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公开(公告)号：CN104485578A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410764445.7
申请日：2014-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；器件基极层材料与有源层材料间的电流阻挡层可以作为发射极波导刻蚀的停止层，从而可以高精度的控制波导高度。通过选择性腐蚀掉发射极波导下的电流阻挡层材料，形成了对载流子侧向扩散的限制，有利于减少载流子在有源区侧壁的非辐射复合。这些措施可明显提高器件性能。
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公开(公告)号：CN102651535A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210154197.5
申请日：2012-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法，该双波长分布反馈集成激光器用于探测CO与CH4的浓度，该方法包括：在掺杂磷化铟衬底上制作长条形介质掩膜图形；在掺杂磷化铟衬底上外延生长有源增益区和复合光栅层，在该复合光栅层上制作光栅；在该光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层，并制作串行条形波导结构或并行条形波导耦合结构；其余按标准激光器管芯工艺和光纤耦合工艺完成后续制作，得到双波长分布反馈集成激光器。利用本发明提供的方法制作的双波长分布反馈集成激光器，结合目前通用的宽谱红外探测器及电路处理技术，能够将CO和CH4两种气体浓度的检测合并于同一仪器内，实现对CO与CH4两种气体浓度的快速检测和预警。
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公开(公告)号：CN102055133B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910237090.5
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤2：在激光器区域制作布拉格光栅，然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层；步骤3：在外延片上刻蚀脊型光波导，使用He离子注入提高隔离区电阻，然后钝化及平坦化表面，最后制作p型和n型电极。本发明工艺简单，可靠性高，消除了热电子对激光器性能的影响，提高了激光器的特征温度，可实现对激光器和调制器一定程度的独立优化。
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公开(公告)号：CN102044844B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010564545.7
申请日：2010-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在增益层上，其表面形成有取样光栅结构，该取样光栅光栅结构位于无源波导之上；一p-InP层制作在InGaAsP上限制层上；一p-InGaAsP刻蚀阻止层制作在p-InP层上；一上p-InP盖层制作在p-InGaAsP刻蚀阻止层上；一p-InGaAs接触层制作在上p-InP盖层上，其上形成有不同区段的隔离沟；一金属电极制作在p-InGaAs接触层的上表面，形成光栅分布布拉格反射可调谐激光器；其中该光栅分布布拉格反射可调谐激光器分为分布放大前取样光栅区、增益区、相区和分布放大的后取样光栅区。
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公开(公告)号：CN101826699B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910078863.X
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上外延制作多量子阱有源区；在多量子阱有源区上制作一光栅；在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；在光限制层上生长电接触层；在电接触层上制作P面电极；在P面电极上横向制作出两条电极隔离沟，该两条电极隔离沟之间为自脉动激光器的第一分布反馈激光器，一侧为自脉动激光器的第二分布反馈激光器，另一侧为电吸收调制器；衬底减薄后在整个管芯的底部制作N面电极；在管芯的一端蒸镀高反射膜，另一端蒸镀抗反射薄膜，完成器件的制作。利用本发明，降低了ROF系统发射器的功率损耗和制作成本，提高了系统的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102280513A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110119980.3
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
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公开(公告)号：CN102227005A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110155465.0
申请日：2011-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法，包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层，在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法，形成n型掺杂层，环形n型掺杂层形成PN结保护环，圆形n型掺杂层形成PN结光敏区；在硫系环境下，采用超快激光脉冲辐照n型硅靶材表面的方法，在圆形PN结光敏区的表面形成硅纳米点层；在硅纳米点层上面淀积一层增透膜层；光刻增透膜层，在增透膜层的表面形成环形电极窗口；在环形电极窗口上制备光敏区正面接触电极；在保护环上制备正面接触电极；在p型硅基衬底的背面制备背面接触电极，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101807616B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010113777.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101752482B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810240354.8
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种宽光谱自组织量子点材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作介质掩模图形；步骤2：在制作有介质掩模图形的衬底上依次生长量子点缓冲层材料、量子点层材料及量子点盖层材料。本发明是在衬底上制作宽度或掩模间距周期性由大到小逐渐变化的介质掩模，介质掩模宽度大或间距小的掩模间衬底部分量子点尺寸大发光波长长，而介质掩模宽度小或间距大的掩模间衬底表面量子点尺寸小发光波长短，连续变化的掩模宽度/间距对量子点的发光具有连续的调制作用，结合量子点固有的光谱非均匀展宽效应，能够得到宽光谱量子点材料。
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公开(公告)号：CN101752789B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810240353.3
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。
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