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公开(公告)号：CN105390611B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510665569.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。
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公开(公告)号：CN106098936B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610591480.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的右侧；若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的上方。本发明通过等离子处理氧化物介质，增强了突触权重变化率的重现性和调节范围，从而提升突触性能。
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公开(公告)号：CN108983749A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810750695.3
申请日：2018-07-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及基于K-SVD训练稀疏字典的光伏阵列故障诊断方法。采集多组光伏发电阵列正常，短路和开路电流样本信号，构造训练样本矩阵；对每个样本信号进行归一化处理；调用K-SVD算法，确定训练样本矩阵的行数N，列数M，稀疏字典的词汇量K，稀疏度L，以及迭代次数n；利用正常样本矩阵，短路样本矩阵和开路样本矩阵分别训练出正常稀疏字典，短路稀疏字典及开路稀疏字典；调用OMP算法，分别利用三种稀疏字典重构检测样本信号，并计算出三种重构信号和检测样本信号的相关系数；根据检测样本信号和稀疏字典重构信号相关系数的大小实现光伏发电阵列故障的诊断与分类。本发明能够为光伏故障诊断提供了研究经验和研究思路。
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公开(公告)号：CN108933178A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810734872.9
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/263
Abstract: 本发明涉及一种包括重掺硅/二氧化硅衬底，氧化物线状介质、源电极和漏电极；所述重掺硅/二氧化硅衬底，重掺硅作为栅极；所述氧化物线状介质设置于重掺硅/二氧化硅衬底上方，作为导电沟道；所述源电极和漏电极分别设置于氧化物线状介质的两端，并与重掺硅/二氧化硅衬底形成电接触。本发明经等离子处理后增强了其电阻调节线性度，减少了转变过程的权重遗失，使得该器件更有利于作为电子突触使用。
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公开(公告)号：CN105226183B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510678680.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105259490B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510740274.9
申请日：2015-11-04
Applicant: 福州大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种区分光致反常霍尔效应本征机制和非本征机制的方法，按照如下步骤实现：选择符合预设条件的闪锌矿半导体量子阱材料；在相同的生长条件下生长两个不同阱宽的半导体量子阱；分别测量两个半导体量子阱的光致反常霍尔效应电流以及普通光电流信号，得到光致反常霍尔电导对普通光电导信号的比值；分别测量两个半导体量子阱的光致电流效应电流，并对应将分别由Rashba以及Dresselhaus自旋轨道耦合引起的光致电流效应电流分离出来；根据测得的光致反常霍尔电导、普通光电导以及光致电流效应电流列方程，并求解出本征和非本征机制对光致反常霍尔效应电流的贡献。本发明结构设计简单，易于操作，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN105428217B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510814405.3
申请日：2015-11-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/225 , H01L21/324 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法，其是采用真空蒸发法，在两层硫化铟薄膜之间蒸发一层很薄的Cu，然后通过热退火使得Cu扩散到硫化铟薄膜中，达到制备Cu掺杂硫化铟薄膜的目的。本发明可以通过控制蒸发Cu的量来控制掺杂浓度，从而起到不同程度降低薄膜电阻率的目的。本发明制备的薄膜可用于作为太阳能电池的缓冲层。
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公开(公告)号：CN106611707A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201710016991.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L21/66 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L29/66462 , B82Y30/00 , H01L22/14 , H01L29/0684
Abstract: 本发明涉及一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法，过改变入射激光波长有效调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势。本发明的方法调控效果显著，实施简便。
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公开(公告)号：CN104779304B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510152889.X
申请日：2015-04-02
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/00
Abstract: 本发明涉及一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，选用无掺杂高质量的半导体量子阱材料，用能量高于此半导体量子阱带隙的光照射样品，同时改变半导体量子阱的温度来调控量子阱中Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的比值。本发明利用半导体量子阱中光生激子数量随温度的变化效应以及离化激子对内建电场的调控效应，来实现对Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值进行调控的目的，方法简单易行，调控效果明显。
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公开(公告)号：CN105304690A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510682641.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L29/151
Abstract: 本发明涉及一种调控闪锌矿结构半导体量子阱自旋轨道耦合的方法，通过改变闪锌矿半导体量子阱的阱宽以及在量子阱的其中一个界面上插入超薄InAs层来调控半导体量子阱的Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的比值。此方法简单易行，调控效果明显。
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