超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109821480A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910085279.0

    申请日:2019-01-29

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一种超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法。该方法包括以下步骤:(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体;(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中,再装入高温高压组装块中;(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理;(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。上述超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法,以C60富勒烯粉末为原料,利用高温高压试验,通过调控温度与压力之间的关系,探索了C60富勒烯在高压下的相变行为,合成了具有高硬或超高硬度、致密的、半导体性质的非晶碳块体材料,具有广阔的应用前景。

    一种新型玻璃碳的制备方法

    公开(公告)号:CN109573979A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201910073184.7

    申请日:2019-01-25

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型玻璃碳的制备方法,属于无机非金属材料领域。本发明主要以普通玻璃碳为原料,利用国产CS-1B型六面顶压机进行高压实验。在压力为1-6GPa,温度为25-2000℃,保压保温时间为15-120分钟的实验条件下,通过调控压力、温度及保温时间三个因素之间的关系,获得了力学性能优异的新型玻璃碳材料。本发明所制产品具有更优异的力学性能,抗压强度可达2.5GPa、硬度可达10GPa,约为普通玻璃碳的两倍;压痕弹性恢复率高达86-90%。本发明制备的新型玻璃碳材料,所用原料廉价易得,制备工艺简单,可大规模生产,并在目前所有普通玻璃碳的应用领域都具有可观的应用前景。

    一种制备碳包裹的碳化硼纳米粉体的方法

    公开(公告)号:CN108249443A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810189072.3

    申请日:2018-03-08

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种制备碳包裹的碳化硼纳米粉体的方法,其主要是将硼酸和蔗糖按摩尔比B:C=1:1混合,并加入到去离子水中搅拌至完全溶解,得到无色透明的硼酸和蔗糖混合溶液;将得到的无色透明混合溶液在80‑200℃加热烘干并搅拌,得到红褐色固体,将固体用玛瑙研钵研磨,制得红褐色粉末;将得到的红褐色粉末在真空条件下加热至1550‑1600℃,保温5‑10分钟后缓慢降温,得到碳包裹的B4C碳化硼纳米粉体。本发明所用原料廉价易得,制备工艺简单,可用于大规模生产;将过量的碳控制在纳米级别,B4C粉体的粒径小而均匀,一般在100nm以下,B4C纳米颗粒的碳包裹层均匀,且厚度小于5nm。

    CaB4化合物晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN100376725C

    公开(公告)日:2008-03-26

    申请号:CN200610048112.X

    申请日:2006-08-03

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开一种新型二元CaB4化合物晶体及其制备方法。CaB4化合物晶体的外观为具有金属光泽的黑色晶体,其化学成分为:Ca∶B=1∶4,晶体结构为四方结构,空间群为P4/mbm,晶格参数a=b=0.7174nm,c=0.4103nm,具有金属性质。其制备方法是:(1)将纯Ca和B按1∶4比例配制,在Ar气的环境下充分混合压片,外包Ta片;(2)经过1200~1600℃高温和1~6GPa高压处理后,用稀盐酸溶掉剩余的Ca和CaO,得到CaB4化合物晶体。这种新型非金属材料极有可能成为一种新型电子元件的制造材料。

    导电的超硬材料BxCy化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN101121517A

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200710062278.1

    申请日:2007-07-09

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一种导电的超硬材料BxCy化合物及其制备方法。特征是:BxCy化合物的化学成分为:B 5~30%、C 70-95%,具有闪锌矿或纤锌矿的结构;其中的B-C键及C-C键具有sp3杂化特征,硬度大于40GPa,可导电。制备步骤是:采用BxCy前驱物和Mg-Ni合金触媒混合后压成圆片,或采用BxCy前驱物与Mg-Ni合金触媒分别压成圆片,放入高压压腔中;在1200~1800℃高温和3~10GPa高压下,在压机上进行高温高压合成;将获得的产物用稀硫酸和稀硝酸混合液溶掉触媒,烘干。

    乱层石墨结构B0.4~0.6C0.1~0.3N0.1~0.3化合物及其化学法制备

    公开(公告)号:CN1397486A

    公开(公告)日:2003-02-19

    申请号:CN02104857.6

    申请日:2002-02-15

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一种乱层石墨结构B0.4~0.6C0.1~0.3N0.1~0.3化合物及其化学制备方法。这种乱层石墨结构B0.4~0.6C0.1~0.3N0.1~0.3化合物具有乱层石墨结构,其化学成分为:B40~60%、C10-30%、N10-30%。本发明可以提供一种高硼含量B0.4~0.6C0.1~0.3N0.1~0.3化合物及其制备方法,这种化合物可以作为高温高压、冲击合成等方法合成高硼含量B0.4~0.6C0.1~0.3N0.1~0.3晶体的前驱物或制备高硼含量B0.4~0.6C0.1~0.3N0.1~0.3功能薄膜用的靶材。

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