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公开(公告)号：CN114105642B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202111633420.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路，MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数（4.60–4.70），解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近，同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗（Qf=85983–103086GHz），在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114163242B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202111641899.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。
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公开(公告)号：CN114195485B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111633379.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114195485A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111633379.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114105642A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111633420.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路，MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数（4.60–4.70），解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近，同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗（Qf=85983–103086GHz），在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114213125A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111641898.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的一种微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能，能满足微波通讯系统中无源器件的需求。本发明的一种微波介质陶瓷的制备方法制备过程中采用价格相对较为低廉的氧化物粉末为原料，制备工艺为标准的固相反应法，制备过程中化学计量比控制精准，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一，无第二相存在。通过本发明制备方法制备出的NaNdMgWO6微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能。
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公开(公告)号：CN112500154B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011508582.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法：(1)将CaCO3和TiO2按CaTiO3化学计量比配料，球磨烘干，过筛得粉料；(2)将制得的粉料在高温下煅烧后，二次球磨并过筛得粉料；(3)将制得的粉料压制成生坯，在高温下烧结制得致密的CaTiO3陶瓷块体；(4)在LiF粉末中添加去离子水，研磨混合均匀；(5)将润湿的部分LiF粉末置于模具中，预压后加入CaTiO3陶瓷块体，后将剩余的LiF粉末加入所述模具中，预压后使LiF包覆CaTiO3陶瓷块体得到LiF‑CaTiO3陶瓷生坯；(6)将所述模具置于热压机中，使LiF‑CaTiO3陶瓷生坯在300‑600MPa压力与100‑200℃条件下冷烧结处理；冷烧结结束后获得初步致密化的陶瓷生坯；(7)将所得的陶瓷生坯进行热处理，得到具有核‑壳结构的致密化LiF‑CaTiO3陶瓷。
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公开(公告)号：CN112266232A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010766956.8
申请日：2020-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/01 , H01B3/12 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于无线通讯用介质陶瓷领域，具体涉及一种适用于5G毫米波通讯应用的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法，其主要原料为CaCO3、Ga2O3高纯粉末，制备方法为标准固态反应法。通过调控加工工艺和烧结条件获得了优异的微波介电性能，在未来毫米波段无线通讯技术领域有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN114163242A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111641899.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。
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公开(公告)号：CN112500154A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011508582.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/553 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法：(1)将CaCO3和TiO2按CaTiO3化学计量比配料，球磨烘干，过筛得粉料；(2)将制得的粉料在高温下煅烧后，二次球磨并过筛得粉料；(3)将制得的粉料压制成生坯，在高温下烧结制得致密的CaTiO3陶瓷块体；(4)在LiF粉末中添加去离子水，研磨混合均匀；(5)将润湿的部分LiF粉末置于模具中，预压后加入CaTiO3陶瓷块体，后将剩余的LiF粉末加入所述模具中，预压后使LiF包覆CaTiO3陶瓷块体得到LiF‑CaTiO3陶瓷生坯；(6)将所述模具置于热压机中，使LiF‑CaTiO3陶瓷生坯在300‑600MPa压力与100‑200℃条件下冷烧结处理；冷烧结结束后获得初步致密化的陶瓷生坯；(7)将所得的陶瓷生坯进行热处理，得到具有核‑壳结构的致密化LiF‑CaTiO3陶瓷。
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