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公开(公告)号：CN117133328A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311100722.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明提供了一种铁电电容型存储器可重构光电存内逻辑操作方法，属于感存内计算领域。所述的铁电电容型存储器包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述的顶电极施加输入电压信号A和光信号B前的Cacc记为铁电电容型存储器的初始电容状态S。所述的铁电电容型存储器，当初始电容状态S＝1时，输出Y输出为“与非门”逻辑，当初始电容状态S＝0时，输出Y输出为“非门”逻辑，通过调控初始电容状态S实现铁电电容型存储器的“与非门”和“非门”可重构光电存内逻辑功能。本发明提供的可重构光电存内逻辑功能实现方法可以使铁电电容型存储器应用于发展高能效、低功耗、高算力感存算一体化器件及芯片技术。
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公开(公告)号：CN116322044B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310566279.9
申请日：2023-05-19
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，包括接入晶体管、公用底电极、若干个顶电极，公用底电极上设有MPB氧化铪基介电层，顶电极沿着竖直方向依次设置，MPB氧化铪基介电层设置在公用底电极和顶电极之间；公用底电极、MPB氧化铪基介电层以及一个顶电极构成一个MPB氧化铪基电容，多个MPB氧化铪基电容垂直堆叠。本发明针对集成电路产业的海量信息存算需求，以及“1T‑1C”DRAM随特征尺寸持续缩放的存储窗口和电荷信号密度，提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，通过多态相边界材料的超高介电特性，显著提升DRAM电荷信号密度并支撑多值存储及存算融合DRAM应用，以满足后摩尔时代集成电路对于信息密度与功能的升级需求。
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公开(公告)号：CN116314430A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310400635.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种基于异质结的铁电电容型光电探测器件，包括依次设置的底电极、GeSn层、SiGeSn层、铁电介质层和顶电极；GeSn层与SiGeSn层形成SiGeSn/GeSn异质结，即半导体层；光电探测信息通过耗尽层电容状态表征：其中，无光信号情况下，无极化翻转电流，耗尽层电容为低电容状态；有光信号情况下，产生极化翻转电流，耗尽层电容呈高电容状态；耗尽层电容为SiGeSn/GeSn异质结构成的半导体层与铁电介质层的接触界面处的耗尽层产生的电容，本发明实现了中红外宽光谱检测功能，同时利用半导体构成的异质结构大大提高光电探测器件的探测灵敏度，且具备低功耗和高集成度特性。
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公开(公告)号：CN115781046A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211507127.3
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开一种激光剥离氧化镓的方法。本发明通过向氧化镓内部照射具有预定波长的超短脉冲激光，使激光聚焦在距离表面特定厚度的位置发生双光子吸收过程，该过程产生的高温引起氧化镓热分解，从而达到剥离氧化镓的目的。本发明的剥离方法相比传统衬底切割技术，可显著降低氧化镓衬底的切割消耗，切割后的衬底经过抛光后可以重复使用，有助于降低氧化镓器件制造成本。
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公开(公告)号：CN114429992A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111574688.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管，主要解决现有技术栅控能力弱，器件性能差的问题，其包括：纳米线沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、控制栅极(4)、栅极隔离区(5)、编程栅极(6)、载流子控制层(7)和侧墙(8)，该源区和漏区分别位于圆柱状纳米线沟道的两端，载流子控制层和侧墙包裹在纳米线沟道的外侧，且侧墙位于载流子控制层的两端，厚度大于载流子控制层；该控制栅极、栅极隔离区和编程栅极从左到右分布在载流子控制层的外部，其中载流子控制层采用铁电材料，通过改变两个栅极的脉冲极性，使该层极化反转，实现不同类型的载流子掺杂。本发明增强了栅控能力，提高器件性能，可用于可编程逻辑阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120065224A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510471151.3
申请日：2025-04-15
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏和加权低秩的多通道雷达前视成像方法，解决了现有技术中在复杂的成像场景下，前视超分辨成像效果受到限制的问题；该方法包括：建立多通道雷达单发单收模式下的回波信号模型，并得到各目标对应的回波信号；再进行脉冲压缩及校正处理后表示为二维回波矩阵，对二维回波矩阵中的目标信号矩阵进行加权处理，得到具有低秩特性的加权目标信号矩阵；根据回波信号模型中目标的稀疏性和加权目标信号矩阵的低秩特性，得到前视成像模型；在ADMM框架下基于ALM对前视成像模型进行求解，得到重构的前视高分辨图像；该方法实现了通过稀疏和加权低秩双重约束，进而得到高质量、高分辨率的重构的前视高分辨图像。
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公开(公告)号：CN114927572B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210385996.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。
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公开(公告)号：CN119133249A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411268833.6
申请日：2024-09-11
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明公开了一种异质外延氧化镓晶体管及制备方法，涉及半导体功率器件领域，用于提升异质外延生长制备器件的电学性能。本发明在蓝宝石衬底上异质外延生长掺杂浓度逐渐变化的氧化镓层，进行离子注入后高温长时间慢速热退火，在氧化镓层表面中部刻蚀栅极凹槽，并沉积高温稳定的厚栅介质叠层，制备栅金属与栅场板形成栅极，在氧化镓层表面两侧制备源金属、源场板和漏金属，最后进行介质后退火。本发明的晶体管具有制备成本低、高温热稳定性强、高开关比、高击穿电压的特点。
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公开(公告)号：CN118919587A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411420332.5
申请日：2024-10-12
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScN/Ga2O3异质结构，其中每一AlScN/Ga2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场，采用横向电场的AlScN/Ga2O3异质结构解决纵向电场的AlScN漏电而导致的光暗电流比低的问题，同时仍然保持氧化镓异质结日盲探测器的高响应度的优点。
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公开(公告)号：CN118588784B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411069192.1
申请日：2024-08-06
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。
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