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公开(公告)号：CN110311660B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201910592627.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的D触发器，D触发器有时钟信号输入端C和数据信号输入端D，第一输出端Q和第二输出端QN；时钟输入电路的输入端与时钟信号输入端C连接，输出端分别与开关控制RC滤波结构型主锁存器和开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；SEU监测电路分别与开关控制RC滤波结构型主锁存器及开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；开关控制RC滤波结构型主锁存器电路分别与数据信号输入端D和开关控制RC滤波结构型从锁存器连接；开关控制RC滤波结构型从锁存器与输出电路连接；输出电路还分别连接第一输出端Q及第二输出端QN。本发明具有良好的单粒子加固能力，并克服了加固触发器不能应用于高速无辐照环境的局限性。
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公开(公告)号：CN112422955B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011166168.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，属于仿真分析领域。一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，包括以下步骤：1)对ADC比较器的翻转进行仿真分析，得出翻转区间偏移；2)计算所述翻转区间偏移分布在ADC计数器的一个时钟周期内的概率和跨越多个时钟周期的概率，并计算由此而引起的CMOS图像传感器噪声电压；3)将所述CMOS图像传感器噪声电压和对应的概率相乘，得到由ADC固有噪声引起的CMOS图像传感器噪声的计算值。本发明的分析方法，确定了由ADC固有噪声而引起CMOS图像传感器的整体噪声，在设计阶段有利于明确设计值是否满足设计要求，为噪声设计改进提供依据。
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公开(公告)号：CN111739569B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010567437.9
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G11C11/413 , G11C16/26 , G11C16/34
Abstract: 本发明公开了一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法，该系统的N个写数据缓存FIFO，N个读数据缓存FIFO，FIFO缓存控制模块和SDRAM时序控制模块；该系统中FIFO缓存控制模块在不断的对SDRAM时序控制模块发出针对SDRAM的初始化、读、读刷新、写和写刷新操作的指令，使得SDRAM不断的进行读写操作，但因为SDRAM在同一个时间只能进行一个操作，因此通过写数据缓存FIFO和读数据缓存FIFO不断进行数据的读取和缓存，使得从外部客户端的角度，该系统能够不间断的同步读写。
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公开(公告)号：CN111263088B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010117697.6
申请日：2020-02-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 一种用于8T像元的高速采样电路及其控制方法，采样电路中包括运算放大，外接测试光电信号选通开关，外接测试复位信号选通开关，列采样开关，可调采样电容控制开关，可调反馈电容控制开关，缓冲开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，采样电容，反馈电容以及输出采样电容。不同于传统的相关双采样电路，本发明通过连续流水采样电路提高读出电路的输出速率，具有外部可测性设计、去失调设计、低噪声时序设计和高速输出采样设计，提高了数据处理速度。
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公开(公告)号：CN114050155A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111264689.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于收发器的高耐压抗静电结构，多个对应端口两侧均连接有高耐压二极管结构，端口均为仅一侧导通高耐压二极管结构的阳极，形成多个对应端口线路组，且每个对应端口线路组至少形成两条放电通道；通过反偏二极管和正偏二级管的组合，端口到端口之间至少存在两条放电通道，大幅度减小了单条放电通道的压力，满足超高电压静电放电要求，当端口到端口的其中一条放电通道负荷过重，另外一条放电通道负荷较轻，则均衡放电通道平衡器件被触发，承受电压过大的一侧，通过均衡放电通道平衡器件向负荷较轻的一侧分流，实现双侧均衡放电，双侧均衡放电技术，有效避免了单一通道放电负荷过大而另一通道负荷较小的放电不平衡问题，显著提升器件的抗静电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111294530B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010100289.X
申请日：2020-02-18
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于图像传感器技术领域，公开了一种用于图像传感器的自由亚采样型行逻辑电路及其工作方法。本发明通过开窗译码模块、亚采样状态标识模块、LATCH阵列、全局控制器及成像控制逻辑模块完成对图像传感器像元行的控制；支持多种曝光模式；通过像元阵列的亚采样标识，实现超大规模像元阵列的全面阵自由亚采样；通过地址标识及亚采样指针链的设计，支持开窗范围内的小区域亚采样标记；支持亚采样一键关断；通过时钟门控设计，令亚采样标识与像元成像工作频率不同，实现亚采样快速标定。设计结构简单、配置灵活、适用范围广、支持复用拼接，可应用于不同类型的图像传感器芯片电路。
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公开(公告)号：CN111757033A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010613941.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的列读出电路校准系统及方法，通过在CMOS图像传感器上集成与有效列读出电路通过选通开关并联的校准列读出电路；利用有效列读出电路的读出数据判断CMOS图像传感器上有效列读出电路列的失效情况；通过校准列读出电路获取CMOS图像传感器上校准列读出电路的读出数据，根据校准列读出电路的读出数据判断校准列读出电路列的失效情况；利用校准列读出电路的有效列电路替换有效列读出电路的失效列电路，实现CMOS图像传感器的列读出电路校准，通过测试确定有效列读出电路中失效列，利用校准列读出电路实现失效列校准，可有效降低坏列影响，提升电路成品率。
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公开(公告)号：CN111351589A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010158583.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法，温度传感器包括温度转电压模块以及单积分型ADC模块；温度转电压模块包括比例电流生成电路，比例电流生成电路将电流源转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极-发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，单积分型ADC模块将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。本发明温度传感器的控制方法通过采用两次采样两次转换的方法，在不增加电路复杂程度的前提下提高了片上温度传感器的精度。
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公开(公告)号：CN111313851A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010121621.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F3/45
Abstract: 一种LVDS用高速数据传输预加重电路及其控制方法，采用两条预加重电流源电路、两个高增益宽带运算放大器以及四个预加重状态切换开关形成基本电路架构，在经典桥型开关电流源拓扑结构基础上增加四个预加重状态切换开关以及一个高增益宽带运算放大器实现对高速数据信号传输过程中高频分量进行幅度增强，以补偿高速信号传输过程信号幅值信息的衰减。本发明能够实现高速数据传输时明显提升共模电压的负反馈调节速度和精度，通过双高增益和宽带运放设计能够解决高速数据传输时共模信号恶化的问题，同时能够有效改善差分信号波形一致性差的问题，达到提升LVDS发送器电路整体信号完整性和减小误码率目的。
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公开(公告)号：CN111263088A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010117697.6
申请日：2020-02-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 一种用于8T像元的高速采样电路及其控制方法，采样电路中包括运算放大，外接测试光电信号选通开关，外接测试复位信号选通开关，列采样开关，可调采样电容控制开关，可调反馈电容控制开关，缓冲开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，采样电容，反馈电容以及输出采样电容。不同于传统的相关双采样电路，本发明通过连续流水采样电路提高读出电路的输出速率，具有外部可测性设计、去失调设计、低噪声时序设计和高速输出采样设计，提高了数据处理速度。
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