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公开(公告)号：CN107144755B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710507786.X
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、卤钨灯光源、会聚球面镜、样品测试板、电荷耦合器件样品、导轨、三维样品调整台、暗箱、光学准直套筒和计算机组成，将电荷耦合器件样品正对积分球光源出光口，首先进行暗场测试，计算出A、B、C三个通道暗场所有像素位置的灰度值的平均值；再进行亮场测试，计算出三个通道亮场所有像素位置的灰度值的平均值；通过计算得到B、C通道相对于A通道的增益系数；计算暗场条件下样品从三个通道输出的所有像素位置灰度值的平均值；打开卤钨灯光源进行亮场测试，计算样品连同光斑中心在内的25个像元的信号灰度值之和，最后求解出水平转移效率和垂直转移效率。本发明具有通用性，操作简单，结果准确。
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公开(公告)号：CN107197236B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710507516.9
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移次数，根据公式计算出单个热像素的电荷转移损失率，以此求出基于单个热像素的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。最后计算所求出的N个电荷转移效率的均值，即为在轨电荷耦合器件的电荷转移效率。本发明实时性强，方法简单快速，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN107144755A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710507786.X
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、卤钨灯光源、会聚球面镜、样品测试板、电荷耦合器件样品、导轨、三维样品调整台、暗箱、光学准直套筒和计算机组成，将电荷耦合器件样品正对积分球光源出光口，首先进行暗场测试，计算出A、B、C三个通道暗场所有像素位置的灰度值的平均值；再进行亮场测试，计算出三个通道亮场所有像素位置的灰度值的平均值；通过计算得到B、C通道相对于A通道的增益系数；计算暗场条件下样品从三个通道输出的所有像素位置灰度值的平均值；打开卤钨灯光源进行亮场测试，计算样品连同光斑中心在内的25个像元的信号灰度值之和，最后求解出水平转移效率和垂直转移效率。本发明具有通用性，操作简单，结果准确。
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公开(公告)号：CN107063329A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710200747.5
申请日：2017-03-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01D18/00
CPC classification number: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试板、互补金属氧化物半导体传感器样品和计算机组成，利用计算机上安装的读图软件采集大量暗场图像，将图像数据转换为灰度值随时间变化的信号；然后将所获得的灰度值随时间变化的像素信号重新排序，求出其梯度信息，再对像素信号的梯度信息进行滤波，将滤波后的梯度信号与原始的重新排序后的信号相结合，进行重建，得到的重建排序信号，计算信号的波动幅度及台阶个数，将未滤波的信号通过特定判据的判别结果和滤波后的信号通过特定判据的判别结果进行或关系运算，其结果可以正确判断一个像素是否为随机电码信号。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。
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公开(公告)号：CN119246012A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410750491.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种天文成像探测器辐照后线性度的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、天文成像探测器样品、直流电源和计算机组成。通过开展天文成像探测器质子辐照损伤试验，对采集到的本底图像和不同曝光时间的光场图像的单个像元的灰度值进行提取，并计算剔除本底的光场图像灰度均值，然后找出满阱信号值，再以曝光时间为横轴，部分光场图像灰度均值为纵轴，对线性度数据进行最小二乘法拟合，并提取拟合曲线的线性区域斜率和截距，对每一组曝光时间和光场灰度均值进行线性度计算，然后求出所有组线性度数据的均值，即为天文成像探测器的线性度。该方法适用于多种天文成像探测器，具有测试方便、误差小、速度快、实用性强等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119071663A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411180293.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种天文成像探测器辐照后单像素增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、天文成像探测器样品、直流电源和计算机组成。通过开展天文成像探测器质子辐照损伤试验，对采集到的本底图像和不同曝光时间的光场图像的单个像素的灰度值进行提取，并计算单个像素剔除本底的光场图像灰度均值和方差值，将单个像素不同曝光时间的光场图像灰度均值和方差值数据进行最小二乘法拟合，并提取拟合曲线的线性区域斜率，该斜率的倒数即为天文成像探测器的单像素增益。将计算的全部像素位置线性区域斜率进行频数分布可便于对辐照后增益的微小变化进行分析。该方法适用于天文成像探测器领域，具有测试方便、误差小、速度快、实用性强等优势。
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公开(公告)号：CN118115790A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410210326.0
申请日：2024-02-23
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本公开提供一种γ辐射环境下噪声提取方法、去除方法、辐射剂量率检测方法、设备及介质，方法包括：将两个相同的图像传感器层叠，得到上部图像传感器和下部图像传感器构成的层叠结构，为上部图像传感器配置镜头；通过带有镜头的上部图像传感器采集不同γ辐射剂量率环境下的亮场图像，得到与每一γ辐射剂量率对应的亮场图像；通过下部图像传感器采集不同γ辐射剂量率环境下的暗场图像，得到与每一γ辐射剂量率对应的暗场图像；分别对每一暗场图像进行处理，确定与每一γ辐射剂量率对应的噪声点数量，将噪声点数量确定为该γ辐射剂量率的值。该方法能够在不影响图像传感器正常图像采集的功能下，实现噪声提取、去除和辐射剂量率的检测。
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公开(公告)号：CN117993199A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410155261.4
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种评估面密度铝等效法对单能电子电离剂量计算差异的方法，该方法首先在蒙特卡罗仿真软件中建立三层平板模型，第一层设置实际屏蔽材料的类型和面密度、第二层设置为被屏蔽目标硅探测器、第三层设置为5mm厚度的铝材料，然后设置入射电子能量、电子注量和电子入射角度，最后通过蒙特卡罗仿真计算得到单能电子透过该实际材料屏蔽后在硅探测器中的电离吸收剂量。该实际屏蔽材料面密度铝等效分析法也需要建立同样的三层平板模型，只将第一层实际屏蔽材料替换成与其相等面密度的铝材料，其它层不变，再通过蒙特卡罗仿真软件计算该方法得到的单能电子透过铝材料屏蔽后在硅探测器中的电离吸收剂量，最后把两种方法计算出的电离吸收剂量作差，即得到上述两种方法对单能电子电离剂量屏蔽效果的差异。本发明实时性强，方法简单快速，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN113917304B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111180529.2
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运算拟合成为晶体管寄生电容曲线，对辐照前后测试得到的碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容曲线进行比对，自动生成米勒平台区域产生的差值，再设定合理的预值范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的开关性能产生严重影响。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。
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公开(公告)号：CN117454742A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311157329.4
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所 , 中国科学院空间应用工程与技术中心
IPC: G06F30/27 , G06F30/398 , G06F18/2415 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种用于COTS电子系统的辐射效应量化分析方法，所述方法包括：将电子系统原理图转换为概率图表达形式；定义电子系统中元器件的失效状态；针对元器件开展辐照试验获取辐射效应数据；获得辐射效应数据的统计模型参数；基于模拟样本获得元器件失效概率；将元器件失效概率导入电子系统的概率图表达形式；基于概率图表达形式及相应算法求解电子系统边缘概率及最大后验概率状态。本发明的优势在于：在不依赖大量整机样本的情况下，能够基于COTS辐射效应数据和失效依赖关系计算电子系统失效概率；MAP结果为电子系统RH活动的持续改进提供依据。
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