公开(公告)号：CN114213125A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111641898.7

申请日：2021-12-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  沙柯 ,  周梦飞 ,  林峰立 ,  宋开新

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的一种微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能，能满足微波通讯系统中无源器件的需求。本发明的一种微波介质陶瓷的制备方法制备过程中采用价格相对较为低廉的氧化物粉末为原料，制备工艺为标准的固相反应法，制备过程中化学计量比控制精准，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一，无第二相存在。通过本发明制备方法制备出的NaNdMgWO6微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能。

公开(公告)号：CN114163242A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111641899.1

申请日：2021-12-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  周梦飞 ,  沙柯 ,  林峰立 ,  宋开新

IPC: C04B35/553 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。

公开(公告)号：CN114163242B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202111641899.1

申请日：2021-12-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  周梦飞 ,  沙柯 ,  林峰立 ,  宋开新

IPC: C04B35/553 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。

公开(公告)号：CN114195485B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202111633379.6

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  林峰立 ,  周梦飞 ,  沙柯 ,  黄玉辉 ,  宋开新

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN114195485A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111633379.6

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘兵 ,  林峰立 ,  周梦飞 ,  沙柯 ,  黄玉辉 ,  宋开新

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。