-
公开(公告)号：CN111226307A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067635.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。
-
公开(公告)号：CN106489209B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580035556.7
申请日：2015-08-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。
-
公开(公告)号：CN105324510B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201480035394.2
申请日：2014-06-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L51/50 , H05B33/26 , C22F1/00 , C22F1/14
Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Bi 0.01～1.0原子％。
-
公开(公告)号：CN105324835B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480035855.6
申请日：2014-06-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。
-
公开(公告)号：CN105324510A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035394.2
申请日：2014-06-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L51/50 , H05B33/26 , C22F1/00 , C22F1/14
CPC classification number: H01B1/02 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L23/53247 , H01L51/5218 , H01L2924/0002 , Y10T428/12896 , H01L2924/00
Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Zn高于2.0原子且3.5原子％以下中的至少一种。上述Ag合金膜，也可以还含有Bi 0.01～1.0原子％。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265323B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
-
公开(公告)号：CN101971294B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980108416.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
-
公开(公告)号：CN102265323A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
-
公开(公告)号：CN102077323A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125535.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/28525 , H01L21/76843 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。
-
公开(公告)号：CN101971294A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108416.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
61
records
(took 0.043 seconds)
