公开(公告)号：CN100378974C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200310114841.7

申请日：2003-11-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 橘武史 ,  林和志 ,  井上宪一 ,  横田嘉宏 ,  小桥宏司 ,  川上信之 ,  古保里隆

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。

公开(公告)号：CN1627535A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410100654.8

申请日：2004-12-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 横田嘉宏 ,  川上信之 ,  橘武史 ,  林和志

IPC: H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/78

Abstract: 一种金刚石半导体器件，包括：大致由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，且与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层，充当沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层。第一和第二金刚石层分别具有彼此面对的第一和第二端部，第二端部和第一端部之间形成一空间。第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面。第三金刚石层在所述倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。

公开(公告)号：CN1499620A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114841.7

申请日：2003-11-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 橘武史 ,  林和志 ,  井上宪一 ,  横田嘉宏 ,  小桥宏司 ,  川上信之 ,  古保里隆

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。

公开(公告)号：CN102838242B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201210152478.7

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奈良井哲 ,  横田嘉宏 ,  林和志

IPC: C02F9/08 ,  C02F103/08

Abstract: 本发明提供一种海水的杀菌方法，其通过以电解后的紫外线光谱的峰值在特定范围产生的方式使海水电解，并在海水中产生臭氧等杀菌成分，从而能够有效地对海水进行杀菌。本发明使用一种海水的杀菌方法，其特征在于，通过以电解后的海水的紫外线吸收光谱的第1峰值在波长245～275nm之间产生、第2峰值在310～340nm之间产生的方式使海水电解，从而在海水中产生臭氧等杀菌成分。另外，优选以上述电解后的海水的紫外线光谱的第3峰值在波长280～305nm之间产生、第3峰值的吸光度比第1峰值和第2峰值的各吸光度更低的方式，使海水电解。

公开(公告)号：CN1804116A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510131594.0

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 横田嘉宏 ,  林和志 ,  橘武史 ,  小桥宏司

IPC: C23C16/27 ,  C30B25/00 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B29/04 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/274 ,  C23C16/277 ,  C23C16/279 ,  C30B25/105 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1602 ,  Y10T428/30

Abstract: 一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]－[O])/[CH3+H2+O2]大于等于－0.2×10－2、[O]/[C]小于等于1.2、基底温度为750－1000℃。

公开(公告)号：CN1721827A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510081955.5

申请日：2005-07-05

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  橘武史 ,  横田嘉宏 ,  川上信之

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/028 ,  G01J1/429 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/547

Abstract: 金刚石元件安装在设有一对金属互连件的、厚度不超过3毫米的绝缘基底材料上。在金刚石元件中，用作检测层的绝缘金刚石层沉积在衬底上，一对叉指型电极沉积在该绝缘金刚石层的表面上。金刚石元件的叉指型电极通过引线连接在沉积于绝缘基底材料上的金属互连件上。绝缘基底材料可透射待检测的紫外线辐射。即使在灯与照射目标之间的距离较短时，金刚石传感器也能够稳定地检测紫外线辐射。

公开(公告)号：CN103733310B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280035317.8

申请日：2012-07-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  奥野博行 ,  横田嘉宏

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76867 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。

公开(公告)号：CN101971294B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980108416.2

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  越智元隆 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  福间信也 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。

公开(公告)号：CN102263073A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110145074.0

申请日：2011-05-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 横田嘉宏 ,  长尾护 ,  橘武史

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种金刚石和铝的接合体及其制造方法，其具有用于安装金刚石板和功率半导体器件等的发热物的由纯铝或铝合金构成的金属膜，即使用2cm大小级别的大面积的金属膜，金刚石板和该金属膜的附着性也很高，翘曲小。一种金刚石和铝的接合体，其在金刚石板(11)上，按照从该金刚石板(11)侧开始的顺序，具有由含硅铝合金构成的中间层(31)和由纯铝或铝合金构成的金属膜(21)。

公开(公告)号：CN102077323A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125535.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  福间信也 ,  三木绫 ,  越智元隆 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。