公开(公告)号：CN116589270B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202310608847.7

申请日：2023-05-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 毛敏敏 ,  刘玉 ,  宋开新 ,  刘兵

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法，化学式为(1‑y)Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4‑yCaTiO3，其中0＜x≤0.02，9％≤y≤13％。首先制备Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4，通过Ga3+和Al3+分别取代镁橄榄石中的部分Mg2+和Si4+位置，品质因数从203700GHz提升到236600GHz，介电常数在6.55～7.05之间，谐振频率温度系数为‑54～‑38ppm/℃；然后按照质量比加入CaTiO3，充分混合后进行烧结得到温度稳定型的微波介质复合陶瓷。本发明在降低烧结温度的同时，使陶瓷材料具有较低的介电损耗以及良好的温度稳定性，制备工艺简单，在5G/6G等毫米波通讯上作为介质陶瓷材料具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN114105642B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202111633420.X

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  周梦飞 ,  沙柯 ,  黄玉辉 ,  宋开新

IPC: C04B35/553 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路，MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数（4.60–4.70），解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近，同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗（Qf=85983–103086GHz），在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。

公开(公告)号：CN114163242B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202111641899.1

申请日：2021-12-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  周梦飞 ,  沙柯 ,  林峰立 ,  宋开新

IPC: C04B35/553 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。

公开(公告)号：CN115141006A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210776922.6

申请日：2022-07-04

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 宋开新 ,  杨浩岳 ,  毛敏敏 ,  修志宇 ,  刘兵

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种微波介质陶瓷材料、复合材料及其制备方法、用途，所述微波介质陶瓷材料的化学式为Mg1.8Ni0.2‑xCoxAl4Si5O18，其中0.05≤x≤0.15。本发明的微波介质陶瓷材料为一种Ni2+和Co2+共掺杂的堇青石型晶体结构材料，其中Ni2+和Co2+协同置换占据所述镁堇青石晶格中的部分Mg2+晶格位置，由此使得微波介质陶瓷材料具有较好的微波性能。本发明的复合材料具有好的微波性能，改善了现有的各类堇青石陶瓷材料温度稳定性差的缺陷及品质因数，降低了烧结温度，并使其温度系数近零；该复合材料具有温度稳定高Qf值，有望在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件作为的功能介质使用。

公开(公告)号：CN111925207A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010648727.6

申请日：2020-07-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 陈金荣 ,  宋开新 ,  张欣杨 ,  刘兵 ,  徐军明 ,  高惠芳 ,  武军

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种Mg3B2O6-Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和Ba3(VO4)2，原料成分为MgO，H3BO3，BaCO3，NH4VO3。由于H3BO3高温烧结时升华分解的特性，因此H3BO3要进行在配平的基础上适度超量，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后通过调整Ba3(VO4)2在陶瓷体中的比例，合成不同性能的Mg3B2O6-Ba3(VO4)2复合陶瓷材料。该复合陶瓷材料的介电常数范围是8.50～8.90，品质因数范围是44,000GHz～46,000GHz，温度系数范围是-12.00ppm/℃～+4.00ppm/℃。

公开(公告)号：CN111925190A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010624798.2

申请日：2020-07-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 马明涛 ,  宋开新 ,  张欣杨 ,  刘兵 ,  毛敏敏

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和CaTiO3，原料成分为原料成分为MgO，H3BO3，CaTiO3。由于H3BO3高温烧结蒸发，因此H3BO3要进行适量称取配平，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后加入不同的摩尔比例的CaTiO3，合成Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料。该复合微波介电陶瓷材料的介电常数范围是6.6～6.8，品质因数范围是34204GHz～36634GHz，温度系数范围是-2ppm/℃～7ppm/℃。

公开(公告)号：CN111187062A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010045173.0

申请日：2020-01-13

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季玉平 ,  宋开新 ,  张上 ,  张欣杨 ,  刘兵 ,  徐军明 ,  高惠芳 ,  武军

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1-x)CaSnSiO5-xK2MoO4，其中x为质量百分含量(x＝20，30，35，40，50，60，70，80，90wt％)。CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764～9.785，品质因数Qf数值的范围为2791GHz～11395GHz，谐振频率温度系数τf的范围为-54.2ppm/℃～+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。

公开(公告)号：CN111018524A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911373497.0

申请日：2019-12-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  黄玉辉 ,  宋开新

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗三方晶系钨酸盐基微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷的化学通式为Ca3La2W2O12，空间群为R3m，主要原料为CaCO3、La2O3、WO3高纯粉末。制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、烧结。本发明通过调控制备工艺和烧结温度获得的微波介质陶瓷具有以下特点：品质因数Qf为32850～50500GHz，介电常数εr为15.1～18.7，制备工艺简单，成本较低，过程环保。本发明所提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中介质谐振器、滤波器、天线等无源器件的核心材料。

公开(公告)号：CN110028964A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910297158.2

申请日：2019-04-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 钱浩军 ,  宋开新 ,  徐明学 ,  范晨利 ,  刘兵 ,  徐军明 ,  高慧芳 ,  武军

IPC: C09K11/73

Abstract: 本发明公开了一种镝-硅增效的白光LED用磷灰石结构蓝光荧光粉及制备方法，该荧光粉化学通式可以写成Sr5.98Ca4-x(PO4)6-y(SiO4)yF2:0.02Eu2+，xDy3+，其中0≤x≤0.03，0≤y≤0.03。该方法是将碳酸钙、碳酸锶、氟化钙、磷酸二氢铵、二氧化钙、氧化铕、氧化镝以一定的化学计量比称量，球磨均匀，常温干燥得到原料混合物；将原料混合物加入到坩埚中，置于高温管式炉中，在还原气氛(95％N2+5％H2)下煅烧6h，得到共混物；将共混物研磨、过筛，得到粉体；将过筛后的粉体依次酸洗、碱洗、水洗，直至粉体洗至中性；离心分层、过滤、烘干，得到白光LED灯用蓝色荧光粉。本发明白光LED用的蓝色荧光粉，具有发光亮度高、色纯度好、发光效率高、激发波长范围广、可被紫外芯片良好激发等特点。

公开(公告)号：CN114195485B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202111633379.6

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  林峰立 ,  周梦飞 ,  沙柯 ,  黄玉辉 ,  宋开新

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。