公开(公告)号：CN101188190A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710186484.3

申请日：2007-11-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。

公开(公告)号：CN101174596A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185126.0

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN117980819A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280063585.4

申请日：2022-08-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  簗瀬优 ,  竹内彩乃 ,  西村晃范

IPC: G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: [课题]为了应对特别是在EUV曝光中所要求的最大容许异物尺寸的降低以及供防护膜片暴露的严酷的气压的变动，而实现与贯通防护膜框架而设置的通气孔贴靠的过滤器的高性能化。[解决手段]本发明的防护膜包括：防护膜框架3；防护膜片1，设置于所述防护膜框架的上端面；通气孔6，设置于所述防护膜框架；以及过滤器7，堵塞所述通气孔，所述过滤器的一部分或全部具有纳米纤维或碳纳米管中的至少一者所构成的不织布。

公开(公告)号：CN113840949A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202080039330.5

申请日：2020-05-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的III族化合物基板的制造方法，其特征在于：其是通过气相生长法使III族化合物的晶体(1)在载置并固定于基座(2)的晶种(3)上生长的III族化合物基板的制造方法，在基座(2)和晶种(3)的至少一者的构件中使用可剥离的具有劈开性的物质。III族化合物基板，其特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供III族化合物基板的制造方法和通过该制造方法制造的基板，该制造方法可有效利用气相生长法的特长、即高成膜速度的特长，同时以低成本得到更高品质的大型GaN晶体基板。

公开(公告)号：CN112262456A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980038692.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 关山有郎 ,  久保田芳宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为GaN层叠基板的制造方法，其具有：进行偏离角度0.5～5度的C面蓝宝石基板(11)的800～1000℃下的高温氮化处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序；在所述表面处理过的C面蓝宝石基板(11)的表面上使GaN外延生长以制作表面包含N极性面的GaN膜负载体的工序；对所述GaN膜(13)进行离子注入以形成离子注入区域(13离子)的工序；将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板(12)贴合并接合的工序；和在所述GaN膜(13)中的离子注入区域(13离子)使其剥离以将GaN薄膜(13a)在支承基板(12)上转印、得到在支承基板(12)上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)的工序，通过一次的转印工艺就得到以Ga面为表面的结晶性良好的GaN层叠基板。

公开(公告)号：CN104701239B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510117172.1

申请日：2007-11-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。

公开(公告)号：CN104488081B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。

公开(公告)号：CN101285912B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810090978.6

申请日：2008-04-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  川合信

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

CPC classification number: G02B6/132 ,  G02B6/1347 ,  G02F1/0126 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/48 ,  Y10S438/967

Abstract: 本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在SOI膜12上涂布光阻13来形成光阻罩幕14，然后蚀刻除去未被光阻罩幕14被覆的区域的SOI膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管15。而且，在石英基板20的背面侧设置能够对上述的单晶硅芯照射1.1微米以下波长的光线的发光组件而作成光波导管装置。从发光组件30未照射光线时，在光波导管15中进行导波的光线是以原本的状态进行导波，但是若从发光组件30照射光线而在该照射区域16形成电子-空穴对时，由于在光波导管中进行导波的光线被该电子-空穴对吸收，所以通过有无从发光组件30来的光照射，能够进行切换光信号的ON/OFF。

公开(公告)号：CN101990697B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980112677.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。

公开(公告)号：CN101981654B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980111732.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信 ,  伊藤厚雄 ,  久保田芳宏 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。