溶液倒入水热反应釜，在100℃～130℃温度下保温1-5小时后冷却至室温；取出反应物用酒精和水进行离心清洗各3次，得到干燥的纳米铁氧化物-多层石墨烯复合材料。本发明采用一种通过有机分子络合金属离子的方法在不含氧官能团的多层石墨烯表面制备铁纳米氧化物颗粒，工艺过程简单，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN102492928A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110436858.9
申请日：2011-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双受主共掺杂生长p-(K-N):ZnO薄膜的方法。目前还没有用射频磁控溅射法生长p-(K-N):ZnO薄膜。本发明方法首先将氧化钾粉末、氧化锌粉末在球磨机中球磨预烧后，加入粘结剂压制成型，经烧结制得掺钾的氧化锌靶材；再将靶材和衬底放入射频磁控溅射装置的真空腔内，抽真空并加热衬底，真空腔内通入氩气和一氧化氮的混合气，调节溅射气压后，开启射频电源，经过预溅射后，再进行薄膜生长，达到所需厚度后，关闭射频电源和氩气以及一氧化氮气，通入氧气进行原位退火。本发明方法掺杂浓度和空穴载流子浓度较高，同时掺杂浓度可控，同时受主能级较浅，制备的p型ZnO薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性较好。
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公开(公告)号：CN101412509A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810122264.9
申请日：2008-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明涉及一种纳米碳管团簇粉体及制备方法。现有方法过程繁杂，制备效率不高。本发明的粉体由无序分散的纳米碳管团簇构成，每个纳米碳管团簇包括微米级的片状基底，基底的两面的纳米碳管生长方向相同，与基底平面基本垂直，相邻的纳米碳管间具有间隙。具体制备方法是首先将基底材料与催化剂硝酸溶液混合，得到基底块；然后将基底块研磨，得到分散的含催化剂薄膜的基底片状粉末；再将基底片状粉末置于石英管内，加热至700℃～900℃，通入N2、NH3和C2H2，保持10～120分钟，冷却取出。本发明的粉体具有宏观无序性、微观定向性，直径均匀，直径大，管壁薄，内径大，适用于作为催化剂和其它物质的载体。
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公开(公告)号：CN115108823A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210854920.4
申请日：2022-07-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/443 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种镁铝尖晶石微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料的物相晶体结构为尖晶石型结构，化学式为MgAl2‑x(Zn0.5Mn0.5)xO4，其中，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111647405B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010426904.6
申请日：2020-05-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开了一种无稀土双钙钛矿结构的绿色荧光粉及制备方法，其化学通式为La2MgZrO6:xBi3+，其中0.005≤x≤0.03。该方法是将氧化镧、氧化镁、氧化锆、氧化铋按照一定的摩尔比称取；将称取好的原料放入玛瑙研体中，研磨30分钟，使原料混合均匀；将混合均匀的原料加入到坩埚中，后放在高温管式炉内，在空气气氛下1400℃烧结10h，得到固状物；将固状物置于玛瑙研体中研磨成粉、过筛，就得到无稀土的双钙钛矿结构的绿色荧光粉。此无稀土绿色荧光粉发射光谱范围400nm‑650nm，具有价格便宜、制备简单、激发波长范围广、可被紫外芯片良好激发等特点。
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公开(公告)号：CN113248243B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110677453.8
申请日：2021-06-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/195
Abstract: 本发明提供了一种微波介质陶瓷复合材料及其制备方法，涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。该微波介质陶瓷复合材料为掺杂有Zn2+和Mn4+的堇青石晶体结构材料与TiO2的复合材料，其中，所述Zn2+和Mn4+协同置换堇青石晶格中的Al3+。本发明还提供一种微波介质陶瓷复合材料及其制备方法。利用该制备方法制备得到的复合材料的烧结温度为1225℃～1350℃、介电常数5.12～5.82，品质因数为47026GHz～81609GHz，谐振频率温度系数为+2.43ppm/℃～‑26.84ppm/℃。该复合材料显著地降低现有的各类堇青石陶瓷材料的烧结致密化温度，同时该材料显著地提高堇青石型陶瓷的品质因数和温度稳定性，可以在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件的功能介质使用。
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公开(公告)号：CN113321499B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110670525.6
申请日：2021-06-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种微波介质陶瓷复合材料及其制备方法，涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。该微波介质陶瓷复合材料为一种掺杂有Zn2+和Ni2+的磷酸镁锂晶体结构材料与TiO2的复合材料。本发明还提供一种微波介质陶瓷复合材料及其制备方法。利用该制备方法制备得到的复合材料的微波介质陶瓷复合材料的烧结温度范围在875℃～975℃，相对介电常数为：8.13～11.26，品质因数为：45,300GHz～76,100GHz,谐振频率温度系数为：‑11.33ppm/℃～+27.20ppm/℃。该复合材料显著地降低现有的各类堇青石陶瓷材料的烧结致密化温度，同时该材料显著地提高堇青石型陶瓷的品质因数和温度稳定性，可以在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件的功能介质使用。
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公开(公告)号：CN111560173B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010489424.4
申请日：2020-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花状石墨烯/丝素蛋白纳米簇及其制备方法，属于新兴材料制备技术领域。制备方法包括如下步骤：1)通过常规脱胶方法制备丝素蛋白溶液；2）通过常规hummers法制备氧化石墨烯溶液；3）将丝素蛋白溶液和氧化石墨烯溶液搅拌混合均匀；4）将步骤3获得的混合溶液置于器皿中，并在溶液两端插入电极，施加电压；5）一段时间后，将电极附近的凝胶取出，并滴加水合肼溶液进行缓慢还原；6）将步骤5制备的材料洗涤后干燥得到相应的花状石墨烯/丝素蛋白纳米簇材料。该花状石墨烯/丝素蛋白纳米簇材料具有良好的导电性能，巨大的比表面积，是一种理想的能量存储和传感器敏感材料。
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公开(公告)号：CN114163242A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111641899.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。
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