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公开(公告)号:CN114896184A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210567535.1
申请日:2022-05-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域,公开了一种DMA控制器FPGA及基于其的固态存储器,包括FPGA本体,FPGA本体上设置数据信号输出接口以及若干数据信号输入接口;FPGA本体内部设置复接缓冲区模块以及组帧模块,复接缓冲区模块内部设置若干双口RAM;各数据信号输入接口分别用于输入数据信号至各双口RAM;双口RAM用于缓存数据信号至数据信号占双口RAM内存的比例至预设值,生成RAM读请求信号发送至组帧模块;组帧模块根据各双口RAM的RAM读请求信号,从各双口RAM中读取待读取的数据信号,并在从各双口RAM中读取的数据信号中添加各双口RAM预设的标识符,得到组帧数据信号。实现对多路数据同时接收且不断流的功能,对输入数据进行分类组帧,再传输到下一级,起到去繁化简的作用。
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公开(公告)号:CN114896184B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202210567535.1
申请日:2022-05-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域,公开了一种DMA控制器FPGA及基于其的固态存储器,包括FPGA本体,FPGA本体上设置数据信号输出接口以及若干数据信号输入接口;FPGA本体内部设置复接缓冲区模块以及组帧模块,复接缓冲区模块内部设置若干双口RAM;各数据信号输入接口分别用于输入数据信号至各双口RAM;双口RAM用于缓存数据信号至数据信号占双口RAM内存的比例至预设值,生成RAM读请求信号发送至组帧模块;组帧模块根据各双口RAM的RAM读请求信号,从各双口RAM中读取待读取的数据信号,并在从各双口RAM中读取的数据信号中添加各双口RAM预设的标识符,得到组帧数据信号。实现对多路数据同时接收且不断流的功能,对输入数据进行分类组帧,再传输到下一级,起到去繁化简的作用。
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公开(公告)号:CN111739569A
公开(公告)日:2020-10-02
申请号:CN202010567437.9
申请日:2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G11C11/413 , G11C16/26 , G11C16/34
Abstract: 本发明公开了一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法,该系统的N个写数据缓存FIFO,N个读数据缓存FIFO,FIFO缓存控制模块和SDRAM时序控制模块;该系统中FIFO缓存控制模块在不断的对SDRAM时序控制模块发出针对SDRAM的初始化、读、读刷新、写和写刷新操作的指令,使得SDRAM不断的进行读写操作,但因为SDRAM在同一个时间只能进行一个操作,因此通过写数据缓存FIFO和读数据缓存FIFO不断进行数据的读取和缓存,使得从外部客户端的角度,该系统能够不间断的同步读写。
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公开(公告)号:CN117931080A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202410108597.5
申请日:2024-01-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种固态存储器及其分类存储和检索回放方法,包括FPGA、MRAM和FLASH存储阵列,其中MRAM和FLASH存储阵列均与FPGA硬件连接,FPGA用于多通道载荷的接收、分类标识、缓存及回放,MRAM用于载荷类型映射表的存储,FLASH存储阵列用于多通道载荷数据的存储,本发明采用FPGA+MRAM+FLASH存储阵列的硬件架构,能够实现多通道载荷数据的分类存储及检索回放,无需在固态存储器外部进行,提高了工作效率,同时对于提高固态存储器产品的功能性能多样化具有重要意义。
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公开(公告)号:CN111739569B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202010567437.9
申请日:2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G11C11/413 , G11C16/26 , G11C16/34
Abstract: 本发明公开了一种边读边写的SDRAM控制系统及控制方法,该系统的N个写数据缓存FIFO,N个读数据缓存FIFO,FIFO缓存控制模块和SDRAM时序控制模块;该系统中FIFO缓存控制模块在不断的对SDRAM时序控制模块发出针对SDRAM的初始化、读、读刷新、写和写刷新操作的指令,使得SDRAM不断的进行读写操作,但因为SDRAM在同一个时间只能进行一个操作,因此通过写数据缓存FIFO和读数据缓存FIFO不断进行数据的读取和缓存,使得从外部客户端的角度,该系统能够不间断的同步读写。
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