一种银纳米线网格电极的制备方法

    公开(公告)号:CN107919180B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201711078038.0

    申请日:2017-11-04

    Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题,本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法,包括:S1、清洗衬底:将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,氮气吹干;S2、制备银纳米线乙醇混合液;S3、采用银纳米线乙醇混合液,通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格,干燥;S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上,在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力,持续5~35分钟,形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低,满足柔性器件对退火温度的需求,可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。

    一种微电子器件封装焊接机及其控制方法

    公开(公告)号:CN110369840A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910676145.6

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种微电子器件封装焊接机,包括:底板;顶板,其设置在所述底板上方;输送带,其可拆卸设置在所述底板上,能够运送微电子器件的底座和封盖;定位架,可旋转支撑在所述底板上,位于所述输送带一侧,能够定位和固定微电子器件的底座;第一伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;焊接枪,其连接所述第一伸缩架另一端,并与所述定位架同轴设置;第二伸缩架,其一端可拆卸连接所述顶板;封装架,其连接所述第二伸缩架另一端,能够夹持所述微电子器件的封盖,利用输送架将封装底座和封装盖,输送至焊接枪和封装架工位进行封装,无需人力干预,且可同时输送多个待封装件,生产效率高,本发明还公开了一种微电子器件封装焊接机。

    一种太阳能集热供暖系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN110285473A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910570801.4

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明公开一种太阳能集热供暖系统,包括:集热系统,用于收集太阳热能;以及储水系统,其通过第一循环泵与所述集热系统连通,用于与所述集热系统实现热交换;供热系统,其通过第二循环泵与所述储水系统连通,用于与所述储水系统实现热交换。本发明还提供一种太阳能集热供暖系统的控制方法,能够采集集热水袋内的水温和外箱内的水温,并基于模糊控制方法输出第一循环泵的转速,实现快速换热。还能够在集热水袋内的水温和外箱内的水温的温差超过温差极大值时,控制电动窗帘的遮挡面积,提高集热水袋的使用寿命和集热供暖系统的使用安全。还能在光照强度较低时,通过控制电辅热装置的加热温度满足供暖需求。

    一种柔性氧化锌光敏晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN108987529B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201810775195.5

    申请日:2018-07-15

    Abstract: 本发明涉及一种柔性氧化锌光敏晶体管的制备方法,属于半导体器件制备技术领域。包括清洁硬质衬底和柔性衬底,栅极沉积,绝缘层沉积,富氧氧化锌沟道层沉积,低氧氧化锌沟道层沉积,源电极、漏电极沉积。优点是利用光敏晶体管的增益特性提高了光电探测响应度,叉指源电极、漏电极结构增强了光电流,双层氧化锌沟道层结构提高了电学稳定性,为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发,无需更换生产线;沟道层材料为纯氧化锌,成本低廉、绿色环保,在紫外探测领域具有良好应用前景,该制备方法的使用使氧化锌在紫外探测中更加具备应用潜力。

    一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN108962759B

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201810775194.0

    申请日:2018-07-15

    Abstract: 本发明涉及一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法,属于一种薄膜晶体管的制备方法。包括清洁衬底,栅极沉积,绝缘层沉积,富氧氧化锌沟道层沉积,低氧氧化锌沟道层沉积,源电极和漏电极沉积。优点是通过双有源层结构、叉指源漏电极的制备,提供富氧、低氧分层制备沟道层来提高器件稳定性与开态电流,在其上制备叉指形状的源、漏电极进一步大幅提高开态电流,且制备工艺简单,为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发,无需更换生产线;原材料为纯氧化锌,成本低廉、绿色环保。在紫外探测、显示驱动等领域都具有应用前景。使纯氧化锌薄膜晶体管在市场上更加具备应用潜力。

    一种日盲紫外光敏晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN110047976A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910359171.6

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外光敏晶体管的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将衬底进行预处理后,通过光刻剥离技术曝光显影出栅极小岛区域,并在所述栅极小岛区域蒸镀导电膜;步骤2:再通过光刻剥离技术曝光显影出第一堆叠小岛区域,并在所述第一堆叠小岛区域化学气相沉积绝缘层后,磁控溅射光敏层;步骤3:再通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠小岛区域,并在所述第二堆叠小岛区域磁控溅射背沟道层后,蒸镀叉指电极层。采用背沟道刻蚀方法和叉指电极结构在保证光电探测范围的条件下,增强了器件电学性能,提高了光电探测特性,器件制备工艺简单,在紫外探测领域具有良好应用前景。

    一种半导体氧化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109994559A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910249023.9

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜,所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成,其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓;并且,还含有氢;所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In:20~50原子%、Ga:8~25原子%、Zn:20~50原子%和W:10~30原子%。本发明提供了一种半导体氧化膜,其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法,其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制,来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。

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