公开(公告)号：CN114927572B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202210385996.7

申请日：2022-04-13

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘艳 ,  姚育鹏 ,  周久人 ,  张洪瑞 ,  补钰煜 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27 ,  H10D64/01

Abstract: 一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。

公开(公告)号：CN114927572A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210385996.7

申请日：2022-04-13

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘艳 ,  姚育鹏 ,  周久人 ,  张洪瑞 ,  补钰煜 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。