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公开(公告)号：CN114506876B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111658856.4
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/58 , C01G51/00 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种空心开孔纳米立方体四硫化三钴材料的制备方法及其应用，通过自模板方法制备空心开孔纳米立方体四硫化三钴。采用本发明方法制备的空心开孔四硫化三钴材料用作锂硫电池或钠硫电池正极材料，能够有效吸附多硫化物并催化其转化，同时确保快速电荷传输以促进氧化还原反应。此外，空心开孔纳米立方体结构能够有效的承载硫，促进整个电极的电子传输，尤其是分散在空心开口纳米立方体四硫化三钴中的硫，提高了硫的利用率，提升了电池的整体性能。
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公开(公告)号：CN117276489A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310992954.4
申请日：2023-08-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Co2(OH)3Cl/Ni2(OH)3Cl/多层石墨烯复合材料及其制备方法。复合材料以多层石墨烯为基底。多层石墨烯由膨胀石墨经超声制得，制备过程简单，比氧化石墨烯制备成本低。同时，由于没有经氧化处理，多层石墨烯表面碳环结构完整，表面含氧官能团极少，具有良好的导电性能。在多层石墨烯表面生长有Ni2(OH)3Cl和Co2(OH)3Cl两种物相。Ni2(OH)3Cl为纳米片阵列，近垂直的均匀分布在多层石墨烯的表面。Co2(OH)3Cl为立方体颗粒，尺寸在100nm～300nm，均匀分布在表面多层石墨烯表面，其分布密度约为2～3×108个/cm2。Co2(OH)3Cl立方体颗粒由更小的纳米颗粒组成。本发明技术方案制备的复合材料具有优异的储锂性能，可用于锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN117272797A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311206264.8
申请日：2023-09-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供了一种用于微波负群时延电路谐振结构的联合仿真优化方法及系统，方法如下：S1、将谐振器所在区域网格化为同大小的单元；S2、初始化谐振结构的状态集和动作集；S3、初始化定义的网络模型参数；S4、从旧的策略网络获取下一调整动作，将与环境交互后得到的当前状态等存放到经验回放池；S5、重复S4，直至最大迭代次数；S6、将最终谐振结构的抽象表示进行协同仿真，获得仿真数据；S7、获取所需要的负群时延和传输系数，计算奖励值；S8、通过经验回放池中存放的当前状态集等计算优势函数；S9、计算新的策略网络和价值网络的损失函数；S10、将更新后新的策略网络的参数复制给旧的策略网络；S11、重复S4‑S10，直至网络收敛，得到优化后的谐振结构。
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公开(公告)号：CN117219441A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310994393.1
申请日：2023-08-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种非晶羟基氯化镍网状多孔膜/多层石墨烯复合材料及制备方法，该复合材料由多层石墨烯基底和均匀分布在其表面的羟基氯化镍组成。其中，多层石墨烯是膨胀石墨通过超声剥离的方法获得，其厚度主要在3‑6nm左右，多层石墨烯表面没有经过氧化处理，表面没有含氧官能团，表面平整，导电性能优良。羟基氯化镍在多层石墨烯两侧呈连续的网状多孔膜结构，网状多孔膜中的羟基氯化镍为非晶状态，呈弯曲片状结构，在多层石墨烯平面方向上呈连续状态，没有边界，片厚度小于15nm。采用本发明技术方案，制备方法简单、成本低，在作为超级电容器正极材料时，具有优异的电化学性能，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117153569A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311082745.2
申请日：2023-08-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶纳米晶CoNi LDH/Ni(OH)2纳米片@多层石墨烯复合材料及制备方法和超级电容器，该复合材料由多层石墨烯基底和均匀分布在其表面的CoNi LDH(层状双金属氢氧化物)/Ni(OH)2纳米片组成。其中，多层石墨烯是膨胀石墨通过超声剥离的方法获得，其厚度主要在3‑6nm左右，多层石墨烯表面没有经过氧化处理，表面没有含氧官能团，表面平整，导电性能优良。CoNi LDH/Ni(OH)2纳米片均匀的分布在多层石墨烯表面，垂直于多层石墨烯表面生长，组成多孔膜。CoNi LDH/Ni(OH)2纳米片由非晶和纳米晶CoNi LDH和Ni(OH)2组成，纳米晶的尺寸在3nm以下。采用本发明技术方案，方法简单、成本低，在作为超级电容器正极材料时，具有优异的电化学性能，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116417198A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111683550.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在没有活化的碳材料多层石墨烯表面直接沉积银颗粒的方法，具体方法如下：配制DMF和水的混合溶剂，加入膨胀石墨进行机械剥离获得多层石墨烯分散液；将分散液倒入不透光的聚四氟乙烯罐中，随后将硝酸银加入多层石墨烯分散液中，并加入适量的乙酸钠和葡萄糖，在30℃～50℃水浴中，磁力搅拌两个小时。随后加入适量的抗坏血酸和乙二醇，继续磁力搅拌两小时，取出样品进行离心清洗，最后在多层石墨烯表面获得均匀分布的50‑200nm直径的银颗粒。该制备方法克服了目前需要利用氧化石墨烯表面含氧官能团吸附银离子，随后通过还原方法制备银与石墨烯复合材料的方法。该方法制备的银颗粒与多层石墨烯复合材料在导电胶、导电膜、静电屏蔽、压力传感器、等领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN111943670B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010607150.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了LiWVO6‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4，其中x为质量百分数(x＝60，65，70，75，80，90wt％)。K2MoO4陶瓷微波性能优异，烧结温度低，在540℃左右，εr～7.5，Qf～22300GHz，但其τf值为‑70ppm/℃。最近发现一种钒酸盐LiWVO6，具有单斜结构，在700℃下高温烧结得到的介电性能为：εr～11.5，Qf～13260GHz，τf～+163.8ppm/℃。本发明通过冷烧结的方法，在200℃以下制备致密化的LiWVO6‑K2MoO4复合陶瓷，获得近零谐振频率温度系数的(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4基复合陶瓷微波材料。该复合陶瓷材料可广泛应用于谐振器，滤波器等微波器件。
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公开(公告)号：CN111792669B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010487753.5
申请日：2020-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G23/053 , C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种TiO2纳米棒/多层石墨烯复合材料及制备方法，该复合材料以多层石墨烯为碳基底，表面均匀分布TiO2纳米棒；TiO2纳米棒直径小于100纳米，长度在500nm以下，长径比位于3～7左右。纳米棒均匀分布于多层石墨烯表面，部分纳米棒之间有交叠，纳米棒之间形成较大的孔隙。该复合材料的制备过程为：1、将膨胀石墨加入DMF和蒸馏水的混合液中超声获得多层石墨烯片；2、在多层石墨烯中加入钛粉、浓盐酸、烯硝酸溶液；3、将混合液放入90℃水浴锅中进行磁力搅拌反应一定小时。4、将反应产物进行去离子水和酒精清洗，烘干后得到最终复合物材料。采用该方法制备的TiO2纳米棒/多层石墨烯复合材料在锂离子电池负极材料、锂硫电池正极材料、光催化等领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN111925207B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010648727.6
申请日：2020-07-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种Mg3B2O6‑Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和Ba3(VO4)2，原料成分为MgO，H3BO3，BaCO3，NH4VO3。由于H3BO3高温烧结时升华分解的特性，因此H3BO3要进行在配平的基础上适度超量，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后通过调整Ba3(VO4)2在陶瓷体中的比例，合成不同性能的Mg3B2O6‑Ba3(VO4)2复合陶瓷材料。该复合陶瓷材料的介电常数范围是8.50～8.90，品质因数范围是44,000GHz～46,000GHz，温度系数范围是‑12.00ppm/℃～+4.00ppm/℃。
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公开(公告)号：CN111769261B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010491835.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种四氧化三铁/氧化硅/多层石墨烯复合材料及制备方法，该复合材料中多层石墨烯为碳基底材料，由膨胀石墨经机械剥离获得，厚度小于10nm，具有平整的表面。四氧化三铁和氧化硅在多层石墨烯表面形成复合薄膜，四氧化三铁和氧化硅在复合膜中相互隔离，均匀分布，膜层的厚度小于10nm。该四氧化三铁/氧化硅/多层石墨烯复合材料的具体制备过程为：将膨胀石墨放入DMF与水的混合溶液，经机械剥离后获得多层石墨烯分散液；称取无水乙酸钠、氯化亚铁和正硅酸乙酯，加入多层石墨烯分散液；放入水浴中搅拌，随后水浴中室温升温至90℃，升温时间为15分钟；反应一定时间后取出，离心清洗后获得本发明四氧化三铁/氧化硅/多层石墨烯复合材料。本发明制备工艺简单，适合工业化生产。
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