公开(公告)号：CN102037260B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980118443.8

申请日：2009-05-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本华尔卡工业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  佐藤广嗣 ,  野口胜通 ,  吉田勉 ,  村松晃 ,  熊木聪 ,  桑村幸

IPC: F16J15/08

CPC classification number: F16J15/0887 ,  F16J15/0893 ,  F16L23/20

Abstract: 一种金属垫片，能以小的旋紧力获得高密封性，而且，在施加一定的旋紧负载的情况下的变形量大，因此，即使在以手动作业进行螺栓固定的情况下，也能进行螺栓旋紧的管理，并不会对对象侧的凸缘面造成损伤。金属垫片(10)由利用周向的开口而形成截面大致呈C字状的外环(12)和以嵌合状态配置于该外环(12)内侧的内环(14)构成，其特征是，内环(14)例如由截面呈四边形的多棱体构成，且该内环(14)的彼此相对的一对角部隔着外环(12)的开口分别配置于两侧的内周面。

公开(公告)号：CN102007578B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980113209.6

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  长谷部类 ,  宫下雅之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  Y10S438/906

Abstract: 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。

公开(公告)号：CN101981362B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200980111522.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  谷川毅 ,  山路道雄 ,  池田信一 ,  土肥亮介

IPC: F16K31/06 ,  H01F7/16

CPC classification number: F16K31/0658 ,  F16K31/0675 ,  H01F7/1816 ,  H01F2007/1822

Abstract: 本发明提供一种通过实现专用驱动电源的小型化从而节省了空间的电磁阀。本发明提供的是能够瞬间开闭的电磁阀，其特征在于，采用具有低直流内部电阻和低等效串联电阻的双电层电容器作为动力电源。双电层电容器中，单个单元的电气特性是：静电电容量为1～5F、额定电压为2.1～2.7V、直流内部电阻为0.01～0.1Ω、并且1kHz条件下的等效串联电阻为0.03～0.09Ω，并具有由比表面积为1～500m2/g的玻碳构成的可极化电极。

公开(公告)号：CN102792449A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN101632330B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880008070.4

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种使用了同轴管的微波的传输线路。在等离子体处理装置(10)中，将从微波源(900)经由分支波导管(905)向同轴管(600)传输的微波利用分支板(610)分成多个微波，向多个同轴管的内部导体(315a)传输。沿各同轴管的内部导体(315a)传输来的微波从与各内部导体(315a)连接的各电介质板(305)释放到处理容器(100)的内部。利用所释放的微波来激发导入到处理容器(100)中的处理气体，对基板(G)实施期望的等离子体处理。通过使用多个电介质板(305)，可以应对大面积化，提高扩展性，并且通过在传输线路中使用同轴管，可以实现传输线路的设计紧凑，并兼顾供给低频的微波。

公开(公告)号：CN101490849B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200780026588.6

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种积累型晶体管，沟道区半导体层的杂质浓度高于2×1017cm-3，从而能够承受更大的栅极电压摆幅。

公开(公告)号：CN102473644A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032084.7

申请日：2010-07-26

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78636 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28008 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，包括：在基板上设置的含有Al或者Al合金的栅电极、设置成覆盖该栅电极的至少上面且含有对该栅电极的Al或者Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的栅极绝缘膜、和厚度实质上等于上述栅电极的厚度及其上面的栅极绝缘膜的厚度的总厚度且以包围上述栅电极的方式设置于上述基板上的绝缘体层。

公开(公告)号：CN102473626A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029796.3

申请日：2010-05-27

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  根本刚直 ,  村川顺之 ,  吉川和博

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6838

Abstract: 一种湿式处理装置，其将被处理基板保持在工作台上，并使上述工作台旋转从而进行湿式处理。上述被处理基板通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且使用向该被处理基板的背面排放惰性气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转。在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台中还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入惰性气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。

公开(公告)号：CN102421932A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080021115.9

申请日：2010-03-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明的课题在于提供一种减少因伴随离子体激发电力增大的标的物部等的加热所致的坏的影响的旋转磁铁溅镀装置。本发明的旋转磁铁溅镀装置具有通过使冷却用介质在多个螺旋状板磁铁组之间形成的螺旋状的空间流动、或者在支承标的物部的背板上设置冷却用流路，来对标的物部进行除热的构造。

公开(公告)号：CN102365484A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080012496.4

申请日：2010-03-08

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 池田信一 ,  山路道雄 ,  谷川毅 ,  金子裕是 ,  八木靖司 ,  小野裕司 ,  大见忠弘 ,  白井泰雪

IPC: F16K31/122 ,  F16K1/36 ,  F16K1/42 ,  F16K51/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: F16K31/126 ,  F16K31/1268 ,  F16K41/10

Abstract: 本发明提供一种利用工作流体开闭阀芯的调整阀装置。阀芯(310)具有利用阀杆(310c)连结阀芯头部(310a)和阀芯身部(310b)而成的构造。阀体(305)内置有能滑动的阀芯(310)和动力传递构件(320a)。通过将第一波纹管(320b)固定安装于动力传递构件(320a)和阀体(305)，相对于动力传递构件(320a)来说在与阀芯相反一侧的位置形成第一空间(Us)。通过将第二波纹管(320c)固定安装于动力传递构件(320a)和阀体(305)，相对于动力传递构件(320a)来说在靠阀芯一侧的位置形成第二空间(Ls)。根据自第一配管(320d)供给到第一空间(Us)内的空气与自第二配管(320e)供给到第二空间(Ls)内的空气间的比率，自动力传递构件(320a)将动力传递给阀芯头部(310a)，开闭输送通路(200a)。