公开(公告)号：CN107408579A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012805.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN107068767A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710155210.1

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN106256017A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580020352.6

申请日：2015-04-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  黑崎大辅

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体装置中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极；以及与氧化物半导体膜电连接的漏电极，在晶体管上设置有第二绝缘膜，在第二绝缘膜上设置有保护膜，第二绝缘膜包含氧，且保护膜包含用于氧化物半导体膜的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN106104772A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580010830.5

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  黑崎大辅

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种具有晶体管的半导体装置。该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分，第五绝缘膜包括第三部分。在利用热脱附谱分析法测量时，第一部分和从第二部分释放的氧分子的量少于从第三部分释放的氧分子的量。

公开(公告)号：CN112635573B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202011577605.9

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/34 ,  H10D64/68 ,  H10D86/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。

公开(公告)号：CN119856589A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064863.2

申请日：2023-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井口贵弘 ,  佐藤来 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H10D86/60 ,  H05B45/60 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种兼具低功耗及高性能的半导体装置。该半导体装置包括第一导电层、第二导电层、第一半导体层、第一半导体层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三导电层以及夹在第一导电层与第二导电层间的第一绝缘层。第一绝缘层具有到达第一导电层的第一开口。第二导电层具有第二开口。第一开口与第二开口从平面看时彼此重叠。第一半导体层在第一开口中与第一导电层的顶面及第一绝缘层的侧面接触。第一半导体层在第二开口中与第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第一开口中的第一绝缘层的侧面具有与第一导电层的顶面所成的角为10度以上且小于55度的区域。

公开(公告)号：CN119769196A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380060639.6

申请日：2023-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  吉住健辅

IPC: H10D30/67 ,  G02F1/1368 ,  H10K50/10 ,  H10D84/03 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83

Abstract: 提供一种能够实现微型化的晶体管。提供一种电特性良好的晶体管。半导体装置包括第一至第三导电层、第一至第三半导体层、第一及第二绝缘层。第二半导体层设置在第一导电层上，第一绝缘层设置在第二半导体层上，第二导电层设置在第一绝缘层上，第三半导体层设置在第二导电层上。第一绝缘层包括到达第二半导体层的开口。第一半导体层具有与第三半导体层接触的部分、在开口的内侧与第一绝缘层的侧面接触的部分以及与第二半导体层接触的部分。第二绝缘层覆盖第一半导体层。第三导电层隔着第二绝缘层重叠于第一半导体层。第一至第三半导体层包含硅。第二及第三半导体层包含相同的杂质元素。第一绝缘层包含氢、氮及硅。

公开(公告)号：CN119563389A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380034498.0

申请日：2023-04-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  大野正胜 ,  土桥正佳 ,  岛行德 ,  肥冢纯一

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种包括微型的晶体管的半导体装置(10)。该半导体装置包括第一晶体管(100)以及第二晶体管(200)。第一晶体管包括第一导电层(112a)、第一导电层上的第一绝缘层(110)、第一绝缘层上的第二绝缘层(120)、第二绝缘层上的第二导电层(112b)、第一半导体层(108)、第三绝缘层(106)以及第三导电层(104)。第一绝缘层、第二绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口(143)。第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二晶体管包括第二绝缘层上的第二半导体层(208)、第二半导体层上的第三绝缘层以及包括隔着第三绝缘层与第二半导体层重叠的区域的第四导电层(204)。

公开(公告)号：CN119137751A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380038452.6

申请日：2023-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  井口贵弘 ,  大野正胜 ,  土桥正佳 ,  肥冢纯一 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B45/60 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第四导电层、第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层，第一绝缘层位于第一导电层上，第二导电层隔着第一绝缘层位于第一导电层上，第二绝缘层覆盖第二导电层的顶面及侧面，第三导电层位于第二绝缘层上，半导体层与第一导电层的顶面、第二绝缘层的侧面以及第三导电层接触，第三绝缘层位于半导体层上，第四导电层隔着第三绝缘层位于半导体层上。

公开(公告)号：CN119013791A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033870.6

申请日：2023-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  肥塚纯一 ,  井口贵弘

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种包括微细尺寸的晶体管的半导体装置。其中第二导电层设置在第一导电层上，第二导电层包括与第一导电层重叠的第一开口，第三导电层设置在第二导电层上，第三导电层包括与第一开口重叠的第二开口，第一绝缘层与第二导电层所包括的第一开口的侧壁接触，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第三导电层的顶面接触，第二绝缘层设置在半导体层上，第四导电层设置在第二绝缘层上，第一绝缘层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与半导体层夹持的区域，半导体层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与第四导电层夹持的区域。