公开(公告)号：CN119584700A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510135565.9

申请日：2025-02-07

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  王瑜 ,  王轶博 ,  韩根全

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/30 ,  H10F30/21

Abstract: 本方案提供了一种基于双功能自组装钝化层的氧化镓紫外探测器及其制备方法，包括自下而上设置的衬底层、氧化剂层和双功能自组装钝化层，双功能自组装钝化层的两侧设有同氧化镓层接触的金属电极，其中双功能自组装钝化层包括自下而上设置的第一钝化层和第二钝化层，其中第一钝化层的钝化材料为降低氧化镓层表面缺陷的材料，第二钝化层的钝化材料为增强紫外光子吸收率的材料，通过将不同功能的钝化材料组合形成双功能自组装钝化层，采用双功能自组装钝化层对氧化镓紫外探测器进行钝化处理，从减少氧化镓表面缺陷和增强紫外光子吸收两方面共同提升其性能。

公开(公告)号：CN118213406A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410356200.4

申请日：2024-03-27

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 王轶博 ,  韩根全 ,  贾晓乐 ,  黄舒琪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种氧化镓MOSFET及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该氧化镓MOSFET的N型氧化镓导电层为含NH3等离子改性的N型氧化镓导电层，经过NH3等离子处理后显著降低了氧化铝与氧化镓界面的缺陷，使得浅能级界面缺陷最低达到了7.5×109cm‑2eV‑1，为目前报道过的氧化铝与氧化镓界面的缺陷密度的最低值。

公开(公告)号：CN119133249A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411268833.6

申请日：2024-09-11

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 韩根全 ,  王轶博 ,  於春晓

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开了一种异质外延氧化镓晶体管及制备方法，涉及半导体功率器件领域，用于提升异质外延生长制备器件的电学性能。本发明在蓝宝石衬底上异质外延生长掺杂浓度逐渐变化的氧化镓层，进行离子注入后高温长时间慢速热退火，在氧化镓层表面中部刻蚀栅极凹槽，并沉积高温稳定的厚栅介质叠层，制备栅金属与栅场板形成栅极，在氧化镓层表面两侧制备源金属、源场板和漏金属，最后进行介质后退火。本发明的晶体管具有制备成本低、高温热稳定性强、高开关比、高击穿电压的特点。

公开(公告)号：CN118472093A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410665355.6

申请日：2024-05-27

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 方慈浙 ,  陈昊伟 ,  李晓茜 ,  王轶博 ,  刘艳 ,  郝跃 ,  韩根全

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了基于异质集成超表面的氧化镓日盲紫外探测器及方法，包括：衬底、氧化镓有源层、超表面阵列、电极，氧化镓有源层位于衬底之上，超表面阵列分布在氧化镓有源层上，电极在氧化镓有源层之上，且分布于超表面阵列两侧；所述超表面阵列由若干超表面单元组成，各超表面单元的电介质材料使其与氧化镓有源层界面处形成空间电荷区，其中靠近氧化镓有源层的一侧为正空间电荷区，靠经超表面单元的一侧为负空间电荷区，正负空间电荷区之间产生内建电场。本发明能有效提升氧化镓光吸收，超表面阵列与氧化镓形成异质结，产生内建电场加快光生载流子的分离，提高器件响应速度。