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公开(公告)号：CN102139878A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110040914.7
申请日：2011-02-18
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。属于冶金领域，提供一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。包括以下步骤：将工业硅与造渣剂混合，放入石墨坩埚中，置于熔炼炉中预热至1400～1600℃；依次用机械泵、罗茨泵对熔炼炉抽真空，加热至1500～1700℃，控制中频电源频率为80～120kW；进行通气搅拌并造渣，造渣充分后的硅液浇入模具中，凝固后的硅料切除杂质得除硼后的硅料。本发明中的造渣剂效果良好，分配比可达到5以上，对比单纯的Ca系造渣剂有显著提高。显著降低了工业硅中硼含量，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101891493A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010265770.0
申请日：2010-08-27
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/66 , C04B35/185 , C04B35/622
Abstract: 一种莫来石耐火材料的合成方法，涉及一种耐火材料。提供一种工艺过程简单，成本低廉，合成的莫来石耐火材料性能优异、纯度较高的莫来石耐火材料的合成方法。将铝厂污泥和叶腊石分别送入球磨机中干磨；在干磨后的铝厂污泥和叶腊石混合物中，加入BaF2或Na2SiF6，然后加水湿磨，得铝厂污泥和叶腊石混合浆料；将铝厂污泥和叶腊石混合浆料，用喷雾器喷入造粒塔进行雾化、干燥，得到铝厂污泥-叶腊石团粒；将铝厂污泥-叶腊石团粒送到液压成型机中成型，得铝厂污泥-叶腊石坯体；将铝厂污泥-叶腊石坯体烘干，以减少烧成收缩，防止试样开裂；将烘干后的铝厂污泥-叶腊石坯体烧结，烧结后冷却至室温，得莫来石耐火材料。
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公开(公告)号：CN101871883A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010109814.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/L H2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
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公开(公告)号：CN101837980A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010177791.7
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅。将渣料预熔；将预熔后的渣料与工业硅混合后放入石墨坩埚，抽真空，当真空度小于500Pa时启动罗茨泵，使真空在5Pa以下，接着关闭真空阀，通过石墨通气棒向体系通入Ar气，使真空度维持在5000～10000Pa；启动中频感应电源加热，待熔化后将石墨通气棒降至硅液表面上方1～3cm预热后，通入Ar气，并将通气棒插入硅液，通气搅拌；测量熔液温度，通过调节中频频率使反应温度维持在1600～1800℃；造渣后将通气棒升离坩埚，将熔炼完成的熔液浇注入模具中，凝固，得硅锭，完成采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的工作。可操作性强，适合于产业化。
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公开(公告)号：CN101831298A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010186700.6
申请日：2010-05-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉的制备方法，涉及一种荧光粉。提供一种稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉的制备方法。金属离子溶液的配制：将氧化钇粉末用过量浓硫酸溶解，再与硝酸铈和硝酸铝溶液混合配成金属离子溶液，其中控制Y3+∶Ce3+∶Al3+＝2.94∶0.06∶5；在配好的金属离子溶液中加入柠檬酸，得混合溶液；将所得的混合溶液放在水浴中恒温，得湿凝胶；将所得的湿凝胶恒温，得淡黄色干凝胶；将所得的干凝胶燃烧放出气体，得泡沫状粉末；将所得的泡沫状粉末预烧，得预烧粉末；将所得的预烧粉末煅烧，得稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉。制备工艺简单，易于操作，所获得的荧光粉具有低团聚、颗粒尺寸小、性能良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101757887A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010122905.8
申请日：2010-03-08
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J20/12
Abstract: 一种提高钙基膨润土COD吸附力的方法，涉及一种钙基膨润土。提供一种提高钙基膨润土COD吸附力的方法。将天然钙基膨润土加水打浆、研磨后干燥，过筛，得100～300目的膨润土；将膨润土加水搅拌制成浆液，加pH调节剂控制浆液的pH值在5～7.5之间，搅拌后静置，分离出上层悬浮液；在悬浮液中加入Na3PO4，搅拌后静置，再抽滤，干燥后研磨至原粒度，得钙基膨润土颗粒料；将钙基膨润土颗粒料，浸置于硫酸溶液中，搅拌，静置后抽滤去液，将滤液洗至中性，得滤渣；将滤渣干燥，即得所需的钙基膨润土。
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公开(公告)号：CN101698481A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910112690.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中，接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体，测定坩埚内竖直方向上各点温度，调节感应加热功率控制器，使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度，从坩埚中部到底部，温度从高到低；启动定向升降装置，带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固；合金熔体凝固后切断电源，冷却后取出合金硅锭，切除上部，剩余部分即为太阳能级多晶硅。
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公开(公告)号：CN101555015A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN103043665B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310026873.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
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公开(公告)号：CN103011169B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
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