公开(公告)号：CN102842569A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210359227.6

申请日：2012-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法。本发明采用一层超薄的经过氧气等离子体和紫外光照射处理的SiN刻蚀阻挡层和一层厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN刻蚀阻挡层来形成双层刻蚀阻挡层，不仅工艺过程简单，还可以改善目前刻蚀阻挡层的存在会影响整体介电常数值的现状，使得互连电路中的延迟减小、提升互连电路的可靠性，有望在未来铜互连的刻蚀阻挡层的制造中得到应用。

公开(公告)号：CN102830374A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210326371.X

申请日：2012-09-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴俊 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  周鹏

IPC: G01R33/09 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体为一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的四个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度角的凹槽或者凸台结构的侧壁之上形成三维隧穿磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的磁阻传感模块更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。

公开(公告)号：CN101976668B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010293194.0

申请日：2010-09-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘昕彦 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/102 ,  H01L21/8252 ,  H01L33/06 ,  G03B21/20

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种使用硅基MOS管控制发光二极管的半导体器件、阵列及制备方法。本半导体器件包括至少两个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上形成的一个硅基MOS晶体管和一个发光二极管。本发明将发光二极管及硅基MOS晶体管集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述半导体器件还可以构成一个半导体器件阵列。采用本发明技术制造的投影机具有体积小、功耗低、可便携性等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影机系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。

公开(公告)号：CN102097477B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201010588482.9

申请日：2010-12-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明属于10纳米以下的半导体器件技术领域，具体涉及一种带栅极的金属-绝缘体-半导体（MIS）及金属-绝缘体-金属（MIM）器件。本发明通过在MIM或者MIS器件的侧壁上施加栅极电压来调控电场，以此调节MIM或者MIS结构中的FN隧穿电流，进而控制器件的关断与开启。本发明所提出的带栅极的MIM及MIS器件的沟道可以做的非常短，而且能够达到很低的漏电流，且功耗低，非常适用于集成电路的后端工艺及各种芯片的制造。

公开(公告)号：CN102709308A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210206510.5

申请日：2012-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林曦 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法。本发明提出的集成阻变存储器的MOS晶体管结构包括在衬底上形成的MOS晶体管和阻变存储器，所述MOS晶体管的栅介质层延伸至所述MOS晶体管的漏区表面之上，所述延伸至MOS晶体管的漏区表面之上的栅介质层部分形成所述阻变存储器的阻变存储层。本发明经过一次原子层淀积工艺来获得高质量的MOS晶体管的栅介质层与阻变存储器的阻变存储层，将阻变存储器与MOS晶体管集成在一起，工艺步骤简单，而且可以兼容浅沟槽隔离工艺或者场氧化层隔离工艺以及源、漏的离子注入或者扩散工艺，便于工艺集成。

公开(公告)号：CN101901813B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201010231342.6

申请日：2010-07-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  林曦 ,  张卫

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法。本发明的存储器是垂直沟道型双金属浮栅存储器，它包括至少一个衬底区、一个漏区、一个源区、两个浮栅区和一个控制栅极，所述存储器的浮栅区用于存储电荷。本发明还公开了上述双金属浮栅存储器的制造方法。本发明采用垂直的沟道结构，在增大栅长的情况下不会占用更多的芯片面积，有利于芯片往高度集成的方向发展；用简化的方法制造出面积较小的双位存储单元，可以在相同面积的硅衬底上制造出更多的存储器单元，从而实现高密度存储。

公开(公告)号：CN102074584B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010573965.1

申请日：2010-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  江婷婷 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  江安全

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法。先在硅衬底上生长栅电极、栅介质，并形成源、漏图形，再将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而实现石墨烯与栅介质的隔离。利用空气隙将石墨烯和栅介质隔离开，可以免去石墨烯上的缓冲层生长工艺，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，从而进一步提高石墨烯器件的电学特性。

公开(公告)号：CN101866858B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010186373.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明公开了一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101800236B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010105581.7

申请日：2010-02-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  孙清清 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属于非挥发性半导体存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构。该半导体存储器结构包括至少一个半导体衬底，一个用于存储信息的存储单元和一个隧穿晶体管结构，所述隧穿晶体管用于对所述半导体存储器进行比如擦写操作和读操作的控制。本发明还公开了一种使用自对准工艺来制造所述半导体存储器结构的方法，而且，在制作隧穿晶体管的栅极掩膜版时，只需在字线终端做字线的接触点，该制造方法简化了半导体存储器的制造工艺，并使制程更加稳定，非常适用于存储器芯片的制造。

公开(公告)号：CN101814503B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010141734.3

申请日：2010-04-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得到了抑制，同时，该晶体管采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流也得到了提升。本发明还公开了上述晶体管的制造方法。本发明所提出的晶体管具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。