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公开(公告)号：CN210640235U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921685655.1
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块及具有其的电子设备；智能功率模块包括陶瓷基板和分别连接于所述陶瓷基板两侧第一框架和第二框架，所述陶瓷基板包括沿预设方向依次设置的多个陶瓷板块，相邻两个所述陶瓷板块通过连接组件连接。根据本实用新型提供的智能功率模块，将陶瓷基板分割多个陶瓷板块，多个陶瓷板块通过连接组件拼接形成一整体，避免应力集中，防止陶瓷基板在安装时因受力不均匀而产生裂痕。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208478320U
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201821288481.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本实用新型将封装体浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211828735U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020277550.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型涉及一种陶瓷基板结构及智能功率模块及其制备方法，用于解决陶瓷基板塑封时出现溢胶的技术问题。本实用新型的装置，包括陶瓷基板；以及固定部，其设置在陶瓷基板上，用于将引线框架的插入部固定。本实用新型通过在陶瓷基板的内部设置用于固定引脚框架的插入部的固定部，因此陶瓷基板与引脚框架的连接处位于陶瓷基板的内部，从而保证陶瓷基板与引脚框架平行，能够避免因刷锡膏厚度不均匀造成的陶瓷基板倾斜，导致在塑封时出现溢胶的现象并避免由于陶瓷基板与引脚框架贴合的过于紧密而造成翘曲甚至开裂的现象。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211428141U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020267141.0
申请日：2020-03-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/15 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型提出了一种分立器件，它包括依次设置的散热器、覆铜陶瓷板和芯片，所述覆铜陶瓷板的至少一部分设置在所述散热器的内部，所述芯片设置在所述覆铜陶瓷板上。本实用新型通过利用覆铜陶瓷板代替铜框架，利用覆铜陶瓷板产品本身导热系数好，自带绝缘的特性，使覆铜陶瓷板至少部分设置在散热器的内部，该分立器件与一般铜框架产品相比，芯片到散热器之间仅有覆铜陶瓷板，因而拥有更好的散热系数以及应用端的操作更加便利，有效减少了因操作失误导致的产品的失效。通过将覆铜陶瓷板直接集成在散热器内部，增大了覆铜陶瓷板与散热器的接触面积更大，散热性能也更大提升。
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公开(公告)号：CN210956673U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020117568.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/367 , H02M7/5387 , H02M1/42 , H02M7/06
Abstract: 本实用新型涉及电子电路技术领域，公开了一种功率模块及电子设备，该功率模块包括由多块板体拼接而成的具有立体结构的基体，其中，基体具有多个面，且至少两个面对应的板体上设有功能芯片，相互对应、且位于不同板体上的功能芯片之间通过引线键合；该电子设备设有上述功率模块。该功率模块及电子设备中基体均为多个板体拼接而成的立体结构，且至少基体两个面对应的板体上设有功能芯片，将功率模块中的功能芯片设置在了立体结构的基体的至少两个面上，相比于功能芯片的平面封装，在相同体积下，能够封装更大面积的功能芯片，功率模块的电流密度更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208422903U
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201821259335.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及晶体管封装技术领域，公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，该沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，引线框架包括用于固定沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接发射极金属层与发射极引脚的第一焊线，第一焊线一端与发射极金属层背离沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与发射极引出端连接形成第二焊点，且第一焊点的延伸方向垂直于沟槽型栅极沟槽的延伸方向。该封装结构减小了单个沟槽的应力，提高了焊线良率，提高了芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208256642U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820617150.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 江伟
IPC: H01L21/768 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/97
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件及集成半导体器件，该半导体器件包括：铜桥框架；引线框架；铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，引线框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架、芯片与引线框架通过塑封材料塑封在一起，铜桥框架背离芯片一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片一侧从所述塑封材料中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，从而加强了芯片的散热，延长了器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214848626U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121195951.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型提供一种IPM模块的下桥连接结构、IPM模块和电子设备，该IPM模块的下桥连接结构包括基板、下桥芯片、公共端焊盘、下桥引脚、第一连接导线以及第二连接导线；基板上设置有桥接导体部；各下桥引脚与下桥芯片电连接，下桥芯片的发射极与各第一连接导线的一端电连接，各第一连接导线的另一端与各桥接导体部一一对应电连接，各桥接导体部与各第二连接导线的一端一一对应电连接，各第二连接导线的另一端与公共端焊盘电连接。通过在基板上设置与基板上其他金属元件不连接的桥接导体部，使得下桥芯片的发射极能够通过第一连接导线和第二连接导线连接至公共端焊盘，避免了发射极感生电流，避免影响到开通速度，避免因开通慢增加损耗。
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公开(公告)号：CN213692041U
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202023058405.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开一种引线框架及芯片封装结构，该引线框架包括：散热片，散热片具有相对的第一表面和第二表面，以及，连接第一表面和第二表面的第三表面，第一表面具有用于安装芯片的基岛区；沿第二表面的边缘具有第一区域，沿第一区域具有间隔设置的多个镂空结构，每个镂空结构由第一表面贯穿至第二表面。在上述引线框架中，当利用该引线框架封装芯片时，芯片安装在第一表面的基岛区，可以通过在第一表面一侧注入塑封料以形成塑封结构，塑封结构覆盖在第一表面，并将芯片包裹，且填充于上述多个镂空结构中，增加了与散热片的结合面积，从而，提高引线框架与塑封结构的结合强度，可有效避免引线框架和塑封结构分层或开裂。
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公开(公告)号：CN211828749U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020023540.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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