一种驻波探测校正方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114879114B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202210718451.3

    申请日:2022-06-23

    Abstract: 本申请涉及驻波探测技术领域,具体提供了一种驻波探测校正方法、系统、电子设备及存储介质,应用在驻波探测校正系统中,驻波探测校正系统包括波导和驻波调节装置,波导上等距设置有三个第一探针,第一探针用于采集生成波导的输出电压信息,驻波调节装置用于调节波导内的驻波比,驻波探测校正方法包括以下步骤:控制驻波调节装置将驻波比调节为1:1;获取各个第一探针在驻波比为1:1时采集的参考输出电压信息;根据参考输出电压信息获取各个第一探针的校正变换信息;根据各个第一探针采集生成的实际输出电压信息、校正变换信息、当前驻波比和当前微波频率获取波导的当前驻波状态;该方法能够避免对第一探针进行频繁的校准。

    一种基于眼睛控制的分区显示方法及装置

    公开(公告)号:CN111190486B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN201911379932.0

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于眼睛控制的分区显示方法及装置。其中方法包括步骤:A.通过识别用户瞳孔位置以对用户视线落在屏幕上的位置进行定位;B.以上述定位的位置为中心,按照预设的规则对屏幕划定高清区域;C.显示图像时,其它区域的图像分辨率低于所述高清区域的图像分辨率。装置包括定位模块、分区模块、输出模块。该方法及装置可实现在人眼关注的地方清晰显示,在人眼不关注的地方模糊显示,从而提高图像处理速度。

    一种薄膜规真空计校准方法及相关设备

    公开(公告)号:CN116380339A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310669384.5

    申请日:2023-06-07

    Abstract: 本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域,公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备,薄膜规真空计校准方法包括:调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据,用于生成训练数据集;根据所述训练数据集,基于梯度下降算法训练增益系数模型;根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准;可有效消除薄膜规真空计产生的误差,使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠,且不需要人工校准,实现全自动校准,从而有利于提高校准效率。

    金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法

    公开(公告)号:CN115386856B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211279601.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法,属于真空计领域,金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤:在两片衬底的正面沉积金刚石;其中一片衬底直接沉积得到第一部件,另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件;取下金属环,并去除第一部件和第二部件背面的衬底;在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层;在金属层上焊上导线,且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔;将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合;在第二部件朝上的状态下沉积金刚石,得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容,用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。

    一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法

    公开(公告)号:CN115493744A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211454920.1

    申请日:2022-11-21

    Abstract: 本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法,通过设置第一参考室和第二参考室,并且第一深度比第二深度大,第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大,因此,第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大,且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大,不管待测气体的压力值是大还是小,都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测,无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用,降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂,从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。

    一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN114720048B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210648150.8

    申请日:2022-06-09

    Abstract: 本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法,一种电容薄膜真空计包括:壳体,具有一容置腔;电容膜片,将容置腔分隔为测量室和参考腔;连接口,与测量室连通;固定电极,设在参考腔中并与电容膜片平行,形成电容器;还包括:NEG薄膜,NEG薄膜镀在参考腔的内壁,用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜,提高NEG薄膜的吸气效率,能够很好地保持参考腔的真空度,从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜,从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。

    一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN114964613A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210917065.7

    申请日:2022-08-01

    Abstract: 本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括:腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件,所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿,所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室,并与所述外壳围成参考腔,所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽,所述张紧组件设置在所述参考腔内,所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片,且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调;可对感应膜片进行多次张紧,提高真空计的测量精度和使用寿命。

    一种抛光头及抛光机
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114871941A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210443467.8

    申请日:2022-04-25

    Abstract: 本申请属于化学机械抛光技术领域,公开一种抛光头及抛光机,抛光头包括用于安装待抛光工件的安装盘、用于安装安装盘的环形安装板、用于安装环形安装板的底板、用于驱动所述底板向下移动的移动驱动件、用于驱动底板转动的第一转动驱动件及用于驱动安装盘向下变形的电缸,环形安装板的两端分别连接安装盘及底板,移动驱动件的输出端连接底板的上表面,第一转动驱动件的输出端连接底板或移动驱动件,安装盘、环形安装板及底板形成安装空间,电缸设置在安装空间内,电缸的输出端连接有移动板,移动板抵接安装盘上表面的中心区域。本申请的抛光头及抛光机能够使得安装盘在电缸的驱动作用下产生向下的变形,从而改善待抛光工件的平坦度,提高抛光质量。

    微波等离子体化学气相沉积装置及系统

    公开(公告)号:CN114845455A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210489274.6

    申请日:2022-05-07

    Abstract: 本公开涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置及系统。微波等离子体化学气相沉积装置包括:矩形波导,矩形波导包括多条微波传输路径,多条微波传输路径共用微波导入端口,多条微波传输路径的微波导出端口分立设置,微波导入端口用于将导入的微波经由对应的微波传输路径传导至对应的微波导出端口;等离子体反应腔体,等离子体反应腔体包括多个微波进入端口,微波导出端口与微波进入端口一一对应连通;多个电磁转换结构,电磁转换结构对应微波导出端口与微波进入端口的连通位置设置并与矩形波导接触设置。本公开的技术方案,有利于提高传导微波的能量容量,进而增加了等离子体反应腔体内的能量导入,提高了等离子体反应的均匀性。

    一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN114486062B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210332796.5

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明属于真空计技术领域,公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计,包括壳体、感压薄膜及固定电极,还包括第一加热件;壳体具有容置腔,感压薄膜设置在容置腔内,感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔;固定电极设置在第一腔内,并与感压薄膜平行,固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件;第一加热件设置在第二腔内,并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计,使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热,使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致,减小第二腔内的温度变化,从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响,进而提高电容薄膜真空计的测量精度。

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