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公开(公告)号：CN101698481B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910112690.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中，接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体，测定坩埚内竖直方向上各点温度，调节感应加热功率控制器，使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度，从坩埚中部到底部，温度从高到低；启动定向升降装置，带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固；合金熔体凝固后切断电源，冷却后取出合金硅锭，切除上部，剩余部分即为太阳能级多晶硅。
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公开(公告)号：CN101555015B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN101698481A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910112690.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中，接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体，测定坩埚内竖直方向上各点温度，调节感应加热功率控制器，使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度，从坩埚中部到底部，温度从高到低；启动定向升降装置，带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固；合金熔体凝固后切断电源，冷却后取出合金硅锭，切除上部，剩余部分即为太阳能级多晶硅。
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公开(公告)号：CN101555015A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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