公开(公告)号：CN102544088A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110342602.1

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，其中该器件设置有：化合物半导体层；以及栅电极，经栅极绝缘膜而形成在该化合物半导体层上；其中，该栅极绝缘膜是包含SixNy作为绝缘材料的一种膜；该SixNy满足0.638≤x/y≤0.863，并且氢终端基团浓度被设定为不小于2×1022/cm3且不大于5×1022/cm3的范围内的值。采用本发明的器件及方法，制造出了高度可靠的化合物半导体器件，其中，栅极绝缘膜中的电荷陷阱显著减少，并且电特性的改变受到抑制。

公开(公告)号：CN101866949B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN102456730A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。

公开(公告)号：CN101866949A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。