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公开(公告)号：CN102185052A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110115383.3
申请日：2011-05-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层；步骤3：在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层，以硅烷作为n型掺杂剂；步骤4：在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层；步骤5：采用刻蚀的方法，在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中，使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面；步骤6：在n型接触层的台面上制作负电极；在p型接触层的上面制作正电极，完成氮化镓系发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN102064261A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010534772.5
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN101924022A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010157625.0
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/02
Abstract: 一种采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓的方法，其采用金属有机化学气相沉淀系统在蓝宝石沉淀上生长高质量氮化镓和铟镓氮，该方法包括如下步骤：步骤1：将蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；步骤2：往反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；步骤3：在蓝宝石衬底上生长InxGa1-xN缓冲层；步骤4：在InxGa1-xN缓冲层上同温生长一层很薄的氮化镓覆层；步骤5：在氮化镓覆层上外延氮化镓层，完成氮化镓的生长。
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公开(公告)号：CN101847677A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010143078.0
申请日：2010-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法，包括：第一步，生长缓冲层；第二步，生长电极层；其中，生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃；生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍；生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明，有效改善了氧化锌透明电极的界面性质，降低了LED的工作电压和串联电阻。
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公开(公告)号：CN101794851A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010113816.7
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三角形芯片的中心，P型条形电极首先沿垂直于三角形底边方向进行分布，然后再平行于三角形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证三角形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高三角形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794850A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010113804.4
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
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公开(公告)号：CN100563036C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710118632.8
申请日：2007-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；光刻出光刻胶图形阵列；以光刻胶图形阵列作掩膜，刻蚀出具有图形结构的二氧化硅膜；以具有图形结构的二氧化硅膜作为掩膜，刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；将蓝宝石衬底清洗干净；形成横截面为三角形的金字塔结构；在图形蓝宝石衬底上生长低温成核层；在低温成核层上继续升高温度生长n型掺杂的GaN层，生长出低位错密度且表面具有V形坑阵列结构；继续生长LED结构材料所需的多量子阱层和p型材料层，并使最终的表面仍具有V形坑阵列结构。
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公开(公告)号：CN101373714A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120612.4
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规模化和大面积制作。
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公开(公告)号：CN113921512A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187945.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种MicroLED三基色发光结构及其制备方法，涉及光电显示技术领域。所述发光结构包括：显示基板；位于所述显示基板上的无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构；位于所述显示基板上的无衬底红光OLED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底绿光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接；位于所述显示基板上的无衬底蓝光LED结构，与所述无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构连接。本发明公开的MicroLED三基色发光结构可以降低能耗，利用无衬底红光OLED结构代替AlGaInP红光LED结构，可以提高发光效率；利用无衬底高温多晶硅‑薄膜晶体管结构驱动，可以提高载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN108133992B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201711402665.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构，使该红光LED量子阱结构发出红光光子。本发明中倒装红光LED器件是吸收蓝光LED芯片发出的光子光泵发光，而非传统的电注入发光，避免了传统倒装红光LED复杂的外延生长工艺和芯片制备工艺，降低工艺复杂度，提高器件可靠性，并缩短芯片制造流程。
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